圆柱形半导体量子线中电子和空穴能态

半导体量子线具有特殊的量子效应,其内部电子的能态是它的一个基本物理量.用计算一维势阱波函数的方法简化了圆柱形量子线波函数的计算,得出了量子线中电子能态、能级图和波函数.做算例Si量子线的线宽———电子能级图,验证了计算所得结果,并讨论了量子线的光谱蓝移、能级分离与兼并和线宽的关系.     

一维三元Ⅱ型准晶电子态的局域化

研究了Fujita和Niizeki用高维投影法构造的一种一维三元Ⅱ型准晶的电子波函数的性质.波函数二阶矩的数值结果表明,绝大多数的电子态都是局域化的.对几个典型的波函数进行直接观察和进一步多分形分析后确认,在准晶极限,所有的电子态都是局域化的.     

La_(1-x)Ca_xMnO_3的电子结构与磁有序研究

采用DV-Xa分子轨道法计算了不同掺杂浓度的立方结构钙钛矿La_(1-x)Ca_xMnO_3体系的电子结构,分析了体系磁电特性随钙浓度变化的特征.结果表明:自旋相关的锰3d—氧2p轨道杂化出现在整个体系中.未掺杂体系具有金属型导电性,费米能级处多数自旋子带的态密度高于少数子带.随着掺杂浓度的提高,体系发生金属-半金属相变.与此同时,锰离子磁矩单调降低,与3d带自旋交换劈裂的变化规律一致.掺杂的钙提高了锰3d和氧2p电子波函数的交迭,加强了Mn-O-Mn超交换作用,使CaMnO3呈现G型反铁磁态.LaMnO_3中锰3d和氧2p波函数的交迭最弱,呈铁磁有序.     

齐分子噻吩乙炔的带电态研究

采用半经验Austin Model 1(AM1)方法,计算了齐分子噻吩乙炔带电态的几何结构性质,和中性态相比,由于一维电子-声子相互作用,带电态下其分子结构表现在C-C键长发生显著变化;不同的掺杂电荷方式和掺杂电荷的波函数是限制的波函数还是未限制的波函数,其分子结构的变化形式是不同的,相应地产生不同的元激发,即极化子或双极化子.     

一维二元Ⅱ型准晶电子态的局域化

研究了Fujita和Niizeki用高维投影法构造的一种一维三元Ⅱ型准晶的电子波函数的性质，波函数二阶矩的数值结果表明，绝大多数的电子态都是局域化的，对几个典型的波函数进行直接观察和进一步多分形分析后确认，在准晶极限，所有的电子态都是局域化的。     

掺杂对量子点电子结构的影响

用有效质量近似理论和哈密顿量H对角化方法计算了在谐振子势中,量子点(含8个极化电子)的本征能量和本征波函数,并通过从本征波函数中提取一体、二体和三体密度函数的方法,得到了电子结构的直观图像。分析了掺杂(带单位正电荷或单位负电荷的杂质)对量子点电子结构的影响。研究结果表明:正掺杂会增加量子点中心电荷的聚集,而负掺杂则会在量子点中心形成电荷空白区。     

波函数对有限深方形量子线中电子及杂质能量的影响

以一维线性谐振子的波函数为基展开而成的波函数作为单电子的波函数,分别讨论了单电子及类氢杂质的能量,并将所得结果与波函数取作一维有限深量子阱中波函数的乘积的情况进行了比较.结果表明：已有文献选取的波函数,在计算单电子的能量及杂质的束缚能时只在阱宽较大时适用;在计算单电子的振子强度时,带来较大误差.     

A1H_3(固)的电子结构(Ⅰ)原子簇模型(A1H_6)

H.Kalo用推广Hückel方法研究了17种硼或铝的氢化物、氯化物及烷基化物分子的电子结构,给出这些分子的电子能级、分子轨道及电荷分布。随后有用各种方法研究AIH_3分子结构(如EHMO,CNDO/2和abinitio法)的。关于AIH_3(固)的电子结构、未见讨论。本文根据AIH_3晶体结构,先提出一个由原子构成的具有D_(3d)对称性的原子簇模型(AIH_6),用推广的Hiickel方法,计算其电子能级及分子轨道。并通过初步结果,对此模型作出评价。     

MgO分子的电子能级和势能曲线的MS-X_α计算

本文采用自旋极化的MS-X_α方法计算了MgO分子的电子能级和势能曲线,得到部分尚未有实验数据的激发态,并用C-K电荷分配法计算了该分子的部分单电子物理性质.     

电子在掺杂GaAs/GaAlAs斐波那契量子阱中波函数和能量性质

本文利用转移矩阵和边界条件精确计算一维定态薛定谔方程,推导出一维斐波那契量子阱结构中电子波函数的计算条件.考虑了在势阱中掺杂的情况,并且认为势阱中掺杂仅仅只是改变势阱的宽度.在半导体材料的参数范围内,进一步研究了势阱宽度对一维掺杂斐波那契量子阱结构的电子能量本征值的影响.