PS激光泵浦高压H_2的受激喇曼散射研究

利用脉宽20ps、脉冲序列能量约40mJ的锁模Nd:YAG线偏激光泵浦高压氢,在365至605nm范围内获得的70余条受激喇曼散射(SRS)谱线.经分析,这些谱线分别与氢的振动喇曼频移4156cm~(-1)和4144.2cm~(-1)的一些反斯托克斯(AS)谱线及由它们激励产生的各阶转动SRS谱线(转动喇曼频移为587cm~(-1))相对应.     

柱形量子点的一阶声子喇曼散射

从理论上讨论了柱形量子点体系受限类体模,顶表面模和侧表面模参与的一阶声子斯托克斯喇曼散射。给出了有关的选择定则,分析了喇曼散射强度与量子点尺寸以及入射光偏振方向的关系。其中电子结构基于有效质量近似,电子-声子相互作用则考虑Froehlich作用,讨论结果直接给出电子和声子的有关信息。     

GaAs_(1-x)N_x混晶的喇曼散射研究

室温下采用背散射几何配置,在近共振条件下测量GaAs1-xNx混晶的喇曼散射谱.由于N原子的引入,导致类GaAs的LO1、TO1声子和类GaN的LO2声子线宽变大,禁戒的TO1声子变为喇曼活性;随着N组分的增加,TO1声子强度增大、LO1声子有红移的趋势、LO2声子有蓝移的趋势,根据它们随N组分x移动的速度推断出样品不存在应变效应.另外还讨论了布里渊区边界声子LA(L)与LO(L)、二级喇曼散射谱声子LO2、LO1 LA1(L)以及2LO1随N组分x增大的变化趋势.     

KBr单晶中V_k心的喇曼散射

报道经大剂量 x 辐射后溴化钾单晶的喇曼测量结果.除 F 心信号外,首次观察到一个喇曼频移为147cm~(-1)的信号.这一信号被指认为 V_k 心的非弹性散射.     

GaAs1-xNx混晶的喇曼散射研究

室温下采用背散射几何配置，在近共振条件下测量GaAs1-xNx混晶的喇曼散射谱．由于N原子的引入，导致类GaAs的LO1、TO1声子和类GaN的LO2声子线宽变大．禁戒的TO1声子变为喇曼活性；随着N组分的增加,TO1声子强度增大、LO1声子有红移的趋势、LO2声子有蓝移的趋势．根据它们随N组分x移动的速度推断出样品不存在应变效应．另外还讨论了布里渊区边界声子LA(L)与LO(L)、二级喇曼散射谱声子LO2、LO1 LA1(L)以及2LO1随N组分x增大的变化趋势．     

BaWO4晶体的喇曼光谱分析

采用群论的方法分析了BaWO4晶体的对称性分类，得到36个简正模，与BaWO4晶体的运动自由度相等，其中有18支喇曼活性光学膜. 实验中， 采用X(ZZ)，X(YY)，Z(XY)和X(YZ)配置获得了Ag, Ag＋Bg, Bg, Eg振动模，共观测到10支喇曼峰，并对观测到的各个配置的喇曼峰进行了指认，其中X(ZZ)配置的921?cm-1（υ1）处的喇曼峰强度最强，频移最大，线宽较窄，容易获得较高的喇曼增益，是喇曼激光器设计中的首选谱线，为喇曼激光器的设计提供了理论指导.     

X_i~-(Pb~ )色心的偏振喇曼测量和BT分析

对KBr:Pb~(2 )、KCl:Pb~(2 )和RbCl:Pb~(2 )单晶中的低频喇曼信号进行了偏振喇曼测量。偏振喇曼数据的BT分析表明,上述单晶中观察到的22,30和28cm~(-1)信号对应的点缺陷同属于C_(3v)点群。据此提出了与这些低频信号对应的X_1~-(Pb~ )色心的结构模型。     

混晶GaAs1—xPx：N中N等电子杂质诱发的共振喇曼散射

研究了混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）中的共振喇曼散射，在背散射配置的（１００）晶向观察到“禁戒”的ＴＯ声子散射模，这一实验现象解释为在共振激发Ｎｘ杂质带的条件下，由于晶体对称性的喇曼选择定则失效，ＴＯ模成为喇曼活性，根据热猝灭规律，还给出区分共振喇曼散射和热荧光的一个实用判据。     

GaN受激喇曼散射谱研究

对ＧａＮ样品薄膜进行了喇曼背散射几何配置下的喇曼散射测试与分析,其样品分别是在不同衬底上以金属有机物气相沉积（ＭＯＣＶＤ）法和分子束外延（ＭＢＥ）法生长的,观测到了纤锌矿结构ＧａＮ的允许模式Ａ１（ＬＯ）模和Ｅ２（高）模,同时也观测到了一些禁戒模式,结果表明：受激喇曼散射是研究ＧａＮ结构的一种有效手段。     

混晶GaAs_（1－x）P_x：N中N等电子杂质诱发的共振喇曼散射

研究了混晶材料ＧａＡｓ＿（１－ｘ）Ｐ＿ｘ：Ｎ（ｘ＝０．７６，０．６５）中的共振喇曼散射，在背散射配置的（１００）晶向观察到“禁戒”的ＴＯ声子散射模．这一实验现象解释为在共振激发Ｎ＿ｘ杂质带的条件下，由于晶体对称性的喇曼选择定则失效，ＴＯ模成为喇曼活性．根据热猝灭规律，还给出区分共振喇曼散射和热荧光的一个实用判据．     

