V2+在ZnS中光谱的理论计算

用分子轨道理论推导了3d3离子在立方晶体场中的哈密顿矩阵,并计算了V2 在ZnS中的吸收光谱.与其他近似方法相比较,该计算结果与实验符合得好,表明V2 在ZnS中,共价因素和Racah参量A的贡献是很大的.理论计算出的一条近红外谱线有待实验的进一步检验.     

ZnS:V3+光学和顺磁性质的理论研究

应用V^3 的Watson自洽场d-轨函计算出了Racah静电参量A0、B0、C0和用完全对角化方法计算了ZnS：V^3 的光谱和基态g因子，并比较了Racah静电参量A0对光谱能级的贡献，计算结果与实验结果符合得较好。此外，还讨论了共价因子对能级的影响。     

ZnS的基态分子势能函数（英文）

以六参数的解析势能函数讨论双原子分子,运用原子分子反应静力学原理对ZnS分子的离解极限进行了合理的推导,并采用量子化学从头计算的方法,在B3PW91/SVP,B3LYP/CEP-4G和QCISD/6-311＋＋G（d,p）的理论水平下,对ZnS的基态分子势能曲线进行扫描,根据得出的扫描点作出它们的势能函数曲线,用最小二乘法进行拟合出各势能曲线的各个参数,在此基础上计算出各阶力常数和光谱数据。最后对这三种方法的计算结果进行了比较,得出它们对ZnS分子的势能函数计算是可靠的。     

V^5＋、Ho^3＋共掺杂TiO2光降解甲基橙

采用溶胶-凝胶法制备了不掺、单掺和共掺杂纳米TiO2，对样品进行了XRD和UV-Vis吸收光谱分析，并以甲基橙的光脱色反应考察了样品的光催化性能。结果发现V^5＋拓宽了TiO2光谱响应范围，提高了光的利用率，产生更多的电子-空穴对；Ho^3＋的掺杂抑制了TiO2粒径的长大，引起了晶格的畸变和膨胀，延缓了光生载流子的复合；V^5＋、Ho^3＋共掺杂时，由于两种掺杂物的共同作用，可进一步提高TiO2的光催化性能。     

ZnS：Mn/PVP膜的合成及表征

采用聚乙烯吡咯烷酮（PVP）作为分散剂,乙醇和水作为溶剂,合成ZnS：Mn/PVP溶液,主要研究了ZnS：Mn/PVP溶液合成时,加热或不加热分别对膜的光致发光谱所产生的影响。实验结果表明,加热有助于Mn2＋在硫化锌基质中的掺杂。荧光光谱的发射峰在600nm附近,为锰的4T1→A61的跃迁发射峰,Mn2＋在ZnS中为分立发光中心。通过XRD测试发现,ZnS：Mn为立方晶型结构,平均尺寸10nm。通过荧光照片更直观地看到了ZnS：Mn/PVP的发光颜色,这种材料在光电材料方面有巨大的应用价值。     

Fe_3O_4@SiO_2@ZnO/ZnS纳米复合材料的制备及性能研究

选用Fe_3O_4@SiO_2@ZnO作为基体材料,采用一步硫化法成功制备出Fe_3O_4@SiO_2@ZnO/ZnS纳米复合材料.通过XRD、SEM、TEM和XPS测试表征手段证实了ZnO的表面已转化成ZnS,构建出ZnO/ZnS核壳结构.VSM测试结果表明,制得的Fe_3O_4@SiO_2@ZnO/ZnS纳米复合材料具有明显的超顺磁性,利于材料的回收再利用.在Fe_3O_4@SiO_2@ZnO/ZnS纳米复合材料的紫外-可见吸收光谱中,不仅观测到了ZnO和ZnS的特征吸收边,而且在可见光区域出现了明显增强的吸收边.通过对四环素的可见光催化降解实验,证实了Fe_3O_4@SiO_2@ZnO/ZnS纳米复合材料具有优异的可见光催化活性.     

1-形式β对旋转曲面生成Finsler球面的影响

在一类Minkowski空间（V^3,F=α＋β）中,利用旋转曲面φ的整体单位法向量场研究了1-形式β=biO^i对于φ的影响,得到了旋转曲面φ生成Finsler球面的一个充分必要条件：（b1）^2＋（b2）^2=0．     

222Rn/220Rn绝对测量小闪烁室的ZnS(Ag)涂层厚度确定

ZnS(Ag)涂层厚度会影响222 Rn/220 Rn绝对测量小闪烁室的探测效率.用241 Amα电镀参考源对厚度为10 mg/cm2的ZnS(Ag)涂层α探测效率进行了实验验证.分别采用解析方法与MCNP模拟方法计算了相对立体角修正因子,讨论了空气层对α粒子的吸收修正,分析了不确定度来源.实验结果表明,10 mg/cm2 ZnS(Ag)涂层对α粒子的探测效率在102.4%～103.1%之间,不确定度小于5.44%.在实验不确定度范围内,可认为其对α粒子的探测效率为100%.实验证明了222Rn/220Rn绝对测量小闪烁室内采用10 mg/cm2厚的ZnS(Ag)涂层是可行的.     

气相中Mo~＋与CS_2反应的理论研究

用密度泛函理论中B3LYP方法详细研究了Mo＋（6S,4d5,4G,4d5）与CS2的反应机理.为了得到更为准确的活化能和反应的能量,在B3LYP优化好的结构的基础上,用耦合族理论（CCSD（T））计算了各个驻点的单点能.计算结果显示,活化C-S键的反应机理为是插入-消出机理.反应Mo＋（6S）＋CS2（1Σ）→MoS＋（4Σ-）＋CS（1Σ）在反应过程中经过六重态-四重态势能面交叉,我们确定势能面交叉点（CP）.所有的计算结果都和已有的理论和实验值进行了比较.     

一类势满足反Ho1der不等式的抛物型薛定谔算子的L^P估计

主要研究算子α-△＋V是R^n＋1（n≥3）上的抛物型薛定谔算子,其中非零非负势V对q≥n/2属于反霍尔德类Bq．得到一类抛物型算子（α,-△＋V）^1/2V^1/2;在空间L^P（R^n＋1）的估计．