VLSI干蚀刻技术简介

集成电路的制造需要在晶圆上做出极细微尺寸的图案(Pattern).而这些图案最主要的形成方式,乃是使用蚀刻(Etching)技术,将微影(Lithog raPhy)技术所产生的光阻图形忠实无误的移转到薄膜上,以定义出整个集成电路所需的复杂结构.     

离子束蚀刻固体表面形貌发展研究

本文导出了离子束蚀刻固体表面形貌发展的一般方程,利用非线性方程的特征曲线解法,建立了离子束蚀刻固体表面形貌发展的三维理论,并由该理论导出了Carter等人的二维理论。     

VLSI干蚀刻终点检测技术简介

在蚀刻时会形成等鼻子体的蚀刻气体,他会蚀刻未受保护的区城.一旦检测到这一区域被刻蚀完成时,蚀刻反应马上被停止.这种停止刻蚀反应的检测手段被称为终点检测(endpoint).     

对4J42合金蚀刻问题的初步研究

本文通过对４Ｊ４２合金在喷淋条件下的失重腐蚀实验进行研究，结果表明：腐蚀速度随ＦｅＣｌ３Ｂｅ°的提高而降低，随温度升高而增加，随盐酸浓度的增加而降低在喷淋条件下的标准板实验和金相观察结果表明：腐蚀速度越快，蚀刻因子越大     

FeCl3蚀刻废液的除镍研究

以铁粉为置换剂,去除含镍FeCl3蚀刻废液中的镍组分,达到FeCl3蚀刻液再生利用的要求,研究了铁粉种类,铁镍比,反应温度,反应时间,溶液酸度等因素对FeCl3蚀刻废液中镍置换率的影响,结果表明,具有高表面活性的铁粉,在提高反应温度,Fe/Ni=1-3(m/m),反应时间约为1h,pH≈4的条件下,镍的置换率达95％以上。     

含铜蚀刻废液的综合利用—硫酸铜生产工艺研究

采用酸性蚀刻液与碱性蚀刻液混合沉淀铜的方法，生产工业硫酸铜，不用蒸发浓缩，工艺简单，成本低．对影响产品质量和产率的主要因素ｐＨ，化浆用水量和浓硫酸用量进行了探讨，找到了最佳工艺条件，产品质量符合ＧＢ４３７－８０．     

Cu 在 FeCl_3 溶液中的蚀刻研究

研究了ＦｅＣｌ３溶液浓度、温度及样品在溶液中的运动速度对Ｃｕ蚀刻速度的影响。在所研究的溶液浓度范围内，蚀刻过程为扩散控制为主的过程；在溶液相对密度为１．２６～１．３２时Ｃｕ的蚀刻速度具有极值。Ｃｕ在ＦｅＣｌ３溶液中蚀刻其表面有ＣｕＣｌ膜的沉积，钝化膜对Ｃｕ的蚀刻有大的影响；蚀刻反应受Ｆｅ３＋通过钝化膜的扩散过程控制。试验拟定了初步的蚀刻工艺。     

电化学蚀刻金属零件标记实验研究

四川大学利用世界银行贷款设备--激光雕刻机以电化学加工原理为基础研制开发了电化学深度蚀刻机,用来在金属零件表面制作标记,并以此作为工程训练的内容为本科生开出实验,论文给出了实验原理和步骤.     

微波等离子体处理PFC_S的研究

全氟化碳(PFCS)是现代工业生产过程中排放的气态污染物质,它加剧全球温室效应,因而需要对PFCS有害气体进行有效的脱除.本文介绍了大气压下微波等离子体分解气体的新工艺,研究了微波等离子体的特性,并用微波等离子体进行了高浓度PFCS气体脱除实验.实验研究表明,微波功率增加时,分解效率快速增加,最高分解率可达99%以上,向等离子体系中加入O2和H2O可以有效地促进PFCS分解.该工艺分解率高,设备体积小,对高浓度PFCS有害气体分解是一种非常好的方法.     

微氟循环玻璃蚀刻的工艺研究

应用正交试验和单因子实验分别确定了微氟循环蚀刻液的配比及微氟循环蚀刻的最佳工艺条件.结果表明,蚀刻的最佳工艺条件为:pH=5.5,温度为48℃,时间为2.2h.并经SEM和IR实验测试,玻璃表面蚀刻均匀,蚀刻深度为5.8μm,深度均一,表面平整,无侧蚀现象.蚀刻后废液经化学处理可实现循环使用.     

