微波烧结法制备WC-10Co硬质合金

以直接还原碳化方法制备的超细碳化钨-钴复合粉末为原料，采用微波烧结、放电等离子体烧结、真空烧结制备碳化钨-钴硬质合金，研究1200℃的烧结温度下，不同烧结方法对碳化钨-钴硬质舍金性能的影响。微波烧结超细WC-10Co复合粉末，在1200℃的烧结温度下保温7min，制备了综合性能优良的超细WC-10Co硬质合金，相对密度达到99．5％，洛氏硬度为HRA92．5，矫顽力为30．0kA／m，磁饱和度为83％，平均晶粒粒度≤350nm。与采用常规烧结方法得到烧结体相比，烧结时间显著减少，烧结体性能提高；与放电等离子体烧结相比，晶粒异常长大得到-定的控制。     

基于工业总线烧结区间控制系统的设计与实现

传统流程的铁矿粉烧结如何实现低消耗、低成本、优质、高产、高效率，是当前烧结生产面临的重大课题，针对烧结生产工序间相互衔接的复杂生产系统下难以确定烧结机操作优势区间控制的难点，建立基于工业总线烧结机操作区间控制系统，在线采集了烧结生产的一些关键工艺参数，并结合烧结生产的其它相关历史参数，用3σ剔除理论对参数进行处理，同时用μ分布检验确定烧结机操作的最佳优势区间，揭示烧结生产工艺参数与烧结指标的内在联系，实现烧结过程各参数的优化控制。     

ZnO压敏陶瓷次晶界及其对陶瓷性能的作用

研究了在烧结过程中，烧结温度与等温烧结时间对ＺｎＯ晶粒中次晶界的影响及次晶界对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的作用，结果发现随烧结温度升高、等温烧结时间延长，次晶界趋于消失，次晶界的存在将增大ＺｎＯ晶粒的电阻率、削弱ＺｎＯ压敏陶瓷的脉冲能量吸收能力。     

烧结过程控制专家系统(Ⅰ)─—系统总体控制方案和系统总体结构

为了提高我国烧结生产过程控制水平，作者将数学模型与人工智能相结合，建立了烧结过程控制专家系统，并应用于烧结生产过程的离线控制，取得了较好的效果．本文着重分析烧结过程及其控制的特点，研究烧结过程的总体控制方案以及烧结过程控制专家系统的总体结构．     

镍和锡金属粉末烧结特性的研究

对镍粉和锡粉烧结形成金属间化合物的过程、结构特征以及烧结体的性能特点进行了研究。结果表明，镍和锡混合粉经混合、100kN预压、300kN温压成型后，于100℃烧结、保温15h工艺条件下，形成了Ni3Sn2，Ni3Sn，NigSn4和NiSn金属间化合物；随着烧结温度的提高和保温时间的延长，镍和锡混合粉烧结体的密度和硬度都呈上升的趋势。     

烧结气氛对ZTM／SiC陶瓷致密化的影响

ＺＴＭ／ＳｉＣ陶瓷基复合材料的致密化取决于烧结温度、烧结压力和烧结气氛。本文主要研究烧结气氛对ＺＴＭ／ＳｉＣ陶瓷致密化的影响。实验结果表明：该陶瓷不能在空气中实现常压烧结，而在气氛保护下实现了常压烧结致密化；中性或弱还原性气氛可该复合陶瓷的烧结温度，提高致密化速率，改善陶瓷材料性能，另，还从理论上分析了烧结气氛在该陶瓷致密化过程中的作用。     

SiC纳米包覆颗粒烧结行为的分子动力学模拟

碳化硅(SiC)制备在核燃料研究中具有重要意义，例如新型事故容错核燃料采用SiC作为关键基体材料。研究SiC纳米包覆颗粒的烧结行为对优化新型核燃料基体材料制备工艺具有指导意义。该文根据纳米颗粒熔点变化规律，验证了Tersoff势函数进行SiC分子动力学模拟的可行性和模型参数的准确性；考察了纯相SiC、富硅(SiC@Si)和富碳(SiC@C)这3种典型SiC纳米颗粒的烧结演化过程；并对烧结过程进行了定量描述，通过烧结颈生长、能量演变和原子扩散等参量分析了烧结机制，重点关注包覆层结构对SiC烧结行为的影响，从而获得包覆颗粒烧结机理。研究结果表明：包覆层的原子扩散性会促进颗粒原子整体迁移，从而加速整体烧结行为。SiC@Si颗粒比SiC@C颗粒更易发生包覆层原子扩散，因而SiC@Si颗粒更易发生烧结；较低的加热速率在一定程度上有利于烧结进行，但并不影响包覆颗粒的原子扩散模式。研究结果对SiC纳米颗粒烧结机制给出了定量解释，有助于理解SiC烧结制备过程的规律。     