YBa_2Cu_3O_(7—δ)超导样品的喇曼光谱

本文对YBa_2Cu_3O_7-δ超导样品及经“淬火”处理后样品的喇曼光谱进行了分析,得到超导相Cu—O键的剌曼活性模为335,440和492cm~(-1),它们分别对应于Cu(2)-O(2)键在a方向上、Cu(2)—O(3)键在b方向上的反对称拉伸振动及Cu(l) O(l)键在c方向上对称拉伸振动。     

KBr∶Pb~(2+)单晶喇曼谱的温度演化及其机制

在液氮温度下对 x 射线辐照后的 KBr:Pb~(2+)单晶进行了喇曼研究.锻烧实验发现频移为161cm~(-1)和275cm~(-1)信号存在着温度相关现象.在绝对温度77K时161cm~(-1)信号占绝对优势,275cm~(-1)信号强度很弱.在锻烧温度为230K 时,161cm~(-1)信号变得极弱,而275cm~(-1)信号占绝对优势.161cm~(-1)和275cm~(-1)信号被分别指认为 KBr:Pb~(2+)单晶中的 Br_~-和 Br_~-色心的非弹性散射.     

钨酸铕钠晶体晶格振动的群论分析和喇曼光谱

本文对新型激光晶体钨酸铕钠[Na_5Eu(WO_4)_4]的晶格振动进行了群论分析.给出了该晶体在(?)点晶体格振动的对称性分类.它们是:18Ag+20Bg+20Eg+20Au+18Bu+20Eu.其中喇曼和红外都是非活性的模为18Bu.声学模为Au+Eu,喇曼活性模为18Ag+20Bg+20Eg,红外活性模为19Au+19Eu.首次测量了该晶体不同几何配置的喇曼光谱,利用群论分析结果对谱图进行了识别和讨论.     

a-C:H膜及其退火的激光喇曼光谱研究

用高频阴极辉光放电沉积在控制基片温度来制备氢化非晶态碳(a—C:H)膜,退火温度上升到600℃,这些膜的喇曼光谱在波区1000～1800cm~(-1)进行的,a-C:H膜的喇曼光谱是一个非对称的简单的谱带。随着退火温度的升高,a—C:H膜出现两个峰值,也观察了金刚石和天然石墨的喇曼光谱,这些光谱与现代研究的模型进行了讨论,其结果认为非晶态碳具有三次配位和四次配位原子的网状结构模型相一致。     

光纤受激喇曼散射的机理及对光通信的影响

介绍了受激喇曼散射(SRS)的机理,总结了受激喇曼散射的主要特点,着重阐述它对光纤通信系统产生的影响,并针对光纤通信中受激喇曼散射的串扰特性和自感受激散射,要求信道功率要尽可能小于阈值功率,从而克服受激喇曼散射光纤通信系统的影响.     

BNN晶体喇曼光谱的组分效应与晶格振动的群论分析

本文测定了两种不同组分BNN晶体(Ba_(2+x)Na_(1-2x)Nb_5O_(15),x为0.065及0.075)的喇曼光谱并对此晶体的晶格扳动进行了群论分析。实验及理论分析的结果表明:(1)在高频区内,若干谱峰的相对强度不随x值而改变,它们是NbO_3~(-1)八面体的内振动模;在低频区内,若干频峰的相对强度随Ba~(+2)组分的增加而增加.(2)对应于34~(-1)cm的特征模只能出现在B_1(T_o)模中,而不能在B_2(T_o)模中出现,它来源于某些特殊面上Ba~(+2)的振动。     

n—Ga1—xAlxAs的电子喇曼散射,束缚声子和DX中心

观测到ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的束缚声子和电子喇曼散射．对ｎ－Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ进行喇曼散射实验，揭示了在低温光照条件和组分超过某临界值的合金半导体存在着有效质量型的浅施主能级，引起束缚声子和电子喇曼散射．在较高温度，此能级电子减少到由ＤＸ中心表征的施主深能级．实验结果证实了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ的ｎ型杂质具有深－浅双稳特性．根据晶格动力论，浅释了Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ中施主的电荷态．     

E_u~+注入单晶硅经快速热退火后的喇曼光谱研究

喇曼光谱及扫描镜徽区形貌象说明,E_u~+注入(注入能量350Kev,注入剂量2×10~(15) cm~(-2) )n 型单晶硅后,在表面可形成一连续非晶层.经过895℃快速热退火(RTA)可以消除注入损伤,Si 损伤区恢复完整;当快速退火温度为1285℃时,在硅表面存在 E_u 的表面偏析及表面增强喇曼散射(SERS)现象,我们对增强机理进行了讨论.     

几种有机化合物的激光喇曼光谱研究

本文报道了由实验测定的丙酮、乙醇、乙二醇、异丙醇、甲苯、乙醚、正丁醇和甲酰胺等8个有机化合物在200-3500cm-1范围内的激光喇曼光谱,发现了一些新的正则振动模,并讨论了这些振动模的性质.     

核酸的激光喇曼光谱

本文研究了核酸的激光喇曼光谱与它的结构及生化功能的关系。确认应用激光喇曼光谱研究核酸是具有信息量大、高灵敏度及高分辨本领的。