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测量了Te溶液生长半磁半导体(SMSC) Cd1-xMnxTe的导电类型、电阻率、霍尔迁移率和光致发光(PL).测定结果表明,Te溶液生长Cd1-xMnxTe晶体质量和稳定性均优于布里奇曼长晶,根据正四面体配位晶场中Mn2+3d (4T1)能级出现在Cd1-xMnxTe禁带中的观点,分析了在0.85~1.5μm范围内红外透射光谱上存在吸收边的原因。 相似文献
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采用干燥的HCl气体,作为HCl热氧化的气体源,制成铝膜MOS结构,其固定氧化物电荷几乎为零,界面陷阱密度低于1×1010陷阱/厘米2-电子伏特,对于人为的异常高的(大约3×1013离子/厘米2)可动钠离子沾污,仍具有99.5%以上的钝化效率.讨论了达到这些性能的原因. 相似文献
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按金属与半导体接触的载流子输运理论,计算了n或p型InP的比接触电阻ρo值.计算结果以势垒高度φB自0.3~1.0eV,ρo与载流子浓度(1018~1021cm-3)关系用图表示出来.当退火温度小于350℃,3分钟退火Au与InP的φB并不改变.如退火温度大于350℃,则Au与n-InP在3分钟退火后形成差的欧姆接触,但对p-InP则只是势垒退化,即φB降低.这样合金化开始温度应在350℃左右.用本文实测及文献中发表的AuZn/p-InP的实验数据与理论计算进行比较,对目前p型InP欧姆接触工艺中存在的问题进行了讨论. 相似文献
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指数和在扩频序列设计中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
设p为奇素数,n、m、e、r是满足如下条件的正整数:n=em,1 ≤ r ≤ e-1,(r,e)=1,k是p次本原单位根,q=pm,J:z→ktrm1(z)是有限域Fq上加法特征.对任意a,b∈Fqe,定义指数和e(a,b)=∑x∈FqeJ[trmn(ax+bxqr+1)],其中trmn(°)表示从Fqe到Fq上的迹函数.文中求出了指数和e(a,b)的值,并讨论了该指数和在扩频序列设计中的应用. 相似文献
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本文用磁测量、差热分析等方法研究少量Nb对CoFeBSi非晶合金的影响.用铁磁共振方法研究表面磁各向异性及热处理对各向异性的影响.在(Co0.95-xFe0.05Nbx)74B18Si8非晶合金中,加入少量Nb(x=0,0.01,0.02,…0.06)以后,合金的晶化温度从560℃提高到595℃.非晶铁磁居里点从390℃降到240℃,饱和磁矩(σs)从74.5 G·cm3/g降到50.7 G·cm3/g(降低32%). 相似文献
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本文对电场增强离子迁移法制作的LiNbO3光波导[1]样品作了不同于已有分析方法[2,3]的X光电子能谱(XPS)分析,对不同模数正、负波导面上的Ag、Tl、Nb、O等元素进行了测定,并对波导层中所含的Ag、Tl离子进行了剖面分析.分析结果表明:电场增强离子迁移法制作的LiNbO3波导中,Nb5+没有变价.正波导面上Ag离子的含量随盐浴时间的延长而增加,而负波导面上则无此规律.剖面分析结果表明,Ag+、Tl+离子内迁的深度为500~2500(Å);正波导面的离子分布呈现一个台阶然后再以余误差分布下降,负波导面的离子分布为余误差分布;与光学测量计算结果比较,离子内迁深度不超过波导层的1/10. 相似文献
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本文证明了位置集L=GF(2m)、生成多项式G(z)=z2+az+b的二元Goppa码,除m为偶数并且S1=0,S3=a-1外,是准完备的.当m为偶数,那末不存在重量不大于3的矢量具有伴随式S1=0,S3=a-1;但至少存在一个重量为4的矢量具有伴随式S1=0,S3=a-1,此外,还给出L=GF(2m)、G(z)=z2+az+b的二元Goppa码的一个完全译码. 相似文献
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本文实验研究了Y1.2Gd1.2Ca0.6V0.3InxFe4.7-xO12(x=0,0.2,0.4,0.6和0.8)的磁性、铁磁共振和穆斯堡尔效应,并用Néel,Gilleo和Dionne理论分别计算了材料的饱和磁矩和居里点,结果表明实验与Gilleo理论(居里点)和Dionne理论(饱和磁矩)符合较好.由唯象理论讨论了铁磁共振线宽在3.6~17GHz频段内随频率呈线性增加的实验结果.由顺磁穆斯堡尔谱间接确定了V5+和In3+离子在四面体(d)和八面体(a)晶位的占位. 相似文献
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共沉淀法制得的磁性粒子经聚醚磷酸酯表面活性剂处理并分散于基液聚醚中,得到了稳定的聚醚基磁性液体,透射电镜分析表明磁性粒子在基液中分散良好,其粒径大多在8~12nm.磁性液体RE-Ⅲ(4πMs=0.0450 T)被应用于X-射线衍射仪的旋转阳极密封中,仪器已使用了两年多,在3000r/min条件下,真空度可达到2.7×10-5Pa左右. 相似文献