首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 46 毫秒
1.
载流子迁移率是有机场效应晶体管(OFETs)的重要参数,直接决定了OFETs的功率和工作频率,对电子纸和射频标签等实际应用起到至关重要的作用。为了提高以聚(3-己基噻吩)(P3HT))和聚苯乙烯(PS)的混合物作为半导体材料的OFETs的载流子迁移率,提出利用结晶的乙酰丙酮镁来诱导P3HT在界面处结晶的方法。研究了使用不同量的乙酰丙酮镁掺杂的热交联聚乙烯基苯酚(CPVP)作为介电材料时OFETs性能的变化。结果表明,当在常用介电材料CPVP中掺杂适量乙酰丙酮镁(质量分数为0.6%)作为介电层时,器件的载流子迁移率达到最大(2.88×10-2 cm2/(V·s)),是单纯使用CPVP介电层时迁移率的11倍。  相似文献   

2.
利用以肽菁铜为半导体层的有机场效应晶体管构成一个反向放大电路作为电光调制器的调制电路, 测试了其对光信号的调制效果. 实验结果表明, 有机场效应管在低频下可实现放大功能, 为电光晶体提供驱动和调制电压, 并实现了对激光信号的调制. 根据实验结果, 对该场效应管的性能进行了分析.  相似文献   

3.
多并苯芳烃(polyacenes)是一类线性并芳香环碳氢化合物.多并苯化合物具有独特的线性π电子离域特性(linear delocalizedπ-system),是一类独特的有机半导体材料.多并苯材料由于其在有机电子学器件中的潜在应用而受到广泛的关注和研究,多并苯化合物能够实现高度有序的分子堆积,因此,能够被应用于大规模功能器件中.近20年来,高性能多并苯类材料的合成及应用已取得显著进展,尤其在有机场效应晶体管(OFETs)应用领域,多并苯类材料已发展成为OFETs的主要材料.文中综述了在OFETs中多并苯和杂环多并苯分子结构对材料电学性能的影响,最后展望了多并苯和杂环多并苯的应用前景.  相似文献   

4.
采用有机半导体材料酞菁铜作为有源层,聚四氟乙烯作为绝缘层,制作了两个不同结构的有机薄膜场效应晶体管,一个是底电极结构,另一个是倒置顶电极结构。文章通过对两个器件的电特性进行对比,分析出在倒置顶电极结构下栅压对有机薄膜场效应晶体管中载流子的注入有很大的帮助。  相似文献   

5.
以6,13-并五苯二酮为原料,利用Grignard试剂进行加成反应,合成了4种6,13-取代的并五苯衍生物.产物经IR和MS进行了结构鉴定.产物进行了器件表征,对它们的迁移率和开关电流比因素进行了探讨.  相似文献   

6.
系统阐述了铁电场效应晶体管(FeFET)的工作原理,重点介绍了铁电层和缓冲层的材料设计的基本原理、目前所研究的主要的铁电层材料和缓冲层材料及其所对应的FeFET的器件性能.并介绍了关于FeFET研究的一些最新的进展如基于FeFET的FeCMOS逻辑电路、FeNAND闪存电路、基于氧化物半导体和有机半导体的FeFET的一些最新研究成果.最后对FeFET的未来研究发展趋势作出一些展望.  相似文献   

7.
以新型的有机聚合物半导体(DPPTTT(poly(3,6-di(2-thien-5-yl)-2,5-di(2-octyldodecyl)-pyrrolo[3,4-c]pyrrole-1,4-dione) thieno [3,2-b] thiophene))为研究对象,利用溶液法制备了有机半导体薄膜并进行了一系列表征.发现半导体薄膜的厚度、表面粗糙度和拉曼峰强度均随溶液浓度和转速呈规律性变化.以该材料作为半导体活性层制备了p型有机场效应晶体管,发现当沟道长度降低到50μm时,器件的有效载流子迁移率最高,达到0.12 cm2/Vs;同时观察到随着沟道长度的降低,载流子迁移率与阈值电压都有增大的趋势,这与普遍观察到的短沟道效应相反.这些研究内容或许可以为更好地理解有机场效应晶体管及器件物理提供新的观点.  相似文献   

8.
有机场效应晶体管(OFETs)分为单极性和双极性.单极性OFETs仅能工作在p-沟道(空穴型导电沟道)或者n-沟道(电子型导电沟道模式下,然而双极型OFETs可以通过改变栅压的极性在p-沟道和n-沟道模式之间转变.双极型OFETs由于其在有机互补型集成电路(ICs)方面潜在的应用而得到越来越多的研究.这些电路有很多优点,例如功率损耗小、器件制作和电路设计成本低.  相似文献   

