掠入射荧光XAFS研究(Ge4/Si4)5/Si(001)超晶格的结构

本文用掠入射荧光XAFS研究(Ge4/Si4)5/Si(001)形变超晶格的局域结构.超晶格中的Ge-Ge和Ge-Si第一配位键长分别为RGe-Ge=0.243 nm和RGe-Si=0.238 nm,与晶态Ge(RGe-Ge=0.245 nm)和共价Ge-Si键长RGe-Si=0.240 nm相比,其配位键长缩短了0.002 nm,表明Ge原子周围的晶格产生了扭曲,Ge-Ge配位数为1.8和Ge-Si配位数为2.2显然偏离了理论的配位数Ge-Ge为3和Ge-Si配位数为1.我们提出Ge和Si原子的位置交换模型来解释(Ge4/Si4)5超晶格的界面结构.     

Si—nipi超晶格电子结构温度效应的研究

我们计算了电子结构和其它的物理参数,对温度是很好地自洽的。用各向异性有效质量及局域密度泛函近似为框架,我们发现对电子亚带和有效带能隙的影响是明显的。     

(AlAs)_3(GeGe)_3(001)超晶格体内的自建电场

在(AlAs)_3(GeGe)_1(001)超晶格的LMTO-ASA能带计算的基础上,采用“冻结势方法”,计算了超晶格中各个分子层的平均键能E_和价带边E_,揭示了超晶格体内自建电场与界面电荷的关系。     

直接带隙硅基超晶格Ⅵ_((A))/Si_m/Ⅵ_((B))/Si_m/Ⅵ_((A))的设计

Si基光发射材料由于它具有与先进的Si微电子技术兼容和成本低廉的优势,是光电子集成(OEIC)工程应用的首选材料.但由于体材料Si属于间接带隙半导体,不可能成为有效的光发射体.如何设计具有直接带隙硅基材料,备受实验研究工作者和材料设计理论工作者的关注.本文介绍一种新的硅基超晶格Ⅵ(A)/Sim/Ⅵ(B)/Sim/Ⅵ(A)的能带结构计算.在密度泛函理论框架内,采用混合基从头算赝势法模拟计算表明,其中Se/Si6/O/Si6/Se及Se/Si6/S/Si6/Se超晶格具有相当理想的直接带隙特征,其带隙处于红外波段.预期这类新材料及有关器件会有优越的光发射和各种光学性能,其制作也可较方便地与硅微电子工艺兼容.预计该材料在信息光电子领域将有强大的应用潜力.     

机械合金化Fe_(60)Si_(40)体系的XAFS研究

利用XAFS技术研究Fe60 Si40 二元合金体系中Fe原子周围配位环境随球磨时间的变化 .结果表明 ,球磨过程中 ,首先发生晶态α Fe和Si的晶格较大的畸变和颗粒破碎 ,致使Fe和Si原子近邻配位的无序度增大 ,进而Si原子通过活化的界面向Fe晶格扩散 ,形成亚稳的Fe3 Si和Fe5 Si3 替位固溶体 .     

硅基超晶格Ⅵ(A)/Si6/SiO2/Si6/Ⅵ(A)的电子结构

硅的有效光发射是硅基光电器件研究的一个关键问题,因此一直受到广泛的关注.本文采用第一性原理对新的硅基材料Ⅵ(A)/Sim/SiO2/Sim/Ⅵ(A)(m=6,Ⅵ(A)=O,Se)的能带结构、态密度和电荷密度等进行了计算研究.通过改变掺入Ⅵ(A)族原子氧和硒的对比,分析了SiO2层、不同的Ⅵ(A)族原子以及它们与最近邻Si原子的相互作用对硅基材料电子性质的影响.研究表明,在局域密度近似(LDA)下,O/Si6/SiO2/Si6/O结构在X点存在准直接带隙的特征,而Se/Si6/SiO2/Si6/Se在Γ点存在很小的直接带隙.     

Te掺杂ZnSe/[(CdSe)_l(ZnSe)_3]_m超晶格荧光光谱

对垒区Ｔｅ掺杂浓度不同的ＺｎＳｅ／［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］ｍ短周期超晶格量子阱的稳态和瞬态荧光进行了实验研究，通过不同激发强度下逐级饱和过程测得ＺｎＳｅ垒区自由激子寿命为３５ｐｓ，［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］７阱区自由激子寿命为１７７ｐｓ，束缚在不同ｎ值的Ｔｅｎ束缚激子的复合寿命为０．５～１０ｎｓ．揭示了Ｔｅ掺杂浓度对能量传递、荧光波长和荧光寿命的灵敏的影响及其规律．     

Si/SiO_2和Si/SiN_x/SiO_2超晶格的能带结构

利用Kronig-Penney模型从理论上计算了Si/SiO2和Si/SiNx/SiO2多层膜结构中量子阱的能带结构,进一步分析了各亚层薄膜厚度对能带结构和有效质量的影响.结果发现,适当减少亚层的厚度都能使得纳米Si薄膜的带隙发生明显宽化.在Si/SiO2超晶格中,Si量子阱层带隙能量随着Si层厚度的变化符合EPL(eV)=1.6+0.7/d2关系,与我们的计算结果十分吻合.在Si/SiNx/SiO2超晶格系统中,可以通过控制各亚层厚度,尤其是Si和SiNx层厚度,均能够有效地控制发光.     

