自洽法计算非晶硅的带隙态密度

本文叙述了一个场效应电导测量氢化非晶硅(a—Si:H)带隙态密度的数据处理方法。该法放弃了对空间电荷区电荷、电场和电势分布的任何假设,采用电子占据局域态的费米统计分布和占据扩展态的玻耳兹曼分布,应用自洽的原理,能够在较大的能量范围内计算出a-Si:H的带隙态密度分布,运算过程中以电势V为自变量,减少了对电势、电场和电荷密度等量空间分布的计算,简化了分析,提高了精度,减少了运算量。应用该法计算出了a—Si:H样品的带隙态密度在费米能级以上0.1eV到0.45 eV能量范围内的分布,它的最小值在费米能级附近,约为10~(16)cm~(-3)·eV~(-1)。     

前界面缺陷对钙钛矿太阳电池性能的影响模拟

通过对光伏器件的模拟分析可以进一步提高对器件的认识深度,在实际工艺中利于优化器件制备条件,为高效钙钛矿太阳电池提供新思路.借助SCAPS模拟软件研究钙钛矿电池中钙钛矿吸收层、CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x/TiO_2界面、TCO/TiO_2界面中缺陷态密度对电池性能的影响,模拟表明CH_3NH_3P I_(3-x)Cl_x中缺陷态密度和缺陷能级位置对器件效率的影响非常大,当缺陷态密度小于10~(16)cm~(-3)时,器件光电转换效率都能保持较高数值,达到16%以上.CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x/TiO_2界面层中CH_3NH_3PbI_(3-x)Cl_x缺陷态密度对器件的FF影响较大,当缺陷态密度小于10~(17)cm~(-3)时器件填充因子都能保持较高的数值,达到78%以上.TiO_2缺陷态密度降低和掺杂浓度提高对器件填充因子和开路电压都有利.TCO/TiO_2界面层中适当增大窗口层掺杂浓度和带隙可以有效改善器件的光伏性能.     

分析非晶硅肖特基势垒剖面的一种新方法

本文提出一个关于非晶硅肖特基势垒(α—Si.S.B.)剖面的新的分析方法。其出发点是分布函数g(E)在整个迁移率隙中的连续性。由此,可导出一个新的物理量,即“隙态有效密度”g(E_i~n);并可证明:对未掺杂非晶(α—Si(u)),g(E_i~n)大约是2～2.5×10~(17)cm~(-3)·ev~(-1)根据隙态有效密度,势垒区泊松方程可以解析求解,其空间解是指数函数。我们计算了势垒区所有基本参数,发现其中有些量(比如势垒宽度)灵敏地依赖于“势垒有效起点”的选取。因此,我们预料势垒剖面参数的理论计算值会有一定程度的分散。     

对 a-SiC∶H膜平面电极结构样品的空间电荷限制电流的测量

对平面电极结构样品用测量空间电荷限制电流(SCLC)的方法测 GD—a—SiC∶H 膜的隙态密度 N(E),通过测量临界电压与电极间距的关系 Vc～d 从而确认 SCLC 的存在;按隙态的指数分布由超线性 I～V 曲线确定出描述隙态的特征温度 Tt 和陷阱参量 Nt 从而测得 N(E),我们得到 N(E_F)约为2×10~(15)/Cm~3·ev.     

一种测定a—Si∶H隙态密度的新方法

用强场发射电流法(FEC)测量了 GD—a—si∶H 膜的隙态密度分布,得到接近 E_F 处的 N(E)为5×10~(16)/cm~3ev,N(E)的分布趋势和形状与场效应法所得结果一致.     

吸附对外延石墨烯态密度和能隙的影响简

利用抛物型电子能谱模型,求出了半导体基底的态密度和半导体基底上形成的外延石墨烯的态密度,并与理想单层石墨烯的态密度相比较,分析外延石墨烯态密度特点和能隙产生的条件.以Si基底上形成的外延石墨烯为例,论述了外延石墨烯态密度按能量分布的特点和吸附对外延石墨烯态密度和能隙的影响.结果表明:(1)外延石墨烯的局域态密度曲线与理想单层石墨烯和基底的态密度曲线不同,它不具有对零能量的左右对称性;(2)吸附不仅使理想单层石墨烯和半导体基底的态密度曲线对零能量的左右对称性受到破坏,而且改变了石墨烯的能隙宽度;(3)外延石墨烯的能隙宽度随着半导体基底与石墨烯相互作用能的增大而增大,但变化较小.     

a-Si∶H/a-Ge∶H超晶格的电学特性研究

测量了反应溅射 a-Si∶H/a-Ge∶H 超晶格的平行电导和垂直电导,研究了超晶格的结构和输运机理;实验观察到了强场下垂直电导的指数增强效应,得到阱层 a-Ge∶H 的深隙态密度N_g=1.9×10~(18)cm~(-3)·ev~(-1).对实验结果作了初步讨论.     

