暂态过程中金属电导率的探讨

分析暂态过程驰豫时间的不合理性,估算出暂态过程中金属电导率σ≈１ｓ·ｍ－１,即比稳态时的电导率小７个数量级左右．     

金属薄膜中的杂质散射效应

考虑到杂质散射效应，运用量子统计的方法，计算金属薄膜中杂质散射的弛豫时间和电导率．计算结果表明：这些物理量都是金属薄膜厚度的函数，具有量子尺寸效应．     

金属纳米材料的发展动态研究

概述了金属纳米材料的特性、用途和金属纳米粉体及块状金属纳米材料的制备，结合当今金属纳米材料制备和研究领域最前沿的技术和成果，展望了金属纳米材料的发展前景，指出了当今应该首先解决的问题。     

金属薄膜中的电导率计算

考虑到杂质和表面粗糙的散射,运用量子统计的格林函数方法,计算金属薄膜中的电导率．计算表明：在薄膜系统中,来自杂质和表面粗糙散射的电导率都以π／ｋＦ（ｋＦ为费米波矢值）为周期随厚度ｄ振荡．     

纳米晶硅薄膜的量子尺寸效应研究

最近的一些研究指出，纳米晶硅薄膜具有量子点（ＱｕａｎｔｕｍＤｏｔ－Ｑ．Ｄ）特征。本文依据一些典型的理论模型，具体计算了纳米晶硅量子点（ｎｃ－Ｓｉ：ＨＱ．Ｄ）的量子化能级、激子的能量移动以及体系的库仑能量随纳米硅晶粒尺寸的变化，并结合我们自己，初步分析并讨论了这些能量参数对纳米晶硅量子点的共振隧穿、光致发光（ＰＬ）和库仑阻塞的影响。     

带电粒子在外磁场中磁性的量子尺寸效应

应用ＷＫＢ方法计算了圆柱金属体中带电粒子在外磁场中磁性的量子尺寸效应。结果表明,金属圆柱体半径越小,带电粒子的抗磁性越强,当金属圆柱体半径为１００ｎｍ左右时,其抗磁性是Ｌａｎｄａｕ抗磁性的１０＾４～１０＾６倍。另外,当圆柱体的半径比最大抗磁性半径还小时,带电粒子的抗磁性有振荡行为。     

SiO薄膜的光致发光研究

通过对ＳｉＯ２薄膜经退火后的室温光致发光研究，发现ＳｉＯ薄膜的发光谱中存在绿光和红光两个发光带，绿光带是起源于与氧有关的缺陷发光，而红光带则是纳米尺寸的微晶Ｓｉ的量子限制效应引起的发光。     

金属-半导体转变的研究现状及应用前景

20世纪60年代理论预言金属-半导体转变,但在随后的30年间实验研究未获进展,直到20世纪90年代才取得了飞速发展.Ⅳ族金属元素Sn、Pb和Ⅴ族金属元素Sb、Bi的外延膜先后观察到了金属-半导体转变,并提出了"空穴导电"模型,取代以往的"电荷中性"模型.在超细金属微粒的研究上,由于金属能带转变为半导体禁带能隙结构,发现了很多相应的、与块状金属不同的光、电、磁、热、力学和化学特性,有力地推动了学科的发展.     

考虑尺寸效应的小尺寸深基坑土压力与变形计算分析

基坑侧壁土压力分布是深基坑支护设计的主要依据,对于进行支护结构设计具有重要的指导作用。本文主要考虑尺寸效应对基坑土压力与变形的影响,建立小尺寸深基坑主动土压力计算模型。通过假定滑裂面并采用极限平衡理论进行土压力计算。然后,借助PLAXIS 3D有限元软件建立不同平面尺寸与深度的基坑三维有限元模型,进行基坑侧壁土压力与变形计算。根据计算结果得出不同平面尺寸的基坑土压力与水平侧移变化规律。并将有限元计算结果与朗肯主动土压力理论计算结果进行对比。受尺寸效应影响,小尺寸深基坑的土压力减小,剪切破裂角不再是定值45°+φ/2。研究结果将丰富小尺寸深基坑土压力计算理论,为此类基坑的支护设计提供参考。     

无序金属薄膜中的局域化和相互作用效应

无序金属薄膜中的局域化和相互作用效应杨永宏（东南大学物理学系，南京２１００１８）由于弱局域化效应和相互作用效应的影响，无序金属薄膜的电阻率与玻耳兹曼输运理论的结果有很大的偏离．近年来，该方面的实验和理论研究均已取得丰硕的成果［１～４］．Ｏｖａｄｙａｈ...     

