双极晶体管结温分布均匀性的一种判定方法

分析了当双极晶体管结温分布不均匀时用ΔＶＢＥ法测得的温度与器件结温分布以及测量条件的关系，提出了一种快速判断双极晶体管结温分布均匀性的方法。     

用双电流法测量双极晶体管的结温

基于Shockley方程提出用双电流法测量半导体器件的结温，并与传统的线性近似法进行,消除了由于不同器件热电性能的差异引入的误差，提高了结温测量精度。     

用双电流法测量双极晶体管的结温

基于Shockley 方程提出用双电流法测量半导体器件的结温,并与传统的线性近似法进行对比,消除了由于不同器件热电性能的差异引入的误差,提高了结温测量精度     

基于反向恢复电流的绝缘栅双极型晶体管模块动态结温估测方法

针对传统结温估测方法响应速度慢、测量误差大问题,采用绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor, IGBT)模块的反向恢复电流作为温敏电参数,提出一种新型结温估测方法。分析了IGBT模块结温和负载电流对反向恢复电流的影响机理,并建立了三者间的理论关系。考虑实际工况并采用试验数据拟合得到IGBT模块的结温预测模型,通过比较试验测量数据与预测模型计算结果的差异,证实了采用反向恢复电流提取IGBT模块动态结温的估测方法具有较高的估测精度和较快的响应速度。     

三相逆变器中绝缘栅双极型晶体管模块结温仿真评估

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的工作性能和可靠性以及逆变器中IGBT模块散热系统的设计等均与其工作结温直接相关,掌握器件的结温状况对于确保其安全可靠的使用和冷却装置的合理选择具有重要意义。推导获得基于数学方法的IGBT模块损耗模型和实现热电模拟的Foster热网络模型,基于此在MATLAB/Simulink中建立了简单实用的三相逆变器中IGBT模块结温仿真评估模型,同半导体器件制造商软件计算方法相比,加入了热电耦合因素,可以更真实地模拟器件芯片结温状况,并分析了不同负载工况下IGBT模块结温的变化趋势     

硅赝异质结双极晶体管的电学参数性能分析

具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管，其能带结构类似于真实异质结双极晶体管的能带结构。本文研究了硅赝质结双极晶体管的电流增益，截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系。并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。     

绝缘栅双极型晶体管脉冲工作时结温特性及温度分布研究

建立了电热耦合和损耗热场耦合计算模型,采用该模型,获得了相同外部条件下的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片结温波动特性及温度分布特征,完成了使用红外热成像实时探测短时脉冲工作方式下IGBT芯片表面温度波动及分布特性的预测.探测结果表明,在一定散热条件和占空比不大的情况时,短时脉冲间歇等非周期瞬态工作方式下芯片表面温度快速上升之后,进入一个缓慢的上升周期,实验也表明,在特殊工作场合时可突破器件手册推荐使用的最大电流值.利用建立的热分析模型,还可以实现对不同工作方式下器件结壳温差和结温波动幅度的预测.     

基于神经网络的IGBT结温预测

针对大电流下绝缘栅型双极晶体管(IGBT)饱和压降和集电极电流与结温之间的非线性关系带来的结温预测难题,搭建了大电流下IGBT饱和压降测试系统,获取了结温和集电极电流与饱和压降之间的非线性关系曲线,分析了关系曲线变化规律对应的物理机制.采用Matlab软件建立了误差反向传播(BP)神经网络模型和径向基函数(RBF)神经网络模型进行结温预测.与多项式数学模型预测结果对比表明:两种神经网络模型的预测相对误差和预测误差90%置信区间比多项式数学模型更小,结温预测精度更高;并且BP神经网络模型的预测精度高于RBF神经网络模型,结温预测模型选择时应优先考虑BP神经网络模型.     

SiGe异质结双极晶体管基区渡越时间分析

对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间.结果表明,Ge组分为转折点X1/Wb≈0.12的矩形-三角形分布时,可得到最小的基区渡越时间;Ge分布对SiGe和Si的有效态密度之比的影响很小,但对迁移率的影响较大;基区掺杂为指数分布或高斯分布对基区渡越时间影响很小.     

fT为13.5?GHz的平面结构SiGe异质结双极晶体管的研制

利用多晶硅发射极技术与分子束外延生长SiGe基区技术相结合,研制成适于集成的平面结构、发射结面积为3?μm×8?μm的SiGe异质结双极晶体管(HBT)。室温下该晶体管的直流电流增益β为30到50,基极开路下,收集极-发射极反向击穿电压BVCEO为5?V,晶体管的截止频率fT为13.5?GHz。     

低温下晶体管击穿电压的温度特性与分析

本文给出了从２００Ｋ到１０Ｋ低温下，硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果，建立了理论模型，并对实验结果作出合理解释     

磁性隧道结自旋极化电子隧穿的温度特性

基于自由电子模型,我们研究了铁磁金属／绝缘体（半导体）／铁磁金属隧道结自旋极化电子隧穿的温度特性。从我们的结论可以定性地解释有关的实验现象。     

用电阻法测定超导体的临界温度

本文介绍用电阻法测量超导体的临界温度、转度宽度和自制恒温器的结构、性能。在降温和升温过程中,所测结果一致。     

ZKB3675直线振动筛动力特性的判断

在估算出运动学参数以后，提出一种用支承当量惯性力判断直线振动筛动力特性的方法，可用于确定振动筛是否满足设计的基本假设，是否需要调试和修正。     

山区积温分布推算方法的研究

积温是农业气候热量资源的重要指标。本文提出了山区积温的推算方法、得出了各种小地形的积温效应值。该方法在福建省沙溪流域山区实际应用的结果是令人满意的。     

判断反馈组态“短路法”的推论

本文提出了一种新的快速判断反馈组态的方法——观察法。     

超低hFE温度系数晶体管研制

采用poly-Si(n )/UTSiO2/n -Si/P-Si发射结构，研制出参数与常规晶体管相近，能长期稳定工作，在－55－100度温度范围内，hFE温度系数小于20％的硅晶体管。     

含有两种铁氧的波导结的矩量法解

本文从各向异性媒质的互易定理出发,导出了含有两种任意形状铁氧体材料H—的波导结的矩阵方程。用本文提出的方法对几种Y型环行器进行计算的结果与实验结果很一致。对含有两种铁氧体的波导结进行了研究,从中得出一些有益的结论。