Penning阱中探测灵敏度与品质因数关系的定量分析

根据Penning阱探测离子的原理,对探测灵敏度与品质因数的定量关系进行了分析,得出了离子谱探测灵敏度与品质因数的平方成正比关系.     

Penning阱中离子谱的优化

根据Penning阱存储离子的探测原理,系统分析了阱内离子信号及信号本身的噪声、实验仪器及探测电路的噪声干扰,采用适当的品质因数、电子束流和载波振幅,得到较高信噪比和分辨率的离子谱.为深入开展Hn+(n≥3)离子的形成机制、离子与中性气体原子或分子碰撞过程等问题的研究创造了更好的条件.     

Penning阱离子谱分辨率的优化

根据Penning阱中存储和探测离子的原理,研究改善离子谱分辨率的有效措施,发现离子谱的分辨率与LC振荡回路的Q值、阱中离子的密度及LC回路的谐振频率有关.在本实验中,采用谐振频率为480kHz的LC回路,当Q在120左右,电子束流在40μA左右时,得到了较高分辨率的离子谱,为深入开展H+n (n≥3)离子的形成机制等问题的研究创造了更好的条件.     

阴离子Cl- NO-3 ClO-4对Pb2+/Ag UPD体系行为的影响研究

研究了 Pb2 / Ag欠电位沉积 (UPD)体系在不同阴离子 (Cl-,NO-3 ,Cl O-4)存在下的行为 .发现 Pb2 UPD峰电位随溶液中 Cl-离子浓度增加负向移动 ,而随溶液中 Pb2 离子浓度增加正向移动 ;NO-3 在银电极上不但有吸附而且有反应 ,但其吸附竞争力较 Cl-而言明显较弱 ;Cl-的诱导吸附有利于取得稳态条件下 UPD Pb的最大表面覆盖度 ;Cl O-4则未发现有明显的吸附行为 .     

Penning阱中品质因数的提高

在Penning阱中提高品质因数对得到较高探测灵敏度和分辨率的离子谱有重要意义,本文对提高品质因数的可行性进行了分析,找到了提高品质因数的方案．     

电子隧穿耦合双量子阱的结构设计及光学特性控制

结合实际半导体工艺设计一个导带中有3个子带能级的非对称双量子阱结构, 并利用束缚电子的有效质量薛定鄂方程计算了各子带能级的能量位置. 其中, 两个紧邻的激发态子带能级由于电子隧穿效应而相互关联. 当一个中红外波段探测光将基态能级同时耦合到两个激发态能级时, 可观测到一个中间夹很窄透明窗口的双峰结构吸收谱线. 在该量子阱结构上施加直流电场可改变两个探测跃迁上的电偶极矩比值, 进而有效控制两个吸收峰的相对高度和透明窗口内的色散曲线.      

乙醇在离子阱质谱中的反应研究

基于离子阱质谱的特殊结构和性质,对乙醇在阱内发生自身化学电离反应(SCI)进行了研究.探讨了乙醇不同进样量与生成产物碎片离子间的变化关系和反应机理.结果显示,阱内乙醇浓度较高时其分子离子加和产物丰度显著增加,这与乙醇分子的结构特点和离子阱结构的特殊性密切相关.同时,还探讨了乙醇离子阱质谱图与通常使用商品化NIST谱库比较获得匹配率低的原因,这在小分子化合物中具有一定代表性.     

Penning阱中离子谱的优化

根据Penning阱存储离子的探测原理，系统分析了阱内离子信号及信号本身的噪声、实验仪器及探测电路的噪声干扰，采用适当的品质因数、电子束流和载波振幅,得到较高信噪比和分辨率的离子谱。为深入开展Hn+(n≥3)离子的形成机制、离子与中性气体原子或分子碰撞过程等问题的研究创造了更好的条件。     

施加电场的单量子阱中束缚态的能级

超晶格由2种不同晶体材料交替生长的具有周期性结构的多层薄膜构成,2种材料的势垒-势阱结构就是量子阱.通过理想的无限深势阱模型,讨论了施加电场作用的超晶格中单量子阱束缚态的能级结构和态密度,得到了体系的本征能量与本征函数.分析表明:沿超晶格生长方向能量量子化,量子化能量构成了一系列子能带(微带);在电场作用下,超晶格量子阱能级向低能方向移动,施加电场不影响超晶格量子阱子能带的电子态密度.     

InGaAsP四元系量子阱材料的热稳定性

对与ＩｎＰ晶格匹配的ＩｎＧａＡｓＰ四元系量子阱材料进行了一系列热稳定性能的研究，通过光荧光谱（ＰＬ）的测量发现：ＩｎＧａＡｓＰ四元系量子阱材料在６５０ ℃以上的常规退火条件下有量子阱混合现象产生，而单量子阱结构较多量子阱或超晶格结构更容易产生量子阱混合．对单量子阱片进行快速退火处理后，荧光峰位置、峰宽无明显变化，表明量子阱混合的产生除了依赖于退火温度的高低，也与退火时间的长短密切相关．