0.18um SOI器件技术抗SET设计加固方法

本文介绍0.18um SOI器件技术中SET（Single Event Transient）的原理模型及设计加固方法,并结合工艺具体参数利用TCAD仿真工具进行了模拟仿真。探讨SET在0.18um SOI器件技术中的微观机理,提出0.18um SOI工艺SET设计加固方法。本文重点在于器件和电路级的探讨与加固,尤其是器件物理结构上的SET机理模型及加固设计。     

中子辐照半绝缘硅衬底上的SOI技术

本文描述了一种新奇的 SOI 技术:中子辐照单晶硅形成半绝缘材料,经激光扫描退火恢复表面层的半导体特性并由此组成了 SOI 结构。在这个结构上我们制作了 n 沟 MOSFET。本文研究了这种半绝缘层的性质,这种技术的工艺流程和条件以及用这种方法制得的 MOS 器件的性能.     

中子辐照半绝缘硅衬底上的SOI技术

本文描述了一种新奇的SOI技术:中子辐照单晶硅形成半绝缘材料,经激光扫描退火恢复表面层的半导体特性并由此组成了SOI结构.在这个结构上我们制作了n沟MOSFET.本文研究了这种半绝缘层的性质,这种技术的工艺流程和条件以及用这种方法制得的MOS器件的性能.     

SOI光波导器件的研究进展

近年来随着SOI晶片制备技术的成熟,SOI基波导光波导器件的研究日益受到人们的重视.介绍了弯曲波导、光耦合器、可调谐光衰减器、光调制器和光开关等常见的SOI基光波导器件的一些研究进展.     

倒掺杂结构PD SOI器件的抗辐射研究

摘要：为了提高SOI器件抗总剂量能力,采用了倒掺杂结构。本文研究了倒掺杂结构PD SOI器件抗总剂量能力的增强,介绍了该结构对寄生NPN晶体管的抑制作用,在研究过程中发现,倒掺杂结构不仅提高了器件的抗总剂量能力,对器件的抗单粒子能力也有所提高。本文基于0.35um SOI 工艺线,结合ISE TCAD 软件对器件的电学特性进行仿真,比较了流片测试数据和仿真数据。着重研究倒掺杂结构PD SOI器件较常规PD SOI 器件抗SEU能力的改善,并对SOI器件单粒子辐射的电荷收集效应进行了模拟与仿真。     

21世纪的硅材料--SOI

SOI是一种在硅材料与集成电路巨大成功的基础上出现的有独特优势．能突破硅材料与硅集成电路限制的新技术,被国际上公认为是“二十一世纪的微电子技术”。介绍了SOI材料的性能及主要制备技术,对其应用前号也做了详尽的论述。     

ENSO现象对山西省天气气候的影响

本文利用区域平均和相关方法分析了山西省沙尘日数发生频率及降水量与ENSO事件、大气-海洋环流因子SOI指数的关系.所用资料是山西18个站逐年逐月的扬沙、沙尘暴日数和降水量,资料序列长度为1961年-2003年.结果表明,山西的沙尘天气事件与SOI指数有显著的滞后两年的正响应关系,二者呈显著正相关的站点主要分布在中东部和东北部;而降水量与SOI指数有显著的滞后一年的负响应关系,二者呈显著负相关的站点主要分布在西北部和西南部.     

氧化浓缩法制备SGOI材料

利用SiGe/SOI材料的高温常压氧化技术,研制了SGOI材料。通过透射电镜和Raman光谱分析,获得了SGOI材料的微结构和成份特性。实验结果表明,经过高温氧化,原来的SiGe/SOI材料中的SOI层转变成SiGe层,SiGe层的成分分布均匀,并且通过产生位错等缺陷释放应变,因而形成了具有高度弛豫SiGe层的SGOI材料。     

DSOI,SOI和体硅MOSFET的特性测量比较

严重的自热效应和浮体效应是绝缘体上硅(SOI)器件的主要缺点.绝缘体上漏源(DSOI)结构的提出就是为了抑制SOI器件中的这两种效应.为了实现DSOI器件结构并且研究DSOI器件的特性,和SOI器件与体硅器件进行对比,采用新型的局域注氧工艺成功地在同一管芯上制作了DSOI、体硅和SOI 3种结构的器件.通过对3种结构器件的电学特性和热学特性的测量比较,证明了DSOI器件成功地抑制了浮体效应,并且大大降低了自热效应.由于DSOI器件漏、源区下方埋氧层的存在,在消除了SOI器件严重的自热效应和浮体效应的同时,保持了SOI器件相对体硅器件的电学特性优势.DSOI器件成功地结合了SOI器件和体硅器件的优点,并且克服了两者的缺点,是一种很有希望的高速低功耗新器件.     

SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管的设计与模拟

提出采用SiGe沟道SOI结构混合模式晶体管（SiGe SOI BMHMT）构成适合在低电压下工作的新型集成电路，该电路比CMOS电路具有更大的电流驱动能力和更好的性能，对不同导电类型的SiGe SOI BMHMT、SiGe SOI MOSFET、SOI BMHMT和SOI MOSFET器件进行了工艺模拟和器件模拟，结果表明，SiGe SOI BMHMAT由于应变SiGe层中空穴迁移率的提高，阈值电压降低。存在衬底栅极和横向双极晶体管，使得其驱动电流比其他结构器件的驱动电流明显提高。