高频型重离子源的研制

伟大的无产阶级文化大革命和批林批孔运动极大地促进了我国科学技术的发展。在革命运动的推动下,我们开展了离子注入研究工作。随着工作的发展,要求注入的元素种类越来越多,需要研制一个重离子源。对这一源希望作到;(一)它的工作范围较宽,能够产生尽量多种类的离子,对固态、液态、气态的物质都能工作。(二)源的寿命较长,结构简单。     

空心阴极重离子源的研究

本文对一台空心阴极重离子源的放电参数、引出参数之间关系进行了理论分析及详细测量,从中找出离子源最佳的工作状态。文中得到的结论适用于等离子体离子源。调试结果,本离子源稳定地工作于引出总束流强度为0.5-1.0mA,归一化亮度≥2×10~9A/m~2·rad~2,等离子体密度为10~(11)～10~(12)cm~(-3),电子温度为5～10eV,能散度≤40eV。     

溅射式PIG源的研制

本文介绍一种将冷阴极发射式PIG气体放电源改装成溅射式PIG源以获得多种固体元素离子的方法。对改装后的离子源的放电参数进行测量与讨论,并对离子源所产生的束流性能进行测量。     

低能重离子轰击钛铝靶溅射原子能谱的理论

进一步发展了文献[8-9]的各项异性溅射理论,并运用该理论研究了低能氩离子和氙离子分别轰击钛靶和铝靶的溅射原子能量分布(或溅射原子能谱),以及溅射原子谱与离子入射角以及溅射原子出射角的关系.尤其对于氩离子轰击钛靶,作者只设置了唯一参数,新理论就可以很好的解释文献[10]的大量实验结果.当然,分析中,新理论忽略了电子阻止的贡献.对于较大的溅射原子出射角,理论值明显小于实验值,这可能是由于直接反冲对溅射原子谱的影响,因为新理论只适合于溅射碰撞级联,所以忽略了直接反冲的贡献.新理论与文献[10]大部分实验相符这一事实进一步证明了动量淀积在低能重离子碰撞溅射的重要作用,从而并进一步指导离子碰撞溅射的各种应用.     

重离子碰撞对QCD物质的若干检验

 采用重新拟合的σ_J/ψN数据计算核吸收效应,并结合能量损失以及核遮蔽效应因子.研究了E866、RHIC和HERA上J/ψ粒子产生中微分截面比R的x_F（或y）分布,结果与最新的实验数据进行了对比.结论表明：所选用的介质效应模型能较好地再现实验数据,体现冷核效应的幅度,尤其是RHIC的正快度区域(y＞0）及HERA的负x_F区域.文末还给出了对LHC上产值数据的预言.对冷核介质效应的研究,能协助甄别热核反应中的产值抑制是否预言中夸克-胶子等离子体形成的标志,从而有助于对QCD物质特征的检验.     

重离子碰撞中量子源的电磁场研究

在计算真空中的超重力带电粒子在与粒子康普顿波长相距的距离所产生的电磁场时,粒子的波函数由克莱因—戈登方程控制。对于标量粒子、自旋半粒子或狄拉克方程,它们产生的电磁场在大小和方向上与库仑场有本质上的不同,这是由点电荷引起的量子扩散效应。因此,对重离子碰撞产生的电磁场的实际计算必须建立在对价夸克进行全量子处理的基础上。     

基板直流偏压对高频溅射Co-Cr膜的影响

本文在国产高频溅射仪上研究了基板直流偏压对Co-Cr溅射膜性能的影响。实验研究表明,溅射膜的M,不仅随Cr含量增加而减小,而且随负偏压的绝对值的增加而减小,在适当的负偏压下,可以得到C轴取向度△θ_(50)和磁性参数的某种最佳值。本文研究了得到这种最佳值的条件,找到了降低饱和磁化强度和改善薄膜性能的新途径。     

一种高频时钟源的设计与实现

研究了一种用于高速数据采集的频时钟源的设计与实现。方法在其物理实现中采用微带传输线的连接方式及多种抗干扰设计,进行了基于输入／输出缓冲参数特性模型的信号完整性分析及软件仿真。结果给出了示波器实测的高频时钟源输出结果。结论系统工作稳定可靠,能够满足各项性能指标要求。     

