三维横向晶场稀疏Ising模型的相变行为及磁化

在有效场理论和切断近似的框架内,研究自旋S=1横向晶场稀疏Ising模型的相变行为和磁化.研究发现晶场稀疏情况下,相图的负晶场方向存在临界温度的峰值,正晶场方向随晶场浓度的降低出现重入现象,高温和低温下的磁化存在许多差异.     

键稀疏和随机晶场作用的铁磁系统的三临界性质研究

在伊辛模型的框架内考虑键稀疏和随机晶场作用的铁磁自旋系统的三临界特性，采用有效场理论推导磁化表达式，重点研究方格子的三临界特性随键稀疏和随机晶场的改变呈现出的一些新的变化，并给出了相应的相图．     

基于无序Blume-Emery-Griffiths模型的铁磁材料临界性质研究

在有效场理论的框架内,基于无序Blume-Emery-Griffiths模型研究铁磁材料的临界性质,模型中同时考虑键稀疏和随机晶场两种无序分布,所给出的相图显示二级相变线中存在由双三临界点确定的一级相变区,一级相变区将随键稀疏浓度的增加而扩大,晶场的两种不同随机行为显著地影响一级相变区和重入相变.     

稀释晶场中最近邻弱交换相互作用对重入现象的影响

利用有效场理论研究了稀释晶场中混合自旋Blume-Capel模型纳米管系统的重入现象,得到了系统的重入现象与稀释晶场取值概率、晶场和外壳层与内壳层格点间最近邻交换相互作用的关系.结果表明:取值概率、交换相互作用和晶场强度等诸多因素相互竞争,使系统表现出比恒定晶场作用的Blume-Capel模型更为丰富的磁化行为:负晶场...     

随机晶场作用的Blume-Capel模型的相图研究

在有效场框架下,运用切断近似的方法,取自旋S为1的三维简立方格子,对随机晶场作用的Blume-Capel模型(BCM)相图进行研究,重点探讨随机晶场浓度和不同的晶场分布形式(晶场比率参数α)对相图的影响,具体分析了4种晶场分布形式:晶场稀疏分布,正负晶场对称分布,正负晶场非对称分布和负晶场随机分布,并给出相应的相图。在晶场稀疏情况下,三临界点(TCP)存在于一定的晶场浓度范围内,低温区域出现相变线的重入现象和晶场简并模式;α=-1.0和α=-0.4时,临界点存在的晶场浓度范扩大,相图出现正晶场分布,特别当α=0.4时,三临界点始终存在,重入现象和晶场简并模式消失,二级相变线始终与晶轴没有交点,相变线均无趋于∞,磁有序相范围减小。     

稀疏晶场作用的键无规BCM的相变特性和自发磁化

在有效场框架下,就三维稀疏晶场作用的键无规BC模型(BCM)的相图进行了研究。具体分析了三临界点(TCP)随稀疏晶场和键无规这两种无序因子的变化关系及相变曲线呈现的一些新特征,给出相应的相图,并给出自发磁化曲线。     

键稀疏混合不同横场亚铁磁自旋系统的磁学性质

利用有效场理论研究了键稀疏混合不同横场伊辛亚铁磁自旋系统的磁学性质．重点给出了平方晶格的磁化曲线．如果键浓度在某一范围内变化,我们发现当不同横场在一限制区域时可获得该系统的补偿温度．我们在文中讨论了不同横场对补偿温度和磁化曲线的影响．并得到有意义的结果．     

具有三模外场和晶场作用的横场Ising模型的临界性质研究

在有效场理论和切断近似的框架内,研究三模外场和晶场作用自旋S=1横场Ising模型的临界性质,在T-h空间中横场和三模外场参数的变化对三l临界点、二级相变以及基态时外场简并均有很大的影响,横场与合适的三模外场参数能有效地抑制三临界点;T-D空间中三模外场及合适的三模外场参数在无横场时呈现出另一类三临界点和重入相变,横场的引入可很好地抑制三临界点和重入相变,在一定的横场作用范围内三临界点可出现起伏.     

