基于闪存K9W8G08的研究和应用设计

闪存因其密度高，控制灵活，可靠高等优点越来越广泛的应用到各个领域。本文首先介绍常用闪存的主要特点，并以Samsung公司的高密度闪存K9W8G08为例介绍其特性以及其在CCD相机系统中的应用设计。     

基于闪存的操作系统研究

目前,基于Flash闪存的Flash Disk正得到众多的计算机用户喜爱,不仅各种USB接口的闪存盘越来越多,CF卡、SD卡等闪存介质的存储卡更是琳琅满目。由于闪存具有价格低廉,携带方便等优点,目前普及率很高,相比传统硬盘,闪存有明显的优势。利用闪存介质来安装操作系统无疑是理想选择。     

北理工携手东芝培养NAND型闪存开发人才

3月24日北京理工大学与东芝集团在京签署了NAND型闪存领域合作协议。根据协议，东芝将于今年4月开始派讲师给该校大四学生以及研究生讲授NAND型闪存知识课程9月双方在北理工成立共同实验室，进行NAND型闪存应用开发研究；随后将举办NAND型闪存应用产品的设计大赛，实施实习生计划，以及开展更为广泛的合作项目。北京理工大学副校长杨树兴在签约仪式上表示，     

闪存：轻松移动信息：通过对电子的操纵、保留、删除或读取数据

拇指大小的usB存储器以及单手便可掌控的音乐播放器中，都内置有“闪存”。存储器的容量日益增大，与此同时，其价格也不断降低。下面我们就来看看闪存的构造。     

高速USB 2.0与闪存技术的探究

基于USB2．0闪存以其良好的特性赢得了人们的青睐。介绍了USB的组成、通信模式、特点和讯框技术，阐述基于USB2．0闪存类型、传输构架和数据暂存与交换技术等数据传输机理。     

非挥发存储器的新时代

闪存作为第一种成功的可擦写的非挥发存储器，已成为手机、数码相机以及PDA等断电后仍要求保存数据的众多没备的酋选器件。闪存芯片占有极大的市场份额——150亿～170亿美元。     

NAND闪存物理特征测试平台设计

设计了基于现场可编程门阵列(FPGA)的快速、准确且可扩展的自动化闪存测试平台,测试平台由主机图形用户界面(GUI)、FPGA控制器和NAND闪存子板组成,通过更换测试座可以适配不同封装和不同类型的NAND闪存芯片,一个FPGA控制器可同时完成8块闪存芯片测试.实验结果表明:当编程/擦除(P/E)操作重复100次时,16 MiB的多层单元闪存(MLC)块测试时间为146 s,8个闪存芯片块的测试时间为188 s.对于常见的闪存芯片,1 d内可完成一个闪存块的耐力测试.原始错误比特数、擦除时间和编程时间随着闪存寿命有规律地变化,读取时间与闪存寿命无明显关系.测试结果符合闪存原理特性,表明测试平台快速有效且并行性高.     

Dual-FTL:一种基于MLC/SLC双模闪存芯片的闪存转换层

为了解决多级单元(MLC)闪存相对于单级单元(SLC)闪存写入性能低和擦除寿命短的问题,提出了一种基于MLC/SLC双模闪存存储芯片的闪存转换层Dual-FTL.利用MLC/SLC双模闪存芯片的双烧写模式,Dual-FTL将闪存空间分为容纳热数据的小容量SLC区域和容纳冷数据的大容量MLC区域.同时,Dual-FTL提出了识别数据冷热度的方法,并可以根据负载变化动态调整策略参数.实验结果表明,Dual-FTL可以让MLC/SLC双模闪存在一半的比特成本下提供和SLC闪存相似的性能和使用寿命.     

基于USB闪存的嵌入式XP操作系统的开发及应用

基于USB闪存对XPE（Windows XP Embedded）嵌入式操作系统进行了开发试验研究,实现了从USB闪存上启动XPE嵌入式操作系统,总结了以USB闪存为存储介质开发Windows Embedded操作系统的一般方法和优越性。     

基于FPGA的PCIe SSD设计与实现

为满足大数据时代数据密集型应用日益增长的存储需求,设计与实现了一个高性能固态盘原型系统。该固态盘以闪存为存储介质,与主机通过PCIe接口进行通信,主控逻辑基于FPGA实现。在FPGA内部实现了PCIe接口模块、缓存控制器、闪存转换层和闪存控制器。介绍了PCIe接口、闪存转换层和闪存同步控制器等模块的设计与实现。测试结果表明,该固态盘原型系统写带宽达到2.6GB/s,读带宽达到2.93GB/s,读写IOPS(input/output operations per second)达到300 000,能够满足高带宽高吞吐率的存储需求。     

基于分离日志的闪存数据库系统存储管理方法

闪存在企业级计算环境中的不断应用使闪存数据库成为一个新的研究热点.针对数据库数据更新的特点以及已有闪存存储管理方法的不足,提出了一种新的基于分离日志的闪存数据库系统存储管理方法(OPL).OPL方法通过提高日志页的空间利用率来减少闪存写操作和擦除操作数量,从而提高数据更新性能,该方法还提供了对事务恢复的支持.     