吸附对外延石墨烯态密度和能隙的影响

利用抛物型电子能谱模型,求出了半导体基底的态密度和半导体基底上形成的外延石墨烯的态密度,并与理想单层石墨烯的态密度相比较,分析外延石墨烯态密度特点和能隙产生的条件.以Si基底上形成的外延石墨烯为例,论述了外延石墨烯态密度按能量分布的特点和吸附对外延石墨烯态密度和能隙的影响.结果表明:(1)外延石墨烯的局域态密度曲线与理想单层石墨烯和基底的态密度曲线不同,它不具有对零能量的左右对称性;(2)吸附不仅使理想单层石墨烯和半导体基底的态密度曲线对零能量的左右对称性受到破坏,而且改变了石墨烯的能隙宽度;(3)外延石墨烯的能隙宽度随着半导体基底与石墨烯相互作用能的增大而增大,但变化较小.     

MNOS存储晶体管的研制

用液氮温度下的液氧蒸汽作为氧源,控制 O_2/N_2值在10~(-2)至10~(-3)可生长性能和重复性均为良好的可隧穿的超薄氧化层,结合用 SiH_4—NH_3体系的 LPCVD 技术,所淀积的具有电荷存储陷阱的 Si_3N_4膜能成功地制造 MNOS 结构存储晶体管。经测试,这种晶体管阈值窗口可设置在6V,对于管子处于高导态时,保留时间为10~3min,闽值电压变化的典型值为1V;当管子处于低导态时,其保留时间为3×10~3min 时阈电压变化的典型值为0.2V。这种存储管可擦写的次数为10~5以上。表明存储晶体管具有良好的器件特性。     

基于密度泛函理论的NiAs型MnTe第一原理计算

运用MaterialsStudio 6.0程序CASTEP软件包建立NiAs型MnTe单胞和1×1×10的超胞模型,采用GGA-PBE-TS近似,得出能带结构和态密度曲线。NiAs型MnTe为间接能隙窄带半导体,带隙为0.843eV;MnTe单胞的下价带在-12.5~-10.5eV,是一条二重简并带。在-6~-3.5eV和0.8~2.6eV主要由Mn原子的d态电子贡献,该Mn原子的d电子的有效质量较大,导致强的电子局域性;MnTe1×1×10超胞的帯隙为0.623eV,下价带位于-13~-11eV,对比单胞略微下移;在上价带和导带区域,MnTe超胞d态电子的能带和态密度都比MnTe单胞的变化平稳,整体形成较宽的赝能隙,说明Mn离子的共价性较强。     

气溶胶线性吸收系数及其吸收可见辐射的研究

基于测量气溶胶吸收系数的粒子采样法,导出了表征气溶胶总体吸收性能的线性吸收系数E_l,从而简化了测量设备和手续,为研究气溶胶辐射吸收性能提供廉价而简便的测量工具。分析和实验表明,E_l实质上是Beer—Lambart定律中吸收系数Ka的合理近似。在纽约州奥尔巴尼和南京近郊外场观测表明,E_l值分别是10~(-6)-10~(-5)M~(-1)和10~(-5)M~(-1)。工业城市和排放源的下风方的E_l值普遍较大。E_l值与能见度呈反向趋势。     

M(1)+的分次空间的关系

利用参考文献[1]中曲慧的方法,求出了M（1）7^＋,M（1）9^＋,M（1）10^＋的维数及它们的基,得到了这些分次空间之间一个结果：L（-1）M（1）9^＋,L（-3）M（1）7^＋,h（-1）-3^4h（-1）^41,L（-2）^51张成了M（1）10^＋．     

磁流变液延期解除保险机构的延期时间调控

针对小口径弹药引信磁流变液延期解除保险机构通用性的问题,分析了机构结构、磁流变液特性和环境参数对延期时间的综合影响,通过旋转等效实验确定了该机构延期时间的调控能力.在机构结构分析中,分析了孔型、孔径和孔长对延期时间调控的影响,选择孔径作为时间调控参数.在磁流变液特性分析中,基于Herschel-Bulkey模型,推导了磁流变液黏度表达式,并通过黏-温特性实验,确定了磁流变液泄流时黏度的影响因素.通过旋转等效实验深入研究了在60 000~90 000 r/min转速条件下孔径和磁流变液配比对延期时间的调控能力.研究结果表明:在磁流变液配比为7:1,8:1,9:1和0.26~0.30 mm孔径条件下,能够更有效地调控延期时间,并且这种机构在60 000~70 000 r/min转速条件下有很好的通用性.      