具有单离子各向异性场的键稀疏混合横向伊辛自旋系统的相图(英文)

本文在有效场理论的框架内研究了具有单离子各向异性场的键稀疏混合横向伊辛自旋系统的相图。重点给出了蜂窝晶格的相图。如果负单离子各向异性场参数不大且横场值较小,我们观察到在目前的系统中重入相变可能发生。横场对重入相变行为的影响在本文中也进行了讨论。     

具有铁磁性Ising模型的磁性质

以Fe4N为原型,构建在晶场作用下的混自旋Ising模型。利用平均场理论,得到该模型的磁矩和自由能公式;绘制了不同相互作用下的磁化曲线;研究了系统的磁性质。发现系统发生了丰富的相变特性:系统存在一级有序-无序相变、重入现象和二级相变;晶场D_A/|J_1|和D_B/|J_1|对系统的磁性质所起作用相似。随着晶场的增加,一级有序-无序相变的温度升高,重入现象的温度降低;一级有序-无序相变和重入现象的温度间距逐渐缩小,直至这两种相变消失。     

双模随机晶体场对混合自旋1/2和自旋1纳米管上相变的影响

本文利用有效场理论研究了自旋1/2和自旋1混合Blume-Capel模型在具有双模随机晶体场的圆柱形Ising纳米管上的磁化和相变. 通过数值计算,我们得到了随温度和随机晶体场参数变化的相图和磁化强度. 结果表明: (1) 改变晶体场的概率和比例,双模随机晶体场可以描述不同掺杂原子对自旋的作用;(2) 对于一定的概率值、负或正的晶体场和晶体场的比例值都存在临界点;(3) 系统显示多种相变温度,一阶相变和二阶相变.     

层状Heisenberg亚铁磁系统的温度补偿行为

采用双时温度格林函数方法讨论了具有层间耦合的蜂窝状晶格3/2和5/2混自旋亚铁磁Heisenberg系统全温区的磁性行为·讨论了晶体场单离子各向异性和层间耦合效应对系统磁矩、转变温度和补偿温度的影响·给出了子晶格磁矩和总磁矩在不同的晶体场单离子各向异性和层间耦合效应随温度变化曲线,系统的转变温度和补偿温度随晶体场单离子各向异性和层间耦合效应变化的相图·分析表明:系统存在多种磁矩曲线,当晶体场单离子各向异性和层间耦合超过最小值(D1min/J和J1min/J)后才会出现补偿现象,补偿温度随D1/J和J1/J的增大而减小,最后趋于不变·     

高自旋横向Ising模型的基态磁性

采用相关有效场理论,对具有正方点阵结构的S=2横向Ising模型,推导出系统的磁矩公式,并利用数值计算方法得到了基态的磁化曲线。研究发现在基态下,系统随晶场或横场的变化产生了一级有序—有序相变、一级有序—无序相变及二级相变,二级相变普遍存在,一级相变只存在于狭窄的晶场和横场范围内。     

一维亚铁磁无序混合自旋链的磁特性的Monte Carlo模拟

基于一维自旋链模型,采用Monte Carlo方法模拟研究了具有反铁磁相互作用的自旋S-1和自旋S-3/2混合的亚铁磁系统的磁特性,重点研究了自旋的无序排列对此混合系统磁特性的影响.研究发现,基态时,当自旋S-1和自旋S-3/2交替混合(有序排列)时,系统存在M-H磁化曲线的阶梯效应;而当自旋S-1和自旋S-3/2无序混合时,系统的阶梯效应出现涨落,台阶甚至消失.最后,通过对系统自旋组态和能量的研究,解释了该混合系统中所产生的阶梯效应和相图.     

外场中具有长程相互作用S-1/2 XXZ双链的量子相变

采用平均场Jordan-Wigner变换分析方法,研究外场中且具有Z方向均匀长程相互作用自旋-1/2XXZ双链的量子相变,得到了系统格点的亥姆赫兹自由能、格点磁化强度等热力学量的解析表达式及其数值解.数值结果与其他文献的结果相符.     

二维含铁磁耦合费米气体磁学性质的研究?

在平均场理论的框架下,推导出外磁场中具有铁磁耦和作用的二维费米气体的自洽方程,在此基础上,运用量子统计力学研究系统的磁学性质.结果表明总磁化强度密度随磁场强度的增大会出现极大值点,且随铁磁耦合强度增大,极大值点向磁场减弱的方向移动.总磁化强度密度也随Lande因子的增大,发生由抗磁性向顺磁性的转变.