无磁场冷阴极电离真空规

冷阴极电离真空规是一种应用得极为广泛的高真空量具,但目前已有的各种设计(Penning式或Redhead式)都必须附有一个较强的磁场,因而在使用上带来很多不便。本文提出一种新型的、不同于现有结构的无磁场冷阴极电离真空规。它的工作原理可简述如下:规管内装有二块平行板电极,并加以高频电场。这种电极受到任何来源的电子轰击时将产生次级电子,而在电极发射的次极电子满足下列两个条件时: (1)谐振条件——电子渡越两平行平板电极的时间为高频电场半周期的奇数倍; (2)能量条件——电子在高频电场的作用下轰击电极表面的能量达到使此材料的次级电子发射系数大于1,就能引起放电。在放电过程中单位时间内形成的正离子数是和这空间气体分子的密度有关的,因此测量正离子流就可以指示相应的气体压强。本文叙述了新型规管的详细结构、作用和工艺,以及全部电源供给和测量电路。还讨论了规管各电极的电参量特性以及如何选择适宜的工作点。对于我们给定的规管结构和电参数所是的校准曲线在压强为10(-3)～10(-6)乇范围内具有很好的线性。这种新型的设计具有一般冷阴极电离真空现的全部优点,此外还无需磁场和高压电源。实验还证明它的放电触发时间仅为数十微秒。     

CoSi_2/Si异质结的形成及其电子结构的研究

利用离子束镀膜技术,在非超高真空(1.33×10~(-3)Pa)下,采用离子束清洗衬底表面和对衬底加热的辅助方法,在单晶Si衬底上淀积Co薄层,再在Co层上淀积Si保护层,然后在570—680℃下进行真空(6.67×10~(-3)Pa)退火,能形成有害杂质(O、C等)含量少且界面区域过渡陡峭的CoSi_2/Si异质结。本文利用俄歇电子能谱(AES),X射线光电子谱(XPS)和紫外光电子谱(UPS)对样品的组分、化学相和电子结构进行了分析。     

高压强电离计的试制

用二级吸附泵作前置真空泵的无油真空机组,为要获得10~(-4)乇的前置真空,需要在被抽容器压强降到1乇左右时关闭第一级吸附泵的阀门。用热偶计或皮氏计测量这个压强速度慢、读数不准,因此提出试制高压强电离计的任务。工农兵学员,在教研组工人师傅和教师的支持和帮助下,一面建立校准系统,设计高压强电离计管的结构,一面试制氧化钇阴极和制作电源,在不到半年的时间内,做出了一些初步结果。     

加成核剂等规聚丙烯晶生成条件研究

本文选用一种易使等规聚丙烯(IPP)生成β晶的成核剂,利用DSC和X射线衍射法研究了熔体温度,冷却速率和成核剂含量对生成的β晶含量的影响,找出生成β晶的合适条件,所得β晶含量可达81％。     

20CrMnTi真空脉冲感应渗碳及耐磨性研究

利用真空脉冲渗碳技术和真空感应渗碳技术对20CrMnTi钢进行表面强化,通过X射线衍射、扫描电镜、显微硬度测试等技术手段,探究不同压力下,2种工艺对表面渗层微观组织结构、硬度梯度以及耐磨性的影响规律。结果表明:相同渗碳压力下,真空感应渗碳表面硬度高于对应的真空脉冲渗碳工艺的表面硬度值,渗层厚度、耐磨性能也都优于对应的真空脉冲渗碳工艺,当渗碳压力为-70kPa时,真空脉冲渗碳工艺的磨损速率达到8. 34×10~(-7)cm~3/min·N,真空感应渗碳的磨损速率为6. 27×10~(-7)cm~3/min·N,摩擦性能最好。     

活性炭捕集微量氩的实验研究

本文研究了温度为77K时,压力为6×10~(-6)～5×10~(-8)乇,总量为W≤7×10~(-7)克的氩在1.0克椰子活性炭上的吸附特征、吸附动力学方程和吸附类型。为捕集真空状态下的微量氩提供了实验依据,为定量分析痕量氩建立了新方法。     

半导体传感器在真空测量技术上的应用

根据热传导真空计原理,利用半导体的感温特性制成一种新的测量真空度的半导体传感器真空规管,并将它作为测量电桥的一臂对该规管的真空性能进行了试验。结果表明,此种新型规管在760～10~(-5)托压强变化范围内有较高的灵敏度,可望作为测量从粗真空到高真空宽量程的真空规管。     