量子尺寸效应与纳米金属小粒子超导电性

作者考虑到能级分布和能级关联的影响，采用随机矩阵理论，计算了无外场作用时不同粒径超导金属小粒子的两个重要自旋态(s=0，1／2)超导能隙随温度的变化关系，并在自旋s=0时，验证了实验观察所得的超导增强效应。     

电介质薄膜中的稳态导热与法向导热系数的尺寸效应

通过非平衡分子动力学（NEMD）模拟预报了纳米电介质薄膜的法向导热系数,采用各向异性的非平衡分子动力学方案模拟了固体氩薄膜中垂直于膜平面的稳态导热,考察了对应于平均温度为45K的薄膜法向导热系数与膜厚度的关系,在氩薄膜厚度为2.124-10.62nm的范围内,薄膜法向导热系数显著低于相同温度下的大体积材料的实验值,并随膜厚度的减小而降低,具有显著的尺寸效应,在弛豫时间近似条件下得到的声子Boltzmann输运方程的近拟解表明,该尺寸效应归因于纳米薄膜的边界对载热声子散射作用的增强。     

金属微塑性成形中的尺度效应及其数值模拟技术

介绍了金属微塑性成形过程中的两类尺度效应,即"越小越弱"和"越小越强",探讨了产生不同尺度效应的原因;介绍了能够反映尺度效应的物理模型及相应的数值模拟技术,指出了各类模型和数值技术面临的困难,预测了该研究领域的发展方向。     

Mechanism of Microwave Effects on Conductivity of Solution

The relation between microwave conductivity and normal conductivity of solution is compared in this thesis. By building mathematical model and theoretical analyses, it indicates that the relationship of in situ conductivity of solution in microwave field and temperature is similar to that in non-microwave field. It can be expressed by quadratic equation but the values of both conductivities are different. Microwave field has effect on the mean path δ or hot vibrational frequency v of ions in solution. In microwave field, the mean energy barrier, which ions must surmount as they transit, is the function relation to temperature.     

Quantum Size Effect of the Magnetism of an Electron in a Metal Layer of the Layered Compounds M/I/M/I…

The energies and the magnetization of an electron in a piece of metal in the structure of Metal/Insulator/Metal/Insulator…(M/I/M/I…), in a magnetic field, at high temperature, and in range of quantum size thickness of the piece of metal layer have been obtained. The results show that when the thickness of the metal layer becomes smaller, the orbital magnetism of the charged particles which collide with the wall of the metal layer is to vary from diamagnetism to paramagnetism. The smaller the thickness of the metal layer becomes, the more particles will collide with the boundary of the metal layer, and then the paramagnetism becomes stronger. Finally, when the thickness of the metal layer becomes very small (＜100 nm), all of the orbital diamagnetism will reverse to paramagnetism, and then the paramagnetization will be almost a maximum constant.     

掺杂离子导体的粒子交叠广义晶格模型及其电导的粒子尺度效应

提出了一种掺杂离子导体（ＤＩＣ）的粒子交叠广义晶格模型，由此模型，推导随机－电阻－网络（ＲＲＮ）理论中３种导电键各自组分的几率，并采用有效介质近似（ＥＭＡ）计算了ＤＩＣ系统的电导及其粒子尺度效应。     

金属基复合材料参数对断裂韧性的影响

提出新的断裂理论模型，描述粒子强化的金属基复合材料的屈服强度，杨氏模量、粒子尺寸等材料参数与平面应变断裂韧性的关系，揭示粒子尺寸对断裂韧性的影响，并与实验相比较，结果表明：该模型与实验相吻合。     

尺寸效应对纳米银杆拉伸力学特性的影响

采用分子动力学方法研究了圆柱纳米银杆沿[001]晶向单向拉伸时的力学特性，纳米银杆拉伸时所表现出的特性与其宏观特性基本一致．拉伸过程分为弹性变形和塑性延展2个阶段：在弹性变形阶段，应力随应变的增大呈线性增大；在塑性延展阶段，应力则表现出反复振荡，系统由一种结构经错动、滑移演化为另一种结构，是造成此种现象的一个重要原因．研究结果表明，随纳米银杆整体尺寸的增大，纳米杆的弹性模量增大、弹性极限应力减小，并都随整体尺寸的增大而趋于宏观值．随着纳米杆单方向的减小，纳米银杆的弹性模量和弹性极限应力均有不同程度的增加，并不随单方向的增加表现出趋于宏观值的一致规律．     

界面电子转移对纳米TiO2薄膜导电性的影响

研究纳米TiO₂薄膜的导电性与薄膜厚度和基底材料的关系. 结果表明， 沉积在Ti和Si基底上的TiO₂薄膜的电阻率随着膜厚的 增加而非线性增大, 分别经历了导体、 半导体到绝缘体或半导体到绝缘体的电阻率范围的变化过程， Ti O₂薄膜导电层厚度也不相同， 沉积在玻璃表面TiO₂薄膜为绝缘体. 这些现象是界面电子在界面的转移所致， 基底材料与薄膜功函数差的大小决定了导电层厚度.