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在实际中,平行板电容的应用很广,平行板电容器的电容通常是很稳定的,原因何在呢,下面具体讨论两种情况.设一个平行板电容器处于真空中(图1),两极板面积很大为S,靠得很近,相距为d,边缘效应可忽略.假设A板带压电荷q_A,由于静电感应B板的两个表面带异号电荷,利用高斯定理和场强叠加原理可求出两极板四个表面的电荷密度有如下关系: 相似文献
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介绍了纳米MnO2用作超级电容器电极材料的优势,从MnO2的制备、导电剂、电解质溶液和向MnO2晶格中掺入其他元素四个方面综述了目前纳米MnO2超级电容器的研究现状,并对未来的研究进行了展望。纳米MnO2电容器兼具双电层电容和氧化还原电容两种电荷储存机制,是一种很有前途的超级电容器电极替代材料。 相似文献
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铅酸蓄电池的最主要缺陷是比能量低,除由于铅及其化合物的密度较大之外,还因二价铅化合物的导电性不良. 因此对其性能控制电极--二氧化铅(PbO2)电极的研究有利于提高铅酸蓄电池性能,促进铅酸蓄电池的发展. 理想的添加剂至少要具有与碳一样高的导电性、能够大幅度地减少所需物质的量、并且在正极板的化成中稳定. 该文分析了导电添加剂、非导电添加剂各自在铅酸蓄电池中所起到的作用. 说明了提高电池比能量、高倍率放电以及循环寿命等不同性能可选择的添加剂. 使用非导电添加剂如玻璃小球、沸石等,通过提高活性物质孔率而提高比能量;使用导电添加剂如碳素材料及镀SnO2的玻璃小片,通过提高活性物质导电性而提升高率性能. 相似文献
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问题 1:电容器的两类基本问题讨论
平行板电容器的两类基本问题是:(1)若两极板保持与电源相连,则两极板间电压U不变时,去讨论其它物理量的变化情况;(2)若电容器充电后断开电源,则电容器两极板所带的电荷量Q不变时,去讨论其它物理量的变化情况。 相似文献
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聚丙烯腈热裂解导电材料的结构、性质及应用 总被引:1,自引:0,他引:1
综述了聚丙烯腈热裂解导电材料的结构,性质及其应用,高温热裂解是目前制备有机导电高分子材料的有效手段之一,聚丙烯腈(PAN)可以进行高温热裂解,随裂解温度(tp)的不同,可得到不同结构的导电材料,该类材料具有导电性好,电荷储存能力高,充,、放电功效好及良好的机械加工性能等性质,具有很好的应用前景。 相似文献
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应用麦克斯韦方程和边界条件,计算了交流电路中平行板电容器极板间的电磁场,极板电荷面密度和电流面密度的分布,并对结果进行了讨论。 相似文献
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本文给出位于寻电媒质中充电平行板电容器内的电磁场分布情况、结论是:虽然板间电场随时间按指数规津衰减、但磁汤为零,电容器放电过程中,电场能的减少全部转化为导电媒质的焦耳热。 相似文献
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应用麦克斯韦方程和边界条件,计算了交流电路中平行板电容器极板间的电磁场、极板电荷面密度和电流面密度的分布,并对结果进行了讨论 相似文献
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罗凌霄 《大理学院学报:综合版》1996,(1)
电容器储存的电能W由两个部分组成:一是纯电场能We;二是电介质的级化能Wp,纯电场能We实际上就是电容器极板上的自由电荷与介质表面的极化电荷的总静电能,而介质极化能Wp是给电容器充电的过程中由于电场对介质做功而使介质储存的电能。下面就平行板电容器这个最简单的情形来计算We和Wp以及相应的能量密度We和Wp。 相似文献
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吴波 《上饶师范学院学报》2001,21(3):33-35
对电容器的“储能”进行了分析,填充非线性介质的电容器充电后,电介质具有极化能,这种极化能不能完全释放出来。此时W=Q^2/2C并不表示电容器储存的能量,电容器的储能要比这个值小。 相似文献
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任一孤立导体及任一电容器具有不变的常数电容C,其电容大小由几何形状和几何尺寸决定,通常认为这是孤立导体和电容器自身的性质.从电容存在的物理本质进行的研究表明,由于平衡导体任意两点电荷密度之比具有守恒性及场强叠加原理,才确立了常数C. 相似文献
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李世作 《广西大学学报(自然科学版)》2010,35(2)
为了优化高压标准电容器的电场分布,利用面电荷密度计算包含导体和电介质材料的无限大空间电场。假设电极上的自由电荷连续分布,两种介质分界面上存在着连续分布的束缚电荷,以节点的面电荷密度为变量,利用线性插值来表示这些连续分布的电荷,根据边界条件和分界面条件建立联立线性方程组。计算结果表明,通过改变均压环的高度,可以优化电容器外部的电场,使最大场强降低到临界值。 相似文献
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本文对平行板电容器定义式中电荷的规定性作了一般性的讨论,并对考虑边缘效应时的场强分布给出了解析式,从而提出克服边缘效应引起电容器击穿问题的途径和方法。 相似文献
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问题1:电容器的两类基本问题讨论 平行板电容器的两类基本问题是:(1)若两极板保持与电源相连,则两极板间电压U不变时,去讨论其它物理量的变化情况;(2)若电容器充电后断开电源,则电容器两极板所带的电荷量Q不变时,去讨论其它物理量的变化情况.解决此类问题的关键要抓住三个基本关系式:c=εS/4πkd,E=U/d,Q=CU. 相似文献
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在室温下用低能量Ar^+轰击MOS电容器肾面,能改善iO2-Si系统的界面特性和击穿特性。结果表明,随着轰击时间的增加,固定电荷密度、界面态密度和漏电流减少,高场击穿的比率增大,然后这些参数变化平缓并开始呈恶化趋势。轰击能量为550eV和束流密度为0.5mA/cm^2时的效果比在350eV和0.3mA/cm^2时的好。 相似文献
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静电平衡过程的弛豫时间 总被引:1,自引:0,他引:1
贾少磊 《内蒙古民族大学学报(自然科学版)》2003,18(4):371-372
推导出导电物质中电荷密度随时间变化的规律:ρ=ρ0e^-γ/t t。由电荷密度随时间变化的规律可知,达到静电平衡要经历一个有限的过程。静电平衡过程的特征时间由物质的电导率和电容率决定。物质的电学性质除与电导率和电容率有关外,还与频率有关。 相似文献
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位移电流密度公式的一种导出方法 总被引:1,自引:0,他引:1
徐梅 《贵州师范大学学报(自然科学版)》1999,17(3):103-104
位移电流密度公式jD=Dt的导出在大多数电磁学教材里以及有关文献中都是用平行板电容器的充放电过程这个特例得出全电流公式,并指出全电流的连续性,以此得出位移电流密度公式。然而在教学中学生往往不易理解其物理含义,对位移电流的实质也认识不清,使学生认为只有传导电流为零的地方才由位移电流“接下去”。本文从电荷运动和场的变化的整体观念,运用高斯定律和电荷守恒定律来导出位移电流的密度公式,其推导过程本身对学生理解全电流的概念亦有帮助。设S为空间任一闭合曲面,其法线向外,如图1所示,C为S上一有向闭合曲线… 相似文献