彩色等离子体显示器(PDP)驱动电路技术

研究所简介西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室专门从事平板显示器件研究与开发。1996年以来一直从事彩色等离子体显示器件(PDP)与技术的研究与开发工作。现有平板显示器件工艺实验室600平方米,平板显示器件驱动电路实验室200平方米。“九五”期间,完成了国家重点科技攻关项目“彩色等离子体显示器件的设计及实用化关键技术的研究”,在国内率先研制成功21英寸640×480彩色PDP样机,达到90年代中期国外技术水平。     

彩色等离子体显示器智能接口电路的研究

提出了可自动识别信号制试和格式的彩色等离子体显示（PDP）接口电路和实现方法,该电路可智能识别并适应常见不同分辨率的VGA信号格式和NTSC、PAL等两种电视制式,其音频处理部分支持最新的丽音标准,带有杜比Pro Logic处理功能。研究和实验结果发现,本接口电路应用于54cm和107cm彩色PDP的图像显示效果均很好,完全达到了实用化的程度。     

彩色等离子体显示器准备期动态修正技术

开发了一种彩色等离子体显示器的新型准备期动态修正技术,具有高对比度、低能量寻址、消除动态假轮廓(CLEAR)的特点,利用输入图像灰度的加权平均值与预置的灰度阈值比较,动态地调整准备期在1场中的位置,使动态调整后的灰度值能够更加真实地反映输入图像灰度的分布情况.同时,利用相邻两场采用不同子场编码与准备期动态修正相结合的改进技术,大幅度增加了显示灰度级数目.仿真结果表明,准备期动态修正CLEAR技术在消除动态假轮廓的同时,增强了对低灰度级图像的显示能力,并且最大限度地提高了整幅图像的显示质量.     

彩色等离子体显示器动态低灰度级增强技术

开发了一种利用反γ修正子场编码增强彩色等离子体显示器(PDP)动态低灰度级图像的技术.该技术基于灰度平均分配算法,通过输入灰度级的非均匀分配、低灰度级单独分配、反γ曲线低灰度级部分指数项的修正等3项改进技术对反γ修正子场编码进行校正,有效地增加了显示的动态低灰度级数目,在保证整幅图像显示效果的同时增强了彩色PDP对低灰度级图像的显示能力.该技术还可根据输入图像的灰度分布特点动态指定所要增强的灰度级范围,增强了算法的灵活性.仿真结果表明,当输入图像为0~255级灰度时,采用新技术可使输出灰度级在0~60的图像单元占全部图像单元的最高比率达到26.8%,是单纯使用反γ修正技术时的6.2倍.     

改善彩色等离子体显示器动态假轮廓的动态复合寻址技术

开发了一种改善彩色等离子体显示器动态假轮廓的新型动态复合寻址技术．该技术基于寻址与显示分离技术，将对产生动态假轮廓起重要作用的权值较大子场拆分为若干个权值较小的子场，并对拆分的子场使用累积发光的寻址方式，利用输入图像灰度统计与预置的灰度阈值比较，动态地确定拆分子场的使用情况，在不影响图像显示亮度的情况下有效地减小了动态假轮廓现象．同时，利用拆分多个子场、设置多阈值、增加子场数目、使用遗传算法修正编码、联合方式等改进技术，充分发挥子场数目多、子场冗余、拆分子场的特点，进一步减小了动态假轮廓．仿真结果表明，改善动态假轮廓的新型动态复合寻址技术有效地减小了动态假轮廓现象，并最大限度地提高了整幅图像的显示质量．     

一种提高等离子体显示器分辨率和亮度的驱动技术

针对采用寻址与显示分离技术的传统彩色PDP应用于高清晰度显示时存在分辨率和子场数目的提高将导致亮度降低的问题，提出了一种新的复合型驱动方法，该方法采用电极等间距排列的PDP屏以及偶数行对奇数行图像数据的复制，将一帧图像分奇偶场交替显示，克服了传统PDP屏存在不发光电极间隙的缺点，使PDP屏所有电极间隙交替放光，提高了彩PDP的高度和分辨率，同时增加了子场数目，该方法还具有制屏工艺改动不大和电路成本无明显增加的优点，测量结果表明，采用复合型驱动技术的PDP，其峰值亮度可达到450cd/m^2.     

等离子体显示技术在大屏幕电视中的应用

随着低压寻址技术的发展以及驱动电路集成化的提高及全色图象技术的进步,等离子体显示器制造技术已在新一代薄型壁挂式电视中崭露头角.目前,全色平板式显示技术唯一商业化的应用是液晶显示技术(LCD).利用薄膜晶体管的排列来控制液晶材质晶向的AM-LCD可提供全运动彩色视频信号所需的响应时间和色饱和度.AM—LCD技术最初是用于2英寸和3英寸便携式电视显示.之后,生产厂商又为计算机开发了9.5英寸和10.5英寸的显示器,现在又开始生产12英寸显示器.     

电极等间距排列的等离子体显示屏及其驱动技术

采用寻址与显示分离(ADS)技术的传统彩色等离子体显示器(PDP)应用于高清晰度显示时，分辨率和子场数目的提高将导致亮度降低。采用电极等间距排列的PDP屏，介绍了重复行(LR)驱动方法和交替表面发光(ALIS)驱动方法，并提出一种新的复合型驱动方法，同时提高了彩色PDP的分辨率、子场数目和亮度，测量结果表明，峰值亮度达到450cd/m^2。     

等离子体增强技术在镀铜玻璃衬底上低温制备GaN薄膜

以三甲基镓(TMGa)和氮气(N_2)分别作为镓和氮反应源,采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术在镀铜玻璃衬底上沉积出氮化镓(GaN)薄膜,采用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)测试手段,表征分析TMGa流量对GaN薄膜的结晶性能、光学性能及表面形貌特性的影响。结果表明,TMGa流量对所制备的薄膜性能的影响很大, TMGa体积流量为1.4 mL/min时,GaN薄膜具有较强的c轴择优取向和良好的表面光滑度,晶粒较大且均匀,室温PL光谱显示在354 nm处有较高强度的光致发光峰,因带隙调制而产生光学带隙的蓝移。