低气压高频氩放电中电子能量分布的研究

由数值求解均匀的波尔兹曼方程，计算出在高频均匀的电场下氩放电中电子的能 量分布。计算适合于从低电子密度到足够高电子密度的广大区域。电场与气体密度的 比值在范围 １０~(－１６)Ｖcm＜Ｅ／Ｎ＜１０~(－１５)Ｖcm2．研究了在不同频率的高频电场下,电 子－电子碰撞对电子能量分布的影响。     

对苯二酚对Cu(Ⅱ)-H_2O_2-NaSCN振荡反应的影响

对苯二酚在碱性条件下对Cu催化H2O2和NaSCN的化学振荡反应(以下简称铜体系)的干扰,考察了在2.24×10-6-5.45×10-5mol·L-1和2.24×10-6-2.87×10-5mol·L-1范围内,对苯二酚的浓度与振荡反应的周期的改变△T1、△T2之间的关系 结合铜体系振荡反应的机理,提出了对苯二酚干扰振荡反应的机理,为其应用奠定基础     

自组装环荧光显微成像技术应用于美他环素的测定

基于毛细流效应,建立了自组装环荧光显微成像技术测定美他环素的方法.美他环素在pH为10.60的NH3-NH4Cl缓冲溶液及聚乙烯醇-124存在下,可形成直径1.84 mm、环线宽59.6μm的自组装环.当点样体积为0.30μL时,线性范围为3.39×10-13~2.03×10-12mol.ring-1(1.13×10-6~6.77×10-6mol.L-1),检出限为1.05×10-13mol.ring-1(3.50×10-7mol.L-1).实测盐酸美他环素片剂中美他环素含量及四种牛奶中残留美他环素的含量,回收率分别在95.2%~106%和94.7%~104%.本方法为药物分析及食品中残留抗生素的检测提供了一种新方法,具有背景干扰小、耗样量少、简单、快速及对环境无污染等优点.     

低黏度高稳定性非离子聚丙烯酰胺水分散体的合成

采用水分散聚合法,以丙烯酰胺为单体,过硫酸铵为引发剂,衣康酸/次亚磷酸钠为链转移剂,聚丙烯酸钠为稳定剂,在硫酸铵/氯化钠水溶液中,制备了低黏度高稳定性的非离子聚丙烯酰胺水分散体系.考察了氯化钠、衣康酸、次亚磷酸钠对水分散体黏度、相对分子质量、颗粒形貌的影响.实验发现在30℃,300r/min,当引发剂、稳定剂、硫酸铵、氯化钠、次亚磷酸钠、衣康酸与单体质量比为:1.17×10~(-4)∶(3.25×10~(-2)~3.41×10~(-2))∶1.12∶(7.50×10~(-2)~7.75×10~(-2))∶(1.25×10~(-4)~1.42×10~(-4))∶(9.2×10~(-3)~1.17×10~(-2))∶1条件下,可以制备低黏度、高稳定性的非离子型聚丙烯酰胺水分散体.     

电解质影响光电耦合处理效率的试验研究

实验研究了不同电解质对光电催化剂阳极的影响,采用分光光度法测定了光电催化降解率随时间的变化.结果表明,电解质对光电催化反应是有影响的,起反应的是阴离子而不是阳离子,电解质的存在能提高光电催化效率,与SO42-、Cl-相比,CO32-的存在去除率较高.     

加替沙星自组装环荧光显微成像技术应用于内蒙古品牌乳、胶囊、尿液中加替沙星的检测

利用加替沙星自组装环荧光显微成像技术,建立一种灵敏度高、操作简便的加替沙星固相检测方法.在pH 3.60的HAc-NaAc缓冲溶液和聚乙烯醇-124存在下,加替沙星能够在二氯二甲基硅烷(DMCS)处理过的载玻片上形成自组装环(Self-ordered ring,SOR),环直径为2.45 mm,环线宽为38.7μm.当点样体积为0.30μL时,线性范围6.74×10-13~1.83×10-11mol.ring-1,方法的检出限(3σ)为6.74×10-14mol.ring-1(2.2×10-7mol.L-1).应用于内蒙古乳都品牌乳、加替沙星胶囊和健康志愿者服药后尿液等样品中加替沙星的分析检测,加标回收率为96.0%~106.6%,RSD小于3.3%.     

DNA/CTC双向捕集离子液体浮选分离测定废水中痕量Ni(Ⅱ)

在一定条件下,Ni(Ⅱ)在溶液中能够被脱氧核糖核酸(DNA)和金霉素(CTC)双向捕集,形成Ni-CTC-DNA三元缔合物.该缔合物具有良好的疏水性,利用离子液体[bmim]BF_4浮选体系可以将其从混合溶液中分离提取出来.研究了缔合物形成和离子液体浮选过程的影响因素,得到了三元缔合物生成和浮选分离的最优条件.线性回归方程为A=8.03×10⁵C-0.000 3,线性范围为4.7×105C-0.000 3,线性范围为4.7×10^(-8)(-8)⁶.5×106.5×10^(-3)mol/L,摩尔吸光率为8.03×10(-3)mol/L,摩尔吸光率为8.03×10⁵L·mol5L·mol^(-1)·cm(-1)·cm^(-1),检出限为1.8×10(-1),检出限为1.8×10^(-8)mol/L.该方法可用于工业废水中重金属镍离子的快速检测分析.