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1.
用电化学方法研究了在金电极上十二烷基硫醇自组装单分子膜(SAM)在乙腈、乙醇及丙酮中的电位稳定性.在0.0Vvs.Ag/AgCl(饱和KCl),十二烷基硫醇自组装单分子膜有最大的稳定性,在较负电位(如-2.0V)和较正电位(如+0.6V)电解时,在不同溶剂中的SAMs的表面覆盖率则表现出不同程度的损失,但在三种溶剂中,最大稳定性的电位窗口是相似的 相似文献
2.
3.
DNA以其超高的数据密度、超长的存储时间和较低的维护成本,成为了极具潜力的新型存储媒介.目前DNA存储技术的发展仍然面临着几大挑战:①远高于传统存储技术的错误率;②DNA存储分子明显的分布不均;③存储分子的丢失.文章给出了现有DNA存储技术的主要框架:合成、PCR和测序,对存储框架的主要过程进行描述和讨论,并从存储分子... 相似文献
4.
携带有遗传信息的脱氧核糖核酸DNA,具有密度高、维护成本低以及保存时间久等特点.在数据存储需求呈指数级增长趋势的时代背景下,DNA有望成为取代传统存储设备的潜在存储介质.由于DNA存储过程会不可避免地引入一些错误,纠错是目前DNA存储面临的一个主要问题.文章分析了DNA存储信道的复杂性,系统地总结了近年来DNA存储研究... 相似文献
5.
Co纳米线阵列膜热处理前后的结构与磁性研究 总被引:8,自引:0,他引:8
在具有纳米级孔洞的多孔氧化铝模板上,用电化学方法成功地制备出钴纳米线有序阵列复合膜。分别用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、X射线衍射仪和振动样品磁强计(VSM)对样品进行了测试表征。形貌和物相分析表明,模板中的Co纳米线均匀有序,彼此独立,相互平行,每根纳米线由一串微晶粒构成。Co纳米线属六方密堆积结构,有很好的结晶取向,晶体的C轴沿纳米线轴定向排列。热处理能优化Co纳米线的结晶取向。磁性研究显示,纳米线长到一定程度后,长度的增加不再影响它的矫顽力。纳米线短和纳米线长时,存在两种不同的磁化反转机制,对短纳米线,磁化反转机制为旋转型。在这种机制中,热处理导致矫顽力增大。对长纳米线,反磁化机制为畴壁位移。在这同制中,热处理引起矫顽力减小。微磁学计算模拟证明了它们的磁化反转机理。 相似文献
6.
7.
本文选择了3种具有不同配体结构的钴(四氖杂环十四)络合物:CO(Ⅲ)Cyclam(1.4,8,11-四氮杂环十四烷),CO(Ⅲ)-DIM(2,3-二申基。1,4,8,11-四氮杂环。(1,3)-二烯)和Co(Ⅲ)-TIM(2.3,9,10-四甲基-1,4,8,11-四氮杂环。[1,3.8,10]-四烯).研究平面配体(N4)结构的变化.主要是氮杂环不饱和程度的变化对3种络合物在酸性及中性溶液中电化学行为的影响,以及3种络合物在中性溶液中对还原的电催化活性。研究表明,随络合物中组杂环不饱和程度的增加.其配位场强度增强,络合物的自还原电位均向正的方向移动。大小顺序为:Co(Ⅲ)-Cyclam<Co(Ⅲ)-DIM<Co(Ⅲ)-TIM,而对还原的电催化活性则以Co(Ⅲ)-Cyclam最强,CO(Ⅲ)-DIM次之,Co(Ⅲ)-TIM无明显的电催化活性。 相似文献
8.
9.
利用GTOPO30 DEM数据模拟了东北东部山地的集水区和溪流结构,并结合坡度和海拔研究了溪流等级在地域上分布的特征.根据溪流建立50m BUFFER区,然后研究了不同等级溪流的BUFFER区内NDVI的分布特征.最后得出,溪流等级与海拔、坡度和NDVI 都呈负相关,相关系数分别为:-0.2, -0.09和-0.18. 溪流由低等级向高等级变化时,其 空间分布范围逐渐集中于海拔较低、坡度较小的平缓地.低等级溪流周围的植被生长好于高等级溪流周围的植被,并相对稳定. 相似文献
10.
多孔氧化铝膜的制备及其表征 总被引:2,自引:1,他引:2
在硫酸、磷酸及草酸溶液中 ,通过阳极氧化铝箔制备出了多孔氧化铝模板 ,用阶梯降压法将氧化铝层与铝基底分离 .透射电镜结果表明 :这种膜的孔间距 ,孔径以及晶胞尺寸均随所加氧化电压的增加而增加 .通过 FT- IR谱发现 ,在阳极氧化过程中 ,电解液阴离子也参与了多孔膜的形成 .XRD谱证明形成了无定形氧化铝 相似文献