ZnO压敏陶瓷反射光谱的研究

利用简便的粉末反射光谱法，测量了不同烧结温度下ZnO压敏陶瓷的反射光谱，并对其影响机理进行了探讨．研究结果表明，同纯ZnO相比，压敏陶瓷反射光谱吸收边发生红移，红移量随烧结温度的提高而增大；吸收边斜率随着烧结温度升高而变小．吸收边的变化是烧结过程中ZnO晶粒表面包覆程度和元素相互扩散随温度变化的结果．高温烧结的试样在波长为566nm、610nm、650nm处存在光反射谷，反射强度随烧结温度升高而降低．烧结过程中形成的界面层缺陷是反射谷形成的主要原因，缺陷类型与温度变化无关，浓度随烧结温度的升高而增大．     

ZnO压敏陶瓷次晶界及其对对陶瓷性能的作用

研究了在烧结过程中，烧结温度与等温烧结时间对ＺｎＯ晶粒中次晶界的影响及次晶界对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的作用，结果发现随烧结温度升高，等温烧结时间延长，次晶界趋于消失，次晶界的存在将增大ＺｎＯ晶粒的电阻率、削弱ＺｎＯ压敏陶瓷的脉冲能量吸引能力。     

高钙赤铁矿烧结的矿物特性、冶金性能及相结构演变

为了研究高钙赤铁矿的烧结特性，采用了化学分析、激光衍射、扫描电镜、X射线衍射和微型烧结等方法和手段分析了其矿物学特性，并设计烧结杯试验探究其与国产磁铁精粉的混合烧结行为，最后采用灰色关联数学模型计算和比较了不同高钙赤铁矿含量下的综合烧结性能。结果表明，高钙赤铁矿粒度较粗，所含Ca元素以方解石（CaCO₃）的形式存在，具有较强的自熔特性且自熔产生的液相结晶形态较好。在烧结过程中添加20wt%的含量后，能够提高利用系数、减少固体燃料消耗、提高烧结矿还原性指数和改善高炉的透气性指数的幅度分别为0.45 t/(m2·h)、6.11 kg/t、6.17%和65.39 kPa·°C。与全磁铁精粉烧结过程相比，高钙赤铁矿烧结还可以提高烧结烟气的热值，有利于烟气回收热量并进行二次利用。随着高钙赤铁矿含量的增加，烧结混合料在成矿过程中的聚合方式由以液相粘结为主转变为局部液相粘结伴随着铁氧化物连晶的共同作用。根据灰色关系模型的计算，在0–20wt%的配比范围内，高钙赤铁矿含量增加对烧结经济技术指标与烧结矿冶金性能综合表现的提升是有利的。     

牙科全瓷材料的微波烧结研究

作者采用微波烧结技术研究了纳米牙科全瓷材料的烧结工艺与性能，结果表明：微波烧结高纯α-Al2O3全瓷在1600℃的温度下保温l0min时，可达到99．0％的相对密度；且与传统烧结相比，其烧结温度降低，烧结时间大幅度缩短，烧结前后晶粒尺寸变化很小．与设计的助热保温结构相结合，可成功地对Al2O3全瓷进行烧结，由此建立的加热系统加热效率高，结构简单，操作方便。     

Ti(C,N)基金属陶瓷烧结性能及其组织的研究

研究了温度与碳含量对Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）基金属陶瓷烧结性能及组织的影响，研究结果表明：材料的抗弯强度对烧结温度最敏感，而密度、硬度、平均线收缩系数对烧结温度的敏感性依次递减；材料中碳粉含量增加时，会使其烧结温度明显降低，当添加量为２．２％时，金属陶瓷组织中会出现石墨相，使材料的抗弯强度下降．     

一种烧结铁基合金Fe-Cr-Mo-Ni-Co-C的热致密化过程

利用金相、扫描电镜和密度测试等方法研究Fe-Cr-Mo-Ni-Co-C合金的致密化过程，烧结过程中烧结密度与压实密度的关系，烧结致密化过程中孔隙的变化规律与烧结体积的收缩规律。通过研究舍金烧结体积的收缩规律，提出临界压坯密度的概念，并从理论上推导出临界压坯密度计算方程。研究结果表明：合金中的孔隙主要有2种类型，即粒径为30μm左右的大孔隙和粒径在10μm以下的小孔隙，这2种孔隙分别由生坯中的2种主要间隙在烧结过程中演变而成。     

