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利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统制备了a-Si:H薄膜.使用KrF准分子脉冲激光对a-Si:H薄膜进行辐照,使a-Si:H晶化.拉曼散射谱和电子衍射谱的结果表明经过激光辐照后在a-Si:H层形成纳米硅颗粒. 相似文献
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刘象武 《哈尔滨师范大学自然科学学报》1993,(2)
本文给出了满足α(H)=3的图的一个充分条件,从而完整地刻划了文[3]给出的图类的结构特征。设n和m均为自然数.H是任意一个图,其直径d(H)=d_H(x_1,x_2)=2m-1。H=(V(H),E(H)),其中本文证明了如下定理:定理.设n>m,若H的子图H满足A.有;B.使,则α(H)=3。 相似文献
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采用单辊快淬法制备Fe75Nb8B15Zr2非晶合金,对该非晶合金进行不同温度的等温退火,研究其晶化过程及结构变化.利用示差热分析仪(DTA)确定样品的退火温度,利用X射线衍射(XRD)测试其相结构.结果表明:Fe75Nb8B15Zr2合金在快淬速率为38 m/s时呈完全非晶状态,随着退火温度的升高,α-Fe相逐渐析出,并伴随有硼化物(Fe3B和Fe2B)析出.Fe75Nb8B15Zr2非晶合金的晶化过程:非晶→非晶+α-Fe→α-Fe+Fe3B→α-Fe+Fe3B+Fe2B. 相似文献
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利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统制备了a—Si:H薄膜.使用KrF准分子脉冲激光对a-Si:H薄膜进行辐照,使a-Si:H晶化.拉曼散射谱和电子衍射谱的结果表明经过激光辐照后在a—Si:H层形成纳米硅颗粒. 相似文献
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刘象武 《哈尔滨师范大学自然科学学报》1993,9(3):1-5
用C(H)表示图H的中心,”■”表示图同构,定义图参数文[2]和[3]构作了某些满足α=3的图,解决了α=3的图的存在问题,本文构作了一类满足α=4的图,解决了α=4的非树图的存在问题。令n和m都是自然数。设H是一个图,d(H)=d_H(x_1,x_2)=2m-1.H=(∨(H),E(H)),其中定理令n>m.若H满足A.(?)u∈∨(H),有d_H(u,x_1)+d_H(u,x_2)≤2m;B.存在v_0∈(H),使d_H(v_0,x_1)+d_H(v_0,x_1)=2m;C.不存在v∈(H),使d_H(v,x_1)=d_H(v,x_2)=m。则α(H)=4。 相似文献
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介绍利用波长为193nm的ArF准分子激光的光化学反应,分解Si2H6和C2H2原料气体制备a-Si:H/a-Sic:H非晶超晶格多层膜以及讨论这种膜的量子尺寸效应,紫外吸收等光学特性. 相似文献
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本文详尽讨论了级数∑nan/Sn^αS^n-1β(α,β≥0)的敛散性,式中n=∑k=1^nak(ak≥0)→+∞(n→∞)从中得到一些有价值的结果,N.H.Abel定理则是文中命题2(当β=0,α=1+ρ,ρ>0时)之特例。 相似文献
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基于LMI的离散时滞系统H^∞控制 总被引:6,自引:0,他引:6
研究了一类线性离散时滞系统的H^∞状态反馈控制问题,基于线性矩阵不等式,得到了这类是滞系统可H^∞状态反馈镇定的一个充分条件,通过求解一个特定的线性矩阵不等式,即可得到镇定已知系统的H^∞控制器,并用算例验证了该设计方法的有效性。 相似文献
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研究了各种光照和热处理对p-i-n型α-Si:H太阳电池性能和稳定性的影响,发现电池性能的衰降主要表现为填充因子的减小,在80-120度间进行热处理能改善电池的稳定性,并对实验结果进行了分析讨论。 相似文献
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基于广义被控系统模型,考虑SISO系统H2/H∞混合控制器设计问题.利用H∞标准控制问题的参数化形式的解提供的自由度,进行系统H2性能的设计,从而得到既满足H2性能又满足H∞性能的H2/H∞混合控制器.具体算例说明该方法实用有效. 相似文献
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研究了具有参数不确定性的主动磁悬浮系统的控制问题.对系统模型的参数不确定性进行了分析,并把其归结为标准的H∞设计问题.综合考虑系统的稳定性和调节时间等指标,采用具有闭环区域极点约束的最优H∞状态反馈控制器设计方法,使用线性矩阵不等式(LMI)方法对其进行求解.仿真结果表明,闭环系统在所考虑的参数不确定范围内具有鲁棒稳定性和良好的时域性能指标. 相似文献
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针对在H.323多媒体会议系统中采用H.261协议进行视频压缩造成的重建图像质量差、运动画面不连续、编码效率低等问题,提出了将高效的编码算法H.263协议嵌入到H.323中的设计思想,以改善实时视频通信的质量;对在C 平台上将H.263视频编解码嵌入H.323中的过程进行了分析,并取得了令人满意的实验结果. 相似文献
17.
M/a—Si:H肖特基势垒参数的测量 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍在中性区光电导调制下实现用高频C-V仪测量M/a-Si:H肖特基势垒参数的方法,把所测结果与其他方法测量值作了比较,对Al/a-Si:H势垒异常现象也进行了描述。 相似文献