磁性多层膜Ta/NiO/NiFe/Ta角分辨XPS

磁性多层膜Ta/NiO/NiFe/Ta由磁控溅射方法制备.采用角分辨X射线光电子能谱(XPS)研究了反铁磁(NiO)/铁磁(NiFe)界面.结果表明,在NiO/NiFe界面发生了化学反应: NiO+Fe = Ni+FeO和3NiO+2Fe =3Ni+Fe2O3,此反应深度约为1～1.5 nm.反应产物将影响NiO对NiFe的交换耦合.     

膜厚对NiO/NiFe/Cu/NiFe磁阻效应的影响

用射频磁控溅射方法制备多层膜,研究了双层膜ＮｉＯ／ＮｉＦｅ的矫顽力Ｈｃ和交换耦合场Ｈｅｘ与反铁磁层ＮｉＯ、铁磁层ＮｉＦｅ厚度的关系,结果表明：ＮｉＯ厚度为７０ｎｍ时,Ｈｅｘ最大;Ｈｃ随ＮｉＯ厚度增大而增大．当ＮｉＦｅ厚度增加时,Ｈｅｘ近似线性减小;而Ｈｃ则随ＮｉＦｅ厚度增大开始有缓慢增加,然后才减小．对于ＮｉＯ（７０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（ｔ１）／Ｃｕ（２．２ｎｍ）／ＮｉＦｅ（ｔ２）自旋阀多层膜材料（括号内的量表示厚度）,研究了ＮｉＦｅ膜厚度对磁阻效应的影响,结果表明：被钉扎层ＮｉＦｅ的厚度为３ｎｍ,自由层ＮｉＦｅ的厚度为５ｎｍ时,ＭＲ值最大,约为１．６％．     

Magnetic property and interface structure of Ta/NiO/NiFe/Ta

Ta/NiO/NiFe/Ta multilayers, utilizing Ta as buffer layer, were prepared by rf reactive and dc magnetron sputtering. The exchange coupling field between NiO and NiFe reached a maximum value of 9.6×10³ A/m at a NiO film thickness of 50 nm. The composition and chemical states at interface region of Ta/NiO/Ta were studied by using the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and peak decomp- osition technique. The results show that there is an “inter- mixing layer” at the Ta/NiO (and NiO/Ta) interface due to a thermodynamically favorable reaction 2Ta + 5NiO = 5Ni + Ta₂O₅. This interface reaction has a great effect on exchange coupling. The thickness of Ni+NiO estimated by XPS depth- profiles is about 8—10 nm.     

共挤压成形NiFe2O4-10NiO/xNi金属陶瓷材料的增韧特性

采用共挤压技术制备具有蜂窝状结构的NiFe2O4.10NiO/xNi型金属陶瓷材料,研究其共挤压特征,并通过对比蜂窝结构材料与均匀体材料试样间力学性能的差异,分析蜂窝结构NiFe2O4-10NiO/xNi材料的增韧特性.研究结果表明,与均匀体材料相比,蜂窝状结构材料NiFe2O4.10NiO/xNi无论在横截面还是在纵截面上均能够更有效地提高材料的断裂韧性,同时,其纵截面上的增韧效果要比其横截面的增韧效果明显,纵截面上的断裂韧性比横截面上的断裂韧性高17.3%左右,比相同金属含量均匀体材料的断裂韧性至少高15.5%.     

XPS Studies of Magnetic Multilayers

NiO_x/Ni₈₁Fe₁₉ and Co/AlO_x/Co magnetic multilayers were fabricated by reactive RF/DC magnetron sputtering on clean glass substrates and oxidized Si (100) substrates, respectively. The exchange biasing field (H_ex) between NiO_x and Ni₈₁Fe₁₉ as a function of NiO_x oxidation states was studied by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The oxidation states and the oxide thickness of Al layers in magnetic multilayer films consisting of Co/AlO_x/Co were also analyzed. It is found that the H_ex of NiO_x/Ni₈₁Fe₁₉ films only depends on Ni2+ but not on Ni3+ or Ni. The bottom Co can be completely covered by depositing an Al layer thicker than 2.0 nm. The oxide layer was Al₂O₃, and its thickness was 1.15 mn.     