导体的高频内阻抗

本文首先由场论和电路理论导出计算导体内阻抗的一段公式!然后算出平板、柱形导体及同轴电缆的高频阻抗。     

超高能重离子碰撞中夸克物质相变机制的讨论

本文首先给出由超高能重离子碰撞所产生夸克物质和强子物质约状态方程，然后讨论在两种不同情况下系统从夸克物质到强子所经历的时间。     

铯溅射负离子源负离子发射过程的理论分析

本文采用改进的偶极层模型和量子理论,研究了铯溅射负离子源中负离子形成机理,给出了吸附铯原子层的金属表面功函数变化及电子转移几率公式,并用量子隧道模型导出负离子形成几率,计算了负离子产额和引出束流强.其结果与实验值基本相符.与测量值相比,比 Alton 的计算结果要好,且计算过程简单.它为溅射型负离子源机理研究提供了一种理论模式.     

高频溅射α-Si:F,H薄膜光电导的实验与计算

通过对射频溅射RF a-Si:F,H薄膜样品光电导随入射光的波长、光强以及温度变化的测量,定量地考察了带隙、带尾态的宽度和带隙中悬键态密度与氟含量的关系,给出了氟原子在网络中一种可能的分布形式。按照Rose模型,计算了电光导随温度的变化关系,给出了局域态分布的位置、高度、宽度以及俘获截面等参量,理论计算与实验符合较好。     

高频双向电镀电流源的研究

本文研究的内容是用高频双向脉冲电镀电源来代替传统的直流电镀电源,以实现更好的电镀效果,满足多层、高密度印刷电路板镀铜的需要。文章对脉冲电镀电源的原理进行了深入的介绍,阐述了双向脉冲电镀电源在实际电镀中的优势,说明工业生产中采用双向高频脉冲电镀电源的优势和必要性。同时,文章对DC/DC变换的原理做了一个简要的概述,介绍了DC/DC变换的基本分类、构成以及相关电路。     

化学合成的选择与绿色评价

提出了化学合成工艺的选择和绿色评价问题。概述了原子利用率、合成效率和目标产品效率作为化学合成工艺的绿色评价指标。化学合成实例分析的结果表明,在原子利用率、合成效率和目标产品效率3个评价指标中,采用目标产品效率最科学。     

eglinC基因的化学合成与克隆

采用固相亚磷酰胺法合成了ｅｇｌｉｎＣ全基因，该基因全长２２１ｂｐ，包括其结构基因，５’－端起始密码子ＡＴＧ和３－端终止密码子ＴＡＧ，并在基因的５－和３－分别装上ＥｃｏＲＩ和ＢａｍＨＩ位点。共分１２个片段，采取分段合成，酶促连接成完整的ｅｇｌｉｎｇＣ基因。合成的基因克隆于Ｍ１３载体，经杂交，检测，筛选出含ｅｇｌｉｎＣ基因的克隆。用双脱氧链终止法测其序列，结果与设计的一致。     

激光多相溅射合成法——合成宏量团簇物质的新方法

寻找合成宏量原子团簇的新方法，以脉冲激光溅射多相反应体系，变换固体靶和气相、液相反应物的不同组成，合成得到不同产物。合成得到了全氯化多环芳烃和硅倍半氧烷。结果表明将激光溅射这一物理手段与与化学合成的反应条件相结合，可以产生多种不同种类的原子团簇，是合成宏量团簇物质的一种新方法。     

乙酰肉碱的化学合成与酶法拆分

采用化学方法以肉碱为底物, 合成了外消旋乙酰肉碱, 精制后可获得纯度99%以上的乙酰肉碱, 收率为96%. 利用蜗牛酶（Snail Enzyme）对其进行不对称酯水解反应, 发现蜗牛酶对乙酰肉碱具有高度立体选择性, 并且可得到光学纯度为98%的乙酰-L- 肉碱.     

铯溅射型负离子源中Cs~＋离子产额的实验研究

通过电离表面的痕量分析和Ｃｓ~＋离子产额的测量，研究了功函数、表面温度及铯通量等因素对铯溅射型负离子源表面电离效率的影响．结合Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｓａｈａ表面电离理论，揭示Ｃｓ~＋离子产额饱和的原因．提出一项改进措施──透射型表面电离源，就其性能进行了讨论．