脉冲星磁球层非热谱的相关性研究

利用蒙特卡洛方法,模拟了脉冲星磁球层中全极冠级联过程的非热辐射.对一给定的位于中子星表面以上一定高度的平行于开场线的电场,原初粒子由该平行电场加速并通过曲率辐射损失其能量,曲率辐射产生的光子通过对产生过程被转化为电子-正电子对,随后这些电子-正电子对通过量子化同步辐射和逆康普顿散射发射光子,从而引发级联过程.在这种情形下,对不同的参数,计算了脉冲星的非热光子谱,并研究了其磁球层非热谱的相关特性.     

正反物质对称宇宙模型

本文分析了量子场 的狄拉克力方程人为真空应定义为被负能电子和正能正电子对与负能正电子和正能电子对共同填满的大海，并根据正电子的质量约较为电子的小千之分二的精密实验。     

自由电子受激辐射的电子对量子理论

本文认为自由电子受激辐射来源于电子对的量子跃迁.计算了电子对的跃迁几率.给出了自由电子受激辐射产生条件.     

试析Fe_2(CO)_9分子中的键型

<正> 在络合物Fe_2(CO)_9中存在多种化学键,本文试从理论上剖析此分子内原子间,原子与基团间成键的因素、过程及类型。 一、中心原子Fe的成键特征: 1、每个铁原子总价数为6.04。 Fe原于序数26,一般Ar壳外的8个电子3d~64S~2参与成键,如果金属键,那么晶粒内原子的电子参加一种特殊的离域共价键,离域电子的活动范围是沿三维空间伸展;如果全部成键且键的形式是共享电子对,那么电子自旋配对,故对金属的磁矩没贡献,但当铁受饱和磁化时,每个铁原子的磁矩为2.22Bohr磁子,这就表明每个原子能多于5.78个电子被包含在所形成的电子对中,还有另一种可能性,就是在原子之间成键的电子也存在着未配对的     

150 keV电子辐照下直拉硅的缺陷演化及其电学性能

研究150 keV电子辐照下直拉硅中的缺陷演化规律,探讨辐照缺陷对直拉硅电学性能的影响.结果表明,150 keV电子辐照在直拉硅中引入VnOm复合体,且随辐照注量的增大缺陷浓度升高.对于不同导电类型的直拉硅,P型硅的薄膜方块电阻和薄膜电阻率随电子辐照注量的增大而增大并趋于饱和,而N型硅的薄膜方块电阻和薄膜电阻率随电子辐照注量的增大而减小并趋于饱和.     

屏蔽常数求算方法的改进

一、引言在多电子原子中对选定电子的屏蔽常数的求算,教科书中介绍的方法都是斯莱托规则,确定其余电子对它的屏蔽效应的大小,然后求和。该方法由于需要查表和逐步加和两步完成非常繁琐。为此本文拟推导一个求屏蔽常数的计算公式,以简化计算过程。     

电子辐照GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池短路电流退化机制研究

应用PC1D程序拟合1 Me V电子辐照后Ga In P/Ga As/Ge太阳电池的光谱响应得到少数载流子扩散长度随辐照电子注量的变化关系.结果表明:少数载流子(少子)扩散长度随辐照电子注量增加而减小,少数载流子扩散长度的缩短是太阳电池短路电流退化的主要原因.     

介质切伦可夫脉塞的研究

利用自洽线性场理论，普遍讨论了扰动电磁场作用下的电子三维扰动，然后就介质切伦可夫脉塞中常用的两种相对论电子注，即环形相对论电子注和实心相对论电子的注波互作用进行了详细的分析，分别导出了对应于这两种相对论电子注的注波互作用色散方程，并求得了波增长率，计算和分析了这两种相对论电子注的半径以互相作用波增长率的影响。     