9.
用改进的EM模型研究数字集成晶体管中的寄生晶体管效应   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用基尔霍夫电流定律修改双极晶体管的EM(Ebers—Mo11)模型,使得它适合描述4层结构的数字集成晶体管.这样通过流经各个PN结的电流的变化,可以研究数字集成晶体管在不同工作状态下寄生晶体管的效应.  相似文献   

10.
有机光电材料研究进展与发展趋势   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文综述了有机光电材料的研究进展,及其在有机发光二极管、有机场效应晶体管、有机太阳电池、有机传感器和有机存储器等领域的应用;介绍了清华大学在有机发光技术方面取得的进展.  相似文献   

11.
有机电致发光器件的研究进展   总被引:1,自引:0,他引:1  
有机电致发光器件是近年来国际上研究的一个热点,发展非常迅速。该器件具有自发光、响应快、发光效率高、驱动电压低、能耗低、成本低等许多优点,因此它极有可能成为下一代的平板显示终端。概述了有机电致发光(EL)器件的结构、工作原理、目前研究进展状况、出现的问题以及发展趋势等。  相似文献   

12.
有机发光器件的研究进展及应用前景(综述)   总被引:4,自引:0,他引:4  
介绍了有机电致发光器件OLED(有机发光二极管)发展的历程,论述了有机电致发光材料及其发光原理和器件结构,讨论了该领域的研究热点问题,展望了OLED在新世纪的应用前景。  相似文献   

13.
Much attention has been attracted to organic thin-film field-effect transistors (OTFFETs) in the past decades[1—4]. Because of their lower cost and easier preparation, OTFFETs are considered to be useful in driving liquid crystal displays (LCD) and organic light-emitting diodes (OLED). Furthermore, flexible OTFFETs will be one of the most useful electronic devices for flexible active matrix driving circuits. OTFFETs based on pentacene single crystal have been reported to be of g…  相似文献   

14.
以高分子聚(2-甲氧基-5-(2-乙基-已氧基)-1,4-苯撑乙烯撑)(MEH-PPV)为半导体有源层、Ta2O5为绝缘层,制备了有机薄膜晶体管(OTFT),研究了氢热处理Ta2O5绝缘层对OTFT性能的影响,并对该器件性能改善的原因进行了分析.结果表明,经氢热处理的Ta2O5绝缘层使MEH-PPV的场效应迁移率提高了一个数量级,从1.24×10-5cm2/(V.s)提高到2.15×10-4cm2/(V.s),阈值电压有所降低.  相似文献   

15.
有机薄膜电致发光器件是一种很有应用前景的平板显示器件.本文综述了有机薄膜电致发光器件的发展过程,并介绍它的稳定性研究的现状和器件可能的应用前景.  相似文献   

16.
半导体光催化氧化反应降解废水中有机污染物的研究进展   总被引:2,自引:3,他引:2  
介绍了一种降解废水中有机污染物的高效氧化方法(AOP)-半导体光催化氧化法及其作用原理与反应机理;总结了近年来提高半导体光催化效率的方法:半导体光催化剂的改性、光催化剂的固定化、加电子接受剂或空穴接受剂,特别是采用AOP与生化降解法相结合的方法,使废水的处理更经济、有效。综述了近两年该技术在处理废水中有机污染物方面的应用。  相似文献   

17.
本文简要介绍了近年来出现的一门应用数学分支——分形几何,并就国内外到目前为止有关分形在材料科学,特别是在材料断裂研究中的应用作了评述。  相似文献   

18.
基团保护及其在有机合成中的作用   总被引:1,自引:0,他引:1  
有机基团的保护是有机合成中很重要的策略之一。本文综述了基团保护的基本原理。从基团的结构和反应活性的角度,对羰基、羟基和氨基的保护进行了分析并介绍了常用的保护方法,阐明了基团保护在有机合成中的重要作用。  相似文献   

19.
本文根据实验室模拟结果,从理论上解释了苏州河、黄浦江重金属离子迁移规律的二个问题。吸附实验表明大量有机物的存在,与重金属离子形成络合物而抑制了重金属离子进入固相。所以苏州河底泥对重金属的富集系数小于黄浦江。另外,光解实验表明有机物对Cu(Ⅱ)的络合能力远大于对Zn(Ⅱ)的络合能力。故黄浦江和苏州河底泥对重金属的相对富集系数以Zn(Ⅱ)为最小。  相似文献   

20.
综述了磁记忆检测技术的原理、应力及外磁场对铁磁材料磁性质的影响、近年来磁记忆检测技术取得的巨大进展以及在各行业中的广泛应用,揭示了磁记忆检测技术在机理研究方面存在的问题,并对其应用前景进行了展望。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号