PZT／SiO_2／Si界面的XPS分析

采用ＳＯＬ－ＧＥＬ工艺在ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制备了铁电薄膜，对ＰＺＴ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构进行了ＸＰＳ分析，结果表明，在ＰＺＴ铁电薄膜和硅衬底之间加ＳｉＯ２使Ｆ／Ｓ界面得到了改善．     

NiFe/Cu多层膜巨磁电阻与界面结构的研究

采用磁控测射方法制备的ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜，在室温下测量到巨磁电阻随Ｃｕ层厚度振荡的第三峰，讨论了ＮｉＦｅ／Ｃｕ多层膜界面结构对巨磁电阻的影响     

金属添加方式对NiFe基/NiFe2O4金属陶瓷微观组织的影响

采用模压真空烧结法制备了2种金属陶瓷.差热分析、X射线衍射和扫描电镜结果表明:金属相加入方式对陶瓷的结构和组成有较大影响;当Al以单质形式加入时,Al会完全改变NiFe2O4原有尖晶石相,形成新尖晶石相,同时,这种加入方式会导致金属各元素的局部分布不均匀;当Al以合金化形式加入时,由于合金化后Al的扩散得到了较好地控制,没有改变原有陶瓷成分.2种金属陶瓷中的陶瓷相在高温烧结中都不稳定,都出现了离解现象.     

NiFe／Cu多层膜的巨磁电阻效应

采用磁控溅射方法在玻璃基片上沉积NiFe／Cu多层膜．在室温下测量到其巨磁电阻随cu层厚度振茴的第一峰和第二峰，相应的峰值分别为19%和11%．研究了巨磁电阻隧NiFe层厚度及多层膜总周期数Ⅳ的变化规律。     

NiFe2O4晶微粉的共沉淀法和熔盐法制备

用化学共沉淀法和熔盐法制备了一系列NiFe2O4纳米粉体,在室温下测定了它们的磁性能,利用X衍射确定了粉体的相结构、比表面积和晶格常数,利用扫描电子显微镜观察了颗粒的形貌.结果显示,由于制备方法的差异使得粉体的各项指标都有比较明显的差异.     

半经验MNDO和MNDOC方法对化学反应过渡态研究的应用

本文对15个简单有机分子反应进行MNDO和MNDOC计算,得到与从头算相似的势能面特征和过渡态数目。半经验过渡态的优化结构与从头算过渡态的优化结构吻合较好,而半经验活化能与从头算活化能偏离较大。其中,MNDOC结果稍好于MNDO结果。计算表明用半经验方法作为反应势能面的快速扫描工具以确定其定性特征,对从头算难以实现的大分子体系尤为适用。对于中等大小分子的过渡态研究,用半经验过渡态作为从头算自动优化的初始点,则能大大提高从头算定位鞍点的成功率。     

Chemical states of the atoms in magnetic multilayers Ta/NiO x /Ni81Fe19/Ta and Co/AlO x /Co

Ta/NiO _x /Ni₈₁Fe₁₉/Ta and Co/AlO _x /Co multilayers were prepared by rf reactive and dc magnetron sputtering. The exchange coupling field (H _ex) and the coercivity (H _c) of NiO _x /Ni₈₁Fe₁₉ as a function of the ratio of Ar to O₂ during the deposition process were studied. The composition and chemical states at the interface region of NiO _x /NiFe were also investigated using the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and peak decomposition technique. The results show that when the ratio of Ar to O₂ is equal to 7 and the argon sputtering pressure is 0.57 Pa, the x value is approximately 1 and the valence of nickel is +2. At this point, NiO _x is antiferromagnetic NiO and the corresponding H_ex is the largest. As the ratio of Ar/O₂ deviates from 7, the H _ex will decrease due to the presence of magnetic impurities such as Ni⁺³ or metallic Ni at the interface region of NiO _x /NiFe, while the H _c will increase due to the metallic Ni. Al layers in Co/AlO _x /Co multilayers were also studied by angle-resolved XPS. Our finding is that the bottom Co could be completely covered by depositing an Al layer about 1.8 nm. The thickness of AlO _x was 1.2 nm.     