原电池过程的热力学讨论

<正> 一、电池电动势在判断化学反应趋势方面的意义。 化学反应的本质是电子的授受,是那些处于外层和次外层上的与原子核结合得不甚牢固的电子的转移。离子型化合物的形成是这一过程的典型体现;共价化合物虽不是电子的完全交付,也是电子对的偏移;按照分子轨道理论,原子形成分子时,处于原子轨道上的价电子,在重新组成的分子轨道上运动。归根结底,化学运动是与价电子的行为密切关联的一种运动形式。     

Mg3Ce基态结构的GGA和GGA+U对比研究

采用基于第一性原理的计算软件VASP对Mg3Ce的基态结构分别在GGA方法和GGA+U方法下进行了研究.通过GGA计算得到的结构常数与实验值吻合,但是计算结果表明基态结构为铁磁结构,而且所得到的磁矩为0.94μB,这些都与实验值不符合.为了更好地描述Mg3Ce的性质,我们引入了GGA+U计算,结果表明当Ueff=7.0 eV的时候所得到的结构常数、基态结构和磁矩都与实验值很好地符合,因此引入GGA+U计算是必要的,且Ueff=7.0 eV在GGA+U计算中是合理的.通过电子结构,进一步揭示了Mg3Ce的内在机制.发现Ce的f态电子对总的态密度的贡献是很大的,因此对于Mg3Ce性能的研究必须要考虑到f态电子的贡献.     

用电子束感生电压技术检测锑化铟红外探测器

在DX-3A扫描电子显微镜上加上了低温样品架,在83K用电子束惑生电压技术(EBIV)检测了锑化铟光生伏特型红外探测器的若干性能.探测器的EBIV像可清楚地显示出光敏面扩大的程度及多元探测器中各敏感元之间的隔离不完善性.光敏面上缺陷引起的响应不均匀性也可灵敏地检测出来.对于具有腐蚀台阶的台面型探测器,从EBIV分布曲线可估计出p-n结的深度.     

电子光学模型实验

本实验通过电场和磁场对发散电子束的会聚作用，证明了“电子光学透镜”与光学透镜在原理上的相似性．     

光纤在电子和γ辐射诊断中应用的研究

用光纤把辐射能转变为Cerenkov光光能的传感器和信号传输线时,可以构成频带极宽的电子束和γ射线脉冲诊断系统.本文从理论上计算了入射的相对论电子或入射的γ射线形成的Compton电子在光纤中产生的Cerenkov光的灵敏度.研制了光纤传感器和测量系统,给出了系统灵敏度、动态范围以及带宽的解析表达式,这对评价系统性能和论证可应用性是很重要的.标定了传感器对γ射线的灵敏度.现系统可突破常规系统带宽的极限记录.系统带宽潜力达500MHz以上,用于极快辐射脉冲测量将显示出它的独特优点.     

电子计价秤的故障分析

本文对电子计价秤的常见故障进行了分析，介绍了方便，快捷的检修方法。     

LED电子显示屏的开发及应用

介绍了ＬＥＤ电子显示屏的显示原理,以及怎样用计算机来处理图形的文本,使这些图形和本文能够在ＬＥＤ电子显示屏上显示。     

影响核外电子排布的对称性因素

本文提出了影响核外电子排布的对性因素─-对称度及相应的新的计算公式，计算结果表明，对称度可以较合理地解释核外电子的“不规则”排布问题．     

Si-nipi掺杂超晶格电子态的自洽计算

本文采用局域密度泛函近似自洽地计算了沿(100)方向调制的Si-nipi掺杂超晶格的电子态.得到了电子亚带能量和波函数随自由载流子浓度的变化规律.讨论了在较低的外界激发下,电子占据态和最近邻空态-(01)亚导带间的激发能.同时计算了Hartrəe势与自洽势下的电子密度分布曲线,发现自由载流子交换关联势V_xc(z)对亚带能量的影响较小.     

电子倍增器增益特性的实验测定

用电子能谱仪中改变能量分析器通能的办法,将Ni₃p光电子减速成不同能量后送入电子倍增器,从而测定了倍增器的增益随电子能量的变化曲线.发现在不同工作电压下,增益特性有所不同.观察了这一特性对测量俄歇微商谱峰-峰高度的影响.