三星发布18Gbit闪存

三星近日表示，他们首先开发出了16Gbit的NAND型闪存芯片。该芯片使用了50纳米制程．它在这场闪存密度竞赛中，创下了一个新记录．令32GByte的闪存卡的出现成为了可能。     

闪存微控制器性能增高 实现最佳技术功能特点——爱特梅尔又添新宠

日前，爱特梅尔公司（Atmel Corporation）推出基于ARM9的AT91 SAM9XE系列产品，集成了性能达200MIPS的ARM926EJ-S^TM处理器核与512K字节高性能片上闪存的第一代单芯片闪存微控制器。新产品实现了前所未有的性能和功能集成度，适合空间有限但要求高性能的应用。     

高密度多电平闪存信道参数估计算法

在NAND闪存中,数据的持久性干扰是NAND闪存信道的主要干扰源之一,会改变阈值电压的分布并降低闪存数据的可靠性。另外,LDPC译码性能非常依赖阈值电压分布,所以,有必要对闪存信道或阈值电压分布进行估计。为此,本文利用参数估计算法来估计阈值电压分布的均值和标准差提出一种NAND(non-volatile memory device)闪存阈值电压分布估计算法。首先,利用高斯混合模型对闪存信道进行建模,并把优化问题变成最小欧几里得距离问题。但是在闪存信道中,该优化问题不是凸问题。所以,本文结合闪存中持久性干扰的特点来对优化问题进行简化成凸优化问题。仿真实验显示所提的估计算法能够达到较高的精度。     

百度拆除硬盘代以闪存

百度日前宣布，公司原先承载全球检索及索引存储的运算集群中的硬盘已全部拆除，由闪存及配套技术全面代替。据介绍，百度此次对存储介质的大规模调整经过了两年的产品技术研发及测试准备。在将自行研发的海量闪存卡及配套技术替代硬盘后，百度也成为了全球首个使用闪存技术代替硬盘并大规模商用的互联网公司。与当前各个公司广泛采用的普通硬盘存储相比，百度配备的基于闪存的存储卡，将可使单台存储设备的内部读写性能提升100倍，响应速度提升3倍，整体性能提升1倍，能耗也大大减少。这一改变将大大提高搜索引擎的服务能力和检索速度，让亿万网民从中受益。     

应用FLASH闪存的动态参数记录仪设计

本文介绍了大容量闪存在参数记录仪中的应用。在简单介绍参数记录仪的基础上详细描述了K9F1G08UOA芯片的结构特点及主要功能,通过运用单片机AT90S8515及CPLD对闪存K9F1G08UOA进行控制,实现了对闪存的读取、编程、擦除的操作．完成了数据的实时记录、数据采集等功能,使得该记录仪具有容量大、低功耗、集成度高等优点,在未来有更好的发展前景。     

微型超大容量数据采集存储测试系统设计

介绍了一种由传感器、A/D变换器、超大容量闪存、Msp430单片机和电平转换电路组成的微型超大容量存储测试系统设计方法.传感器信号通过Msp430单片机控制ADC芯片MAX152进行模拟-数字转换并放入总线中,同时将该数据分时存入到闪存中,最后通过计算机和Visual Basic语言编写的软件将闪存中的数据读取到计算机中,同时将闪存中的数据擦除,以便进行下一次存储等.     

子页感知的闪存页面置换算法

根据闪存的独特物理特性,提出了子页感知的闪存页面置换算法.该算法引入了子页技术和基于相似概率的部分更新机制,既可以提高闪存存储系统的性能,又可计算每个内存页的置换值,并选择了置换值最小的内存页为牺牲页.实验结果表明,新算法在页面命中率、读/写操作次数、运行时间方面均具有优势.     

基于内外两级并行的多通道闪存存储系统设计

针对单片闪存存取速率低、存储容量小的问题,根据对NAND型闪存存取带宽影响因素的分析,提出了一种多通道闪存存储系统结构,同时采用通道间流水和通道内交织两级并行访问方法提高存储系统吞吐量,推导出了通道内外并行多通道存储系统的存取带宽计算公式. 此外,通过给出的系统并行加速比公式,对影响系统并行加速性能的原因进行了分析. 设计和实现了以该系统模型为核心的多通道闪存存储模块,验证了两级并行方法的可行性和有效性.      

一种在固态硬盘中提升闪存随机写入性能的缓存管理策略

基于闪存的固态存储设备业已成为移动设备最重要的存储材料,并逐渐开始在高端桌面系统中取代硬盘。然而,桌面环境具有更复杂的应用需求,闪存相对较差的随机写入性能会在实际应用中产生一些问题。本文提出一种新颖的写缓冲区管理方案,显著提高了闪存存储器的随机写入性能。