钛蒸发离子泵及缠绕式蒸发器的研究

本文包括部份:Ⅰ.效蒸发离子泵工作特性的研究。Ⅱ.缠绕式钛蒸发器的研究与设计。文中提出的钛泵是一种 B—A 型玻璃钛泵,起动压强10~(-2)乇,测得的极限压强7×10~(10)乇,抽速可达5立升/秒,这种钛泵也可作真空计。钛泵抽速与栅压、栅流、蒸发器加热功率和压强有显著的关系,但是泵壁电位对抽速影响较小。作者测量了钛泵的电离灵敏度,并对抽速特性作了定性解释。实验表明,用一般的交流电源可代替钛泵的直流电离电源,使电源设备简化。本钛泵还可代替扩散泵与机械泵联用,获得10~(-6)～10~(-7)乇的压强。文中提出的缠绕式钛蒸发器,是由钛丝紧密地缠绕在钨丝上构成,这种蒸发器较稳定,寿命较长,制作简单。分析和实验表明缠绕式钛蒸发器的电阻可表示为钨丝和全根钛丝电阻的并联。文中还给出蒸发器的比功率曲线、比蒸发率曲线。最后讨论了蒸发器的控制方法和设计步骤。     

氧分压对NiO薄膜特性的影响

采用JGP-300型超高真空磁控溅射镀膜机在蓝宝石衬底上制备了Ni O薄膜。通过X射线衍射(XRD)仪、原子力显微镜(AFM)、紫外-可见分光光度计(UV-VIS)、霍尔(Hall)测试,研究了氧分压对Ni O薄膜晶体结构、表面形貌、光学特性和电学特性的影响。研究结果表明:Ni O薄膜具有单一的(111)衍射峰。当氧分压为60%时,Ni O薄膜具有较好的结晶性能。随着氧分压的升高,Ni O薄膜表面逐渐变光滑。由(αhν)2-hν曲线得到Ni O薄膜的禁带宽度为3. 60～3. 77 e V。所有Ni O薄膜都具有良好的p型导电特性,空穴载流子浓度为5. 45×10~(17)～2. 16×10~(19)cm~(-3)。     

变包含角平面光栅单色器及其关键技术

分析设计并研制了上海光源软X 射线谱学显微光束线站的变包含角平面光栅单色器, 经过精密加工调试, 保证了扫描系统的转角重复精度; 采用多孔腔内部通道水冷方法, 控制了镜子表面热变形; 完成真空箱体大尺寸方法兰加工与密封, 达到了单色器工作所需的超高真空. 通过上述关键部件的精确掌控, 确保了单色器主要性能——光子能量范围、能量分辨率和能量重复性, 均优于设计指标.     

三维Cu(Ⅱ)配合物的合成、结构及性能研究

以氮杂环化合物2-(1H-咪唑-1-甲基)-1H-苯并咪唑(imb)和芳香多羧酸均苯四甲酸(H_4btec)为配体,采用溶剂热方法制备了一个结构新颖的配合物[Cu(btec)_(0.5)(imb)]_n(1).单晶X射线衍射结果表明,配合物1是由左螺旋链和右螺旋链彼此连接而成的三维结构,可以简化为4,4,4-连接的三维拓扑结构,其拓扑符号为(3~2?10~3·11)(3~2·104)(3~2?103·11).另外还对配合物1的红外光谱、粉末X射线衍射图谱、热稳定性以及固态荧光性能进行了研究,进一步验证了Cu(Ⅱ)离子的存在能淬灭配合物的荧光.     

碘化钇与15-冠-5,18-冠-6配合物的合成及其性质

分别从已腈和乙醚(1:1)及乙醇和乙醚(1:10)混和溶剂为介质制得了碘化钇与15-冠-5(15 C 5),18-钇-6(18 C 6)的组成为1:1(钇:冠醚)的混和物,所得配合物在高真空时稳定,置于空气中缓慢被氧化而分解。通过元素分析、摩尔电导、红外、差热-热重和X射线粉末衍射等分析该段研究了它们的有关性质,得到了一些新结果。     