（GaAs）1（AlaS）1（111）超晶格能带结构的LMTO—ASA计算

用从头计算的LMTO-ASA方法计算(GaAs)_1(AlAs)_1(111)超晶格和体材料GaAs、AlA_3的能带结构,给出布里洲区对称点Γ、Z、D主要能带本征值的对称性标记和对应关系,结果表明,(GaAs)_1(AlAs)_1(111)能带与体材料能带有一定的对应转化关系,能带隙是直接能隙,在布里洲区Γ点。     

（PPN）2[Fe4S4（SPh）4]的合成及分子结构

（ＰＰＮ）_２［Ｆｅ_４Ｓ_４（ＳＰｈ）_４］的合成及分子结构黄静伟，王金枝，张鸿图，杨如，周明玉，万惠霖（化学系）铁蛋白是固氮酶的一个重要组成部分，它能键合两分子的ＭｇＡＴＰ，并在ＡＴＰ水解的驱动下，把从还原剂（Ｎａ。Ｓ。Ｏ。）输送过来的电子再传递给Ｍ...     

［Ag_2（α－Ph_2PPy）_2］_2（NO_3）_4的合成和晶体结构

ＡｇＮＯ＿３和ａ－ｐｈ＿２ｐｐｙ，（ａ－（Ｃ＿６Ｈ＿５）＿２Ｐ（ＮＣ＿５Ｈ＿５））在加有少量Ｈ＿２Ｏ＿２和ＮａＯＨ的Ｃ＿２Ｈ＿５ＯＨ水溶液中反应生成标题化合物的灰黑色晶体。属四方晶系，空间群Ｐ４＿１，ａ＝１．３００ｎｍ，Ｃ＝４．０７６ｎｍ，ｖ＝６．８８４ｎｍ￣３，Ｚ＝８，Ｄ＿ｃ＝１．６７ｇｃｍ￣（－３），Ｒ＝０．０５９，ｒ＿ω＝０．０７２．每一不对称单元中存在二套独立而结构基本相同的［Ａｇ＿２（ａ－ｐｈ＿２ＰＰｙ）＿２］￣２＋，它的二个Ａｇ原子和二个ａ－ｐｈ＿２ＰＰｙ中－Ｎ－Ｃ－Ｐ－桥的Ｎ，Ｐ原子联接成为一个稳定非共面八员环，而环内Ａｇ，Ａｇ间距分别是０．３１４，０．３ｌ０（ｎｍ），均未成键。不对称单元中的二个八员环通过的Ｏ原子与环上Ａｇ原子的弱成键而具有结构联系。环内还出现了罕见的三配位Ａｇ原子。     

Na_5Ho(WO_4)_4晶体的生长、结构及光谱性质

用助熔剂缓冷法培养出化学计量比的发光单晶体Na_5HO(WO_4)_4。该晶体属四方晶系,I4_1/a空间群,晶胞参数为a=11.437(?),c=11.336(?),c/a=0.991。测定了该晶体室温下的反射光谱、激发光谱及荧光光谱。观察到Ho~(3 )离子的~5S_2—~5I_8跃迁的强黄绿色荧光发射。     

Ag3[（C5H4N）NH2]4NO3的分子与晶体结构

Ag_3[(C_5H_4N)NH_2]_4(NO_3)_3晶体属斜方晶系,空间群p a=0.799 0(2)nm,b=1.675 0(3)nm,c=2.102 0(3)nm,结构精修到R=0.043,z=1.400,该络合物分子中配体氨基吡啶桥连两个银离子,处于二次轴特殊位置的银离子与四个氨基配位呈四面体构型,另一银离子则与吡啶和硝酸根配位呈少见的五配位结构。     

Au（PPh3）4ClO4的分子与晶体结构

近年来,不少AU(I)与单齿膦配体的络合物分子与晶体结构已被测定。本文中报道了一个四配位络合物Au(PPh~3)_4ClO_4的分子与晶体结构,该结构具有对称性高,构型多的特征。 合成方法 将Au(PPh_3)Cl 溶于乙醚形成饱和溶液,滴加KBH_4乙醇溶液至生成     

钨酸铕钠晶体晶格振动的群论分析和喇曼光谱

本文对新型激光晶体钨酸铕钠[Na_5Eu(WO_4)_4]的晶格振动进行了群论分析.给出了该晶体在(?)点晶体格振动的对称性分类.它们是:18Ag+20Bg+20Eg+20Au+18Bu+20Eu.其中喇曼和红外都是非活性的模为18Bu.声学模为Au+Eu,喇曼活性模为18Ag+20Bg+20Eg,红外活性模为19Au+19Eu.首次测量了该晶体不同几何配置的喇曼光谱,利用群论分析结果对谱图进行了识别和讨论.     

局部（F5）条件

本文提出了两指标随机过程理论中局部(F_5)条件的概念,它弱于(F_5)条件。在局部(F_5)条件下,未必每一鞅都是强鞅,但它仍然保证了每一L~1有界鞅都是a.s.收敛的。