用XPS研究Ti－15Mo合金在盐酸中钝化膜的组成

应用ＸＰＳ和电化学测量技术研究了Ｔｉ－１５Ｍｏ合金在７０℃４ｍｏｌ／ＬＨＣｌ溶液中，９００ｍＶ，２００ｍＶ和０ｍＶ恒电位阳极极化条件下形成的钝化膜。结果表明，Ｔｉ－１５Ｍｏ合金在７０℃４ｍｏｌ／ＬＨＣｌ溶液中钝化膜很稳定。在高阳极极化电位下（９００ｍＶ），钝化膜表层中贫Ｍｏ，而在低阳极极化电位下（２２ｍＶ，０ｍＶ），钝化膜表层有Ｍｏ的富集现象。钝化膜内含有较多的电解质阴离子Ｃｌ－，而旦分布很深，推测氯离子可能参加了膜的生成反应。     

CH3CSNH2／NH4OH钝化GaAs（100）表面的XPS表征

一种新的含硫化合物ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液被用来钝化ＧａＡｓ（１００）表面．应用Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）表征了该钝化液处理的ＧａＡｓ（１００）表面的成键特性和电子态．结果表明，经过处理的ＧａＡｓ（１００）表面，能有效地消除Ｇａ和Ａｓ的氧化物，并且Ｓ既与Ａｓ成键也与Ｇａ成键，形成了Ｓ与ＧａＡｓ的新界面，这标志着ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液对ＧａＡｓ（１００）表面具有明显的钝化作用．钝化表面退火处理后，Ａｓ的硫化物不稳定，进一步与ＧａＡｓ衬底反应，生成稳定的ＧａＳ钝化层，此种钝化液可直接应用于半导体器件钝化工艺对ＧａＡｓ表面处理     

LaMO3及其相关催化剂的XPS研究

以ＸＰＳ为主要研究工具，以ＬａＭＯ３（Ｍ＝Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ）及相关催化剂为主要研究对象，区分ＸＰＳ谱中二种Ｏ１ｓ峰，对晶格Ｏ１ａ和Ｌａ３ｄ５／２的主峰及Ｓｈａｋｅ－ｕｐ峰的化学位移给予解决．证明Ｊ１０６催化剂中无ＬａＭＯ３类化合物形成，而ＣＲ型燃烧催化剂中存在ＬａＭＯ３类化合物，并和催化剂的失活相关．ＣＲ催化剂中ＣＵ离子的存在形态以及ＣＲ催化剂的Ｓ中毒也由ＸＰＳ提供了证据．关键词     

Co-NiO/FeNi双层膜的交换偏置效应

金属Co片和NiO靶材通过溅射得到Co-NiO薄膜, 当Co含量为25.2％时, Co-NiO/FeNi双层膜的偏置场H_E最大, 是未掺入Co时NiO/FeNi偏置场的3倍. 分析表明,金属Co的团簇镶嵌在NiO基质中, 该结构可提高铁磁/反铁磁双层膜的偏置效应.      

Pt_6/BaO(100)界面性质的第一性原理研究

利用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了Pt6/BaO(100)界面的性质.对界面几何结构和电子结构的分析表明,铂原子与表面氧原子之间有很强的共价相互作用,这种相互作用使Pt6/BaO(100)界面非常稳定,与实验结果的分析相一致.     

金属─半导体界面附近的空位电子态

本文用紧束缚模型发展了金属一半导体界而附近的空位理论．研究结果发现：空位对它附近区域的态密度有一定影响；空位的生成能随空位一界面间距的变化是一个振荡函数．对文中所考虑的界面，空位趋向于朝界面处吸引；当系统中同时存在两个空位时，由于介质极化，空位之间要发生间接相互作用，其间接相互作用能随空位一空位间距的改变发生振荡．     

电磁继电器触点面的SEM和XPS研究

使用X射线光电子能谱（XPS）和扫描电子显微镜（SEM）等表面分析方法,研究未启封、使用过失失效和使用过失效的继电器触点表面和形貌、组份和结构,结构表明,经过使用后触点表面烧蚀严重并发生磨损,其组份中含Ag、Sn、C和O等原子,C和O的XPS峰显示,触点表面氧化膜和碳化物的形成,导致接触电阻增大,从而影响继电器的稳定履使用寿命。     

石菖蒲正丁醇部位化学成分研究

采用现代分离技术对石菖蒲正丁醇部位的化学成分进行分离纯化,并运用波谱技术鉴定其结构.结果表明:从该植物的正丁醇部位分离得到6个化合物,分别为苄醇-β-D-木糖-(1→6)-β-D-葡萄糖苷(1)、5-羟甲基糠醛(2)、二聚5-羟甲基糠醛(3)、石菖蒲醇-12-β-D-葡萄糖苷(4)、赤式-1',2'-二羟基细辛醚(5)、苏式-1',2'-二羟基细辛醚(6),其中化合物1和化合物3为首次从该属植物中分得.