烧结温度对细晶粒Ti(C,N)基陶瓷组织和性能的影响

采用真空烧结工艺制备超微、纳米复合Ti(C，N)基金属陶瓷．研究了烧结温度对超微、纳米复合Ti(C，N)基金属陶瓷的显微组织、性能的影响，并用SEM观察试样的断口形貌．结果表明，随着烧结温度的升高，陶瓷材料的显微组织逐渐变得均匀致密，晶粒长大不明显，环形相逐渐变得完整；当烧结温度超过1450℃，晶粒会明显长大，环形相变厚、变脆，导致材料的性能下降．进一步分析表明，超微和纳米复合Ti(C，N)基金属陶瓷的最佳烧结温度分别为1410℃、1450℃．     

论烧结钕铁硼生产工艺过程监控的方法

该文根据作者在公司多年从事生产烧结钕铁硼产品实践的工作体会，具体讲述了烧结钕铁硼生产，用电脑服务器全程跟踪关键工艺的生产过程，从而达到提高烧结钕铁硼的产品质量、及工艺控制质量，降低生产成本，最终达到优化生产。     

多孔SiO2及SiO2＋MO催化剂载体的烧结行为研究

运用表面积测定，孔径分布，晶相检测等仪器分析方法对作为催化剂载体的多孔ＳｉＯ２的烧结行为进行了考察．发现非晶ＳｉＯ２微细颗粒在６００℃～７００℃间即开始烧结；在恒定温度下，烧结过程并非匀速，而是分成不同的快速烧结阶段．烧结后比表面积减小，但平均孔径增大．加入碱土金属氢化物ＭＯ后，原ＳｉＯ２的表面积减小，烧结后表面积的损失更大；相比而言，加入ＭｇＯ对比表面积影响较小，而加入ＢａＯ则影响较大．对第一快速烧结阶段建立了速率方程；运用分型几何模型理论较好地解释了不同快速烧结阶段问题以及与之相应的不同半径微孔收缩封堵的关系．对于烧结过程中的伴随现象亦进行了探讨．     

煤矸石保温材料烧结过程动力学研究

煤矸石保温材料的烧结过程是其制备工艺的关键。本文通过对其烧结模型的假设，导出了描述烧结过程扩散传质的传递动力学方程，并分析了影响烧结过程的几个主要因素。图３，表１，参５。     

甲酸处理的纳米铜无压烧结性能及高温老化研究

介绍了一种基于甲酸铜高温分解反应的纳米铜无压烧结工艺，旨在解决现有铜烧结技术中铜易氧化且需要辅助压力的问题。通过甲酸溶液对纳米铜颗粒（Cu NPs）进行预处理，生成致密的甲酸铜膜，经烧结后最终形成Cu-Cu接头。接头烧结质量试验表明，甲酸反应时间10 min、聚乙二醇（PEG）溶剂、0.048 mm砂纸打磨基材表面以及5℃/min的升温速率为最优烧结条件。在该条件下，实现了纳米铜无压烧结，制备的接头剪切强度可达16.18 MPa，电阻率低至570μΩ/m。经过200 h高温老化实验，接头的剪切强度仍可达到9.38 MPa，验证了该烧结工艺的可靠性。文中所提出的工艺为实现第三代半导体芯片的可靠互联提供了新思路。     

α－FeOOH脱水过程后期的封孔机制

采用Ｇｅｒｍａｎ和Ｍｕｎｉｒ提出的烧结动力学，对文题进行了研究。结果表明，在α－ＦｅＯＯＨ分解成ａ－Ｆｅ２Ｏ３的过程中，随着温度升高，产生的孔洞通过颗粒内部的晶核表面扩散的烧结机制逐渐消失。对于包敷ＳｉＯ２的样品，相应的烧结活化能增加。当焙烧温度太高，会出现颗粒之间彼此烧结，并且未包敷的样品更易烧结。     

快速成型加工方法中的误差研究

首先研究了国内外快速成型技术的现状和发展趋势，其次采用理论分析和试验的方法，研究了激光烧结参数对加工精度的影响，通过对试验数据的分析研究，探讨了烧结制件中出现的几种缺陷的形成原因，得出了一些影响烧结制件精度的规律，并提出了减少烧结缺陷的措施和方法，这对激光烧结成型工艺的应用有一定的指导意义。