一种新型绝对高真空压力规结构的设计

首次提出了一种以直接对气体分子进行计数来测量高真空度的新型压力规－绝对高真空压力规（ＡＨＶＰＧ）。我们引入并研究了三种结构，分别为模片式结构、悬臂梁和简梁结构，并对这三种结构的ＡＨＶＰＧ在单个分子的碰撞时的挠度进行了计算与比较，指明了悬梁结构的灵敏度最高、最易实现，并设计了其制造工艺，文中我们还推导了一个有关气体分子通量的重要公式。     

溶胶-凝胶工艺对SiC粉体形貌的影响

以正硅酸乙酯(TEOS)和活性炭为原料,采用溶胶-凝胶法制备SiC前驱体,经1 400~1 600℃高温碳热还原反应合成了纯度较高的-βSiC粉体,这种粉体是由颗粒和晶须组成的混合物.通过前驱体的热重(TG)-差热(DSC)曲线分析了前驱体的热分解过程,通过X射线衍射(XRD)曲线分析了不同合成温度下的产物组织结构,并研究了无水乙醇(EtOH)与正硅酸乙酯的体积比和氨水浓度对产物形貌的影响,初步探讨了SiC颗粒和晶须的形成机理.     

简述新抗规关于底框砖房的抗震规定

本文简要介绍了建筑抗震设计规范GB 50011-2010(简称新抗规)中对于底框砖房的相关抗震规定,提出了设计时应该注意的事项,以便设计人员对于该结构形式的理解和应用.     

硫化温度对两步法制备FeS2薄膜成分和结构的影响

首先采用真空热蒸发法在玻璃基片上沉积厚度约为500 nm的铁膜,然后对铁膜在温度为553~673K的条件下恒温硫化6 h,制备F eS2薄膜.对制备的薄膜进行X射线衍射和显微结构分析,发现:合适的硫化温度为603~653 K,所得薄膜为单一物相的F eS2薄膜,n(S)/n(F e)值为1.94~1.96,接近理想化学配比,薄膜晶粒大小均匀,表面致密.     

GaN光电阴极制备净化与激活超高真空系统设计

针对GaN光电阴极制备净化与激活超高真空系统工艺要求特点，我们研究设计了超真空系统总体结构、抽取装置和高温退火净化装置，根据超高真空系统控制的工艺流程、方法和自动控制要求，提出了以PLC和组态软件为控制核心，对净化与激活装置的真空度、温度和升降机构等参数进行控制的方法。并设计了超高真空自动监控系统中的PLC的操作单元、执行单元、数据采集单元、执行机构硬件结构、控制系统人机界面，以及PLC控制程序和组态软件。GaN光电阴极制备净化与激活超高真空系统具有完全的可视化和数字化，抗干扰能力强，可促进阴极制备超高真空装置的应用和工艺水平的提高。     

DSC研究碳铵分解动力学与各因素统计分析

用非等温差示扫描量热法(DSC),结合不同粒度试样的热分析数据与X射线衍射图,提出了NH_4HCO_3热分解反应属于相界面反应控制的机制及其动力学方程的表达式,即d α/dt=Aexp(-E/RT)(1-α)~n,n=2～3。取n=2时,反应表观活化能E=90.6kJ·mol~(-1),频率因子A=8.65×10~9S~(-1),两者补偿关系为1nA=0.362 E-9.90。正交设计的统计分析表明:在热分析中,升温速率与试样粒度是对表观活化能影响的主要因素,其置信度达到99%;试样质量影响相对较小,其置信度为95%;三因素间的各交互作用影响都比实验误差小,它们之间不表现出联合效应。     

溅射功率对氧化镓薄膜特性的影响

采用JGP300型超高真空磁控溅射镀膜设备,在蓝宝石和硅片衬底上制备了一系列氧化镓(Ga2 O3)透明半导体薄膜.分别采用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和紫外分光光度计(UV-2700),对其晶体结构、表面形貌和光学特性进行了测试.研究结果表明:提高溅射功率有利于Ga2 O3薄膜结晶质量的提高,但溅射功...     

4,4'-(苯并噻唑-4,7-二取代)-二苯甲酸钴(Ⅱ)配位聚合物的溶剂热合成及结构表征

设计合成出一种线性二羧酸配体H_2btdb,利用该配体与Co轮桨型次级建筑基块通过溶剂热法构筑出一种2D+2D→3D的多孔金属有机骨架Co(btdb)(DMA)·H_2O(1),并对其进行了X射线单晶衍射、X射线粉末衍射和热重分析等表征。