深基坑支护结构的计算及设计

对深基坑支护计算中几种常用的土压力理论的特点及计算方法进行了分析。推导出考虑包括实际土层作用的支持结构的计算公式。并以共程实例作多种支护设计方案的比较。     

等离子体刻蚀中边缘离子轨迹的控制与优化

由于常规等离子体刻蚀系统在晶圆边缘处的阻抗与晶圆中心处的阻抗不一致, 使离子在晶圆边缘处的运动轨迹发生偏移, 很难满足越来越高的刻蚀工艺均匀性及深宽比的要求。本文提出一种通过调整晶圆边缘阻抗进行边缘离子运动方向优化的方法, 可以连续实时地调整边缘离子的运动轨迹, 实现对边缘离子运动方向的控制。研究结果表明, 离子的运动方向可以被优化为垂直于晶圆表面, 从而能获得良好的刻蚀速率均匀性及垂直的刻蚀形貌。     

蚀坑法求算取向硅钢再结晶织构的 ODF

取向硅钢的再结晶织构因晶粒粗大而难以用Ｘ射线衍射测量．根据板材表面金相蚀坑的几何特征，确定了晶粒在欧拉空间的取向｛ψ，θ，φ｝，并编制出了由蚀坑测量参数直接求算ＯＤＦ的软件程序．采用该程序快捷而准确地求算了具有粗大晶粒的取向硅钢的三次再结晶织构．实算结果表明这种方法合理、实用，弥补了Ｘ射线织构分析方法之不足．     

太阳能级多晶硅尾气回收液相二氧化硅提纯

 亚洲（青海）硅业引进西门子法生产多晶硅时所产生的尾气回收液相二氧化硅没有利用,而是直接被填埋,不仅浪费了能源和原材料,而且对环境造成污染。从节约能源和环保的角度考虑,必须对尾气进行回收再利用。本文对亚洲（青海）硅业引进西门子法生产太阳能级多晶硅尾气回收液相二氧化硅进行提纯实验。结果表明,影响二氧化硅纯度的主要因素是加热减量和灼烧减量;该样品除了含有一定量的水分外,还含有一定的灰分和挥发份,主要来源是除二氧化硅外四氯化硅的水解产物,还有部分硅胶,其在高温加热时失水产生二氧化硅粉,同时二氧化硅表面吸附了少量未水解的硅氯化物,在加热时挥发,本方法得到的二氧化硅含量均大于99.8%以上的粉体;从样品形貌可以看出,团聚使样品粒度增大。     

深厚软弱地层地下连续墙槽壁稳定性分析

考虑土体的分层特征,假定槽壁破坏体为具有倾斜滑动面的三维楔形体,基于土体极限平衡原理推导了深厚软弱地层中地下连续墙槽壁的稳定安全系数表达式。提出以强度等效原理计算槽壁加固后复合土体抗剪强度指标的方法,进而推导了土体加固后槽壁的稳定安全系数表达式。引用算例验证了槽壁稳定安全系数的有效性并结合工程实例对深厚软弱地层中槽壁的稳定性影响因素进行了详细分析。结果表明,软弱土层的槽壁失稳现象更容易出现在浅层部位,加固后槽壁失稳可能出现在深层部位。减小槽段施工长度、增加泥浆比重和液面高度、增大加固体厚度和强度、降低地面超载和地下水位等措施均有利于富水软弱地层中地下连续墙槽壁的稳定性。     

聚酰亚胺及其等离子掺硅薄膜的光电导性能研究

本文用SiH_4等离子放电对聚酰亚胺薄膜掺硅,显著提高了光电导性.对掺杂后的薄膜的结构和光电导特征做了x 射线光电子能谱、光吸收谱和光电流谱分析.首次采用光刺激电流法(PSC)分析了聚酰亚胺及其掺硅薄膜的陷阱能级、分布和密度等参数,为分析光电导机理提供了可靠依据.     

地铁车站下穿在建热力管沟方法研究

针对地铁建设中地铁车站与地下管线的关系问题,以北京某地铁车站为例,在详细分析地铁车站下穿在建热力管沟的各种方法的基础之上提出了一个行之有效的方法,为类似工程的设计与施工提供了一定的参考价值。     

多晶硅生产副产物SiCl4合成高纯石英玻璃的方法

针对国内多晶硅生产副产物四氯化硅的消化处理,通过对多晶硅生产尾气冷凝液主要成分三氯氢硅和四氯化硅等组分和杂质的含量分析,提出了利用多晶硅生产副产物四氯化硅合成高纯石英玻璃的方法及其工艺条件.通过分析四氯化硅合成高纯石英玻璃的影响因素,针对性地提出了生产控制方法.对高纯石英玻璃材料的理化性能及应用进行了探讨,为多晶硅行业资源综合利用及增效减排,提供了切实可行的途径.     

发光多孔硅的制备条件研究

用电化学方法制备了发光多孔硅,研究了电流密度,电阻率,退火条件对多孔硅发光的影响,并对发光机理做了相应的分析;发现了制备方法更为简便的镍酸镧电极取代铝电极工艺。     

等离子增强型化学气相淀积氮化硅的淀积

等离子增强型化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氮化硅是目前器件唯一能在合金化之后低温生长的氮化硅．本文研究了各种波积参数对薄膜性能的影响，提出了淀积优质氮化硅钝化膜的条件，对折射率随生长速率而变化给出了新的解释．