强流金属离子注入层的高分辨观察

用高分辨电镜可以看到强束流钇注入铝、铁注入银样品中析出的纳晶与基体之间相界清楚，界面附近原子排列连贯，没有过渡相，由于银和铁的结构特点，铁沉淀在单晶银中呈球形或棒形，并有各自的择估生长取向。     

强流金属离子注入分布的模拟计算

给出了一个计算强束流离子注入下杂质浓度分布的数学模型.利用有限差分法,给出了该模型的数值解及计算程序.用该程序对Mo,W等注入离子的浓度分布进行了数值计算,给出了部分结果并同实验结果进行了比较.     

使用金属蒸汽真空弧离子源的金属离子注入

用金属蒸汽真空弧离子(MEVVA)源注入金属离子,能以较低的离子能量而获得较厚的注层.掺杂浓度高,容易诱生金属间化物沉淀,是一种有工业应用价值的强流离子源.讨论了注入原子的状态和分布特征,说明了 MEVVA 源可能的使用前景.     

强流金属离子注入分布计算中的几个参数

利用强束流离子注入过程中杂质扩散的数学模型,研究了部分对浓度分布影响较大的参数、试图分析和理解用MEVVA源注入金属的复杂过程。发现靶温是影响杂质分布及穿透深度的主要因素,化学反应有正效应和负效应之分;相关系数是一个重要的物理量,它跟原子-靶材料的组合有关。     

前景广阔的辐射加工技术

介绍辐射加工技术在各个领域中的应用.     

难熔金属离子注入纯铝的相对浓度分布

报导大束流密度条件下Ｔｉ，Ｍｏ，Ｎｉ，Ｖ，Ｗ等难熔金属离子注入纯Ａｌ中的原子相对浓度分布和有关数据。简单讨论了束流加热及缺陷相关效应和化学反应对相对浓度分布形状的影响。     

前景广阔的血型转变技术

献血前对供血者作严格的血液生化试验,可以大大降低接触艾滋病和其它传染病的危险性。但这并不能完全避免受血者因输入错误血型的血而造成的医疗事故。因此,科学家考虑能否发明一种更安全的办法,采用化学方法使A型和B型红细胞转变为通用的O型红细胞,以便在不需做配血试验的情况下可将任何红细胞输入任何血型的患者。一旦这种技术创新获得成功,将可以纠正血型库存的不平衡,降低过期血液的报废量,并可降低血液分配成本。     

前景广阔的低温手术技术

细细翻看冷冻法手术过程中所拍摄的照片，简直不敢相信自己的眼睛：手术台上竟然堆满了雪。白雪覆盖下，隐隐露出患者的部分身体。如果避开室内的特殊陈设和紧张执刀的医生，给人感觉真像是发生了什么不测。     

具有广阔应用前景的RFID技术

有“智能标签”之称的RFID技术(自动天线识别和数据采集)，近年来闯入公众的视野，并且迅速发展起来。     

前景广阔的双向拉伸聚苯乙烯加工技术

双向拉伸聚苯乙烯（ＢＯＰＳ）是一种新颖的环保包装材料，可用于食品、医药品、服装、工艺品等包装领域。目前国内广泛使用的聚氯乙烯（ＰＶＣ）包装材料内含有氯乙烯单体，对人体有害，回收时还会造成二次污染。ＢＯＰＳ与之相比，不仅具有无毒、无味、透明度高（大于９０％），综合机械性能好等特点，而且成本低、易着色、易印刷、易成型，还可进行表面镀膜处理等。在西欧、日本等发达国家ＢＯＰＳ已完全取代了ＰＶＣ，而在我国ＢＯＰＳ的应用尚处于起步阶段，因此ＢＯＰＳ的应用开发潜力是巨大的。一、生产ＢＯＰＳ片材的配方１.母料：…     

高科技农业前景广阔

随着全球人口的急剧增加,在即将到来的21世纪,人类农业生产将面临严峻考验。为了解决这一问题,世界各国的科学家们纷纷在各自的研究领域各显神功,力图开拓未来农业发展的新路,他们的不懈努力,使我们看到了新世纪农业发展的前景。海水灌溉目前科学家们正在研究利用海水灌溉农作物的方法,他们一方面寻找既可以用海水灌溉又可以用作粮食的天然作物,另一方面利用咸土生长植物的基因改良现有甜土生长的作物,使之变成喜盐性海水的作物。据悉,美国的研究人员从1000多种抗海水浸泡天然作物中已经筛选出一种形状像海草的植物。它广泛分布于…     

微晶硅薄膜研究前景广阔

面对资源有限、能源紧缺的现实,开发新能源和可再生能源成为迫切任务。太阳能是清洁环保的可再生能源,利用半导体器件的光伏效应原理进行光电转换,发展光伏能源被     

前景广阔的转基因技术

进入新世纪以来,生物技术、克隆、转基因等这些新名词越来越多地见诸于报刊、杂志、电视等媒体,这些高科技新技术既是科学家们关注和研究的热点,也与人们所关心的人口爆炸、环境污染、食品安全等问题一起,成为新世纪的大众热门话题。     

转基因动物新品种培育技术前景广阔

为保障食品安全和农业可持续性发展，促进农业增效和农民增收，提高我国农业国际竞争力，我国已于2008年正式启动“国家转基因生物新品种培育重大专项”，并于2009年5月13日原则通过《促进生物产业加快发展的若干政策》。     

注入温度对氧注入制成的SOI膜质量的影响

选择不同的靶温进行高能大剂量氧离子注入,并进行了高温退火。利用离子背散射技术、透射电子显微镜和掠角 x 射线衍射分析样片,发现:低温下注入能产生非晶层,退火后有多晶硅生成。提高靶温能有效地减小损伤,特别是440℃注入的样片经过退火表面硅层很接近未注入硅片。