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随着市场经济的快速发展和信息交流的日益增多,程控交换机的地位和作用就显得越来越重要,程控交换机一旦发生故障,通讯将陷于瘫痪状态。因此,加强对程控交换机的管理和维护就显得十分重要,本文,笔者从程控交换机的管理和维护这2个方面进行了阐述。 相似文献
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李星华 《湘潭大学自然科学学报》1994,16(2):79-84
本文以NEAX2400IMS型、E10B型和ISDX型数字程控交换机为例,分析了程控交换机的特性和功能,论述了第三代数字程控交换网的结构、时隙交换的原理和实现两地用户通话建立的过程,并对引进设备的消化、选型以及维护终端显示西文汉化等问题进行了探讨. 相似文献
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基于IR2113的静电高压直流电源电路设计 总被引:1,自引:0,他引:1
利用IR2113器件设计半桥驱动静电除尘高压电源,电路结构简洁、性能可靠;输出级采取无电感形式的电压输出叠加方式,特别适用于静电除尘场合吸尘电极肥大的工况使用. 相似文献
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金青 《河海大学常州分校学报》1997,(2)
产品外观造型不同于艺术造型,它的第一功能是满足功能要求,其次为满足艺术形象和经济性的要求.当今,人们越来越追求外观造型的美感.本文以程控交换机的外观结构设计为例,详细分析和讨论了其外观造型特点、基本方法和思路,并在一定程序上反映了目前程控交换机外观设计的概况和流行趋势. 相似文献
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采用密度泛函理论(DFT)在B3LYP/6-311+G(d)水平上,对双核镉配聚物1[Cd2Cl4(Hbm)2](Hbm=1 H-benzimidazol-2-ylmethanol)及其5种衍生物([M2Cl4(Hbm)(Hbm-R)]M=Zn2+,Hg2+;R=-CH3;-NH2;-CN)的荧光光谱的发光机理进行了研究.对其基态结构进行全优化,用含时密度泛函理论(TD-DFT)在B3LYP/6-311+G(d)水平上计算其吸收光谱;同时采用CIS/6-31G(d)方法优化其最低激发单重态S1的几何结构,并用TD-DFT计算其发射光谱.结果表明,电子在基态S0与激发态S1间的跃迁,主要是在卤素配体到金属离子之间的电荷转移;模拟的吸收光谱和发射光谱峰的计算最大值与实验值基本吻合.改变中心金属离子和咪唑环上的取代基可以调控发光材料的光谱波段.此外,运用密度泛函活性理论(DFRT)研究了它们的电子结构和反应活性,发现金属离子的亲电福井指数与分子的发射光波长存在较好的相关性,相关系数(R2)达0.993.这些结果将对苯并咪唑类电(光)致发光材料的分子设计以及其他电致发光材料的分子模拟提供有益的启示. 相似文献
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二阶特殊矩阵空间保幂等的映射 总被引:4,自引:2,他引:2
设F1是特征不为2、3、5的域,F2是特征不为2的域,M2(F1)记F1上2×2全矩阵空间,S2(F1)记F1上2×2对称矩阵空间,T2(F2)是F2上2×2上三角矩阵空间.确定了从S2(F1)到M2(F1)以及从T2(F2)到T2(F2)保幂等的映射形式. 相似文献
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设F1 是 特 征 不 为2、3、5的 域 ,F2是 特 征 不 为2的 域 ,M2(F1)记F1上2×2 全 矩 阵 空间,S2(F1)记F1上2×2 对称矩阵空间,T2(F2)是F2上2×2 上三角矩阵空间.确定了从S2(F1)到M2(F1)以及从T2(F2)到T2(F2)保幂等的映射形式. 相似文献
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随着电力变压器的应用范围越来越广,对变压器的日常维护也显得尤为重要。本文主要以S9变压器为例,分析变压器日常维护中的常见问题以及故障处理的方法。 相似文献
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调度电话指挥系统是城市轨道交通对列车运行、电力供应、日常维修、防灾救护等进行透明指挥、集中控制的专用通信系统:该系统集计算机网络、程控路交换机、数据库管理于一体,在一定程度上体现了通信新技术的发展,实现了城市轨道交通调度指挥手段的科学化、现代化。系统要求迅速、直达, 相似文献
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用高频熔炼的方法配制了三个稀土金属间化合物即 (K ,M ,N) .采用X射线衍射法测定了它们的晶体结构 ,结果表明 :K(NdAl1 .75Si0 .2 5)属于立方晶系 ,点阵参数a =7.986× 10 - 1 0 m ;化合物M(NdAl2 Si2 )和N(NdAl1 .2 5Si0 .75)是六方晶系 ,其点阵参数分别为a =4.2 3× 10 - 1 0 m、c =6.71× 10 - 1 0 m ,N和a =4.2 76× 10 - 1 0 m、c =4.2 0 4× 10 - 1 0 m . 相似文献
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讨论2 X2对称矩阵空间S2到2×2全矩阵空间M2上保持立方幂等的映射形式.设φ:S2→M2,如果对任意矩阵A,B∈S2及数λ∈C有A-λB为立方幂等阵当且仅φ(A)-λφ(B)为立方幂等阵,则存在可逆阵P∈M2及数ε∈{1,-1}使得对任意的A∈S2有φ(A)=εPAP-1. 相似文献
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电容器电容的计算是电磁理论的重要内容,是大学物理课程中的教学重点和难点.采用高斯定理法和修正拉普拉斯方程法对平行板电容器电容进行求解,给出C=ε_r((ε_0S)/d)的条件并计算了填充2种不同ε_r电介质后的电容.结果表明,在均匀、线性、各向同性电介质中,介电系数ε为常数,平行板电容器的电容满足C=ε_r((ε_0S)/d);在非均匀、线性、各向同性电介质中,介电系数ε_r(x)为标量函数,平行板电容器的电容C≠ε_r((ε_0S)/d).在平行板电容器中填充2种不同ε_r电介质后,总电容相当于2个电容器串联. 相似文献
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设F是特征不为2,3,5的任意域。令M2(F)是F上2×2全矩阵空间,S2(F)是F上2×2对称矩阵空间,T1及T2分别表示S2(F)及M2(F)中所有立方幂等阵的集合。Φ(F)表示从S2(F)到M2(F)所有单射φ的集合且φ满足:A-λB∈T1φ(A)-λφ(B)∈T2.给出Φ(F)中φ的形式。在此基础上又得到了S2(F)到自身相应的映射形式。 相似文献
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本文采用往复区熔法生长了掺杂 Sb I3的 ( Bi2 Te3) 0 .90 ( Sb2 Te3) 0 .0 5( Sb2 Se3) 0 .0 5赝三元 n型半导体温差电材料 ,测定了晶棒轴向温差电性能 .所制备的质量为 2 0 0 0 g,直径为 33mm的 n型晶锭 ,6 0 %左右可利用部分的温差电参数分布为 :温差电动势率 α=2 0 9~ 2 0 6 μV/K;电导率 σ=935~ 1 0 30 /Ω.cm;热导率K=1 .5 2~ 1 .5 5 W/( m· K) ;温差电优值 Z=2 .6 9~ 2 .84× 1 0 - 3/K. 相似文献