半导体量子点发光特性研究

目的：研究影响半导体量子点发光的主要因素及影响机制。方法：采用激子模型对半导体量子点的发光特性进行了研究。结果：得到了量子点的激子能级随外界条件的变化情况。结论：量子点所处的外部环境会不同程度的影响其发光特性,因此量子点的发光特性还有待进一步研究。     

科学家发现新型超薄材料有望引发新工业革命

据外电7月23日报道，由曼彻斯特大学安德烈一杰伊姆教授率领的英国一俄罗斯联合科研小组发现了新型超薄材料，这让人类原先只能在科幻电影和科幻小说中看到的那些曾经属于幻想中的材料最终变成了现实。这些新材料的问世无疑将在人类日常生活中产生深远的影响并将引发新一轮的工业革命。     

贝尔实验室的半导体研究

本文叙述了贝尔实验室有关半导体理论和实验研究的工作，涉及到晶体管效应发现，输运和散射理论，半导体光谱学，深能级研究和电子－空穴液的内容。     

科学家发现新型超薄材料有望引发新工业革命

哈佛医学院的研究者发现能够延长寿命的4种SIR2基因，并提出整个SIR2家族基因都与控制寿命有关。研究者指出，可能会找到能够延长寿命的药物针对的靶位，从而预防或者治疗老年相关疾病。研究结果发表在7月28日的《科学》杂志网络版上。哈佛的科学家们最初是研究红酒可以延长迄今为止检测的各种有机物寿命的分子学机制，从中发现了这个基因。     

混晶GaAs1—xPx：N中等电子杂质束缚激子的发光

在７７Ｋ流体静压和低激发功率密度两种不同实验条件下，对组分ｘ＝０．８８混晶材料ＧａＡｓ１－ｘＰｘ：Ｎ的光致发光进行了研究，在发光谱中分别明显地出现ＮＮｉ（ｉ＝１，３）对束缚激子的发光峰。观察到压力下Ｎｘ带发光猝灭及谱带窄化。低温下，降低激发功率密度，Ｎｘ谱带移向低能量位置并且半宽变窄。实验结果表明发生Ｎｘ束缚激子从孤立Ｎｘ中心到ＮＮｉ中心的热激活转移，分析结果说明，在加压和低激发密度下，发生这种转     

论可持续发展与生态工业革命

１９７２年罗马俱乐部发表《增长的极限》 ,引发人们对危及人类未来持续发展的一系列全球性问题进行深刻反思。１９９２年 ,里约热内卢世界环境与发展大会上 ,人类的可持续发展问题正式在全球范围达成广泛共识。此后 ,有关什么是可持续发展 ,以及如何评价可持续发展 ,采用哪些评价指标体系等理论问题引起了学术界广泛深入的讨论。可持续发展的概念也从生态环境、资源利用扩展到历史文化、社会制度等诸多方面。在各种理论探讨不断深入的同时 ,更为迫切的实践工作也在逐步展开。近年来 ,发达国家不少有识之士已经认识到工业化引发的危机 ,必然…     

新型发光材料

介绍光致发光材料的发光原理，特性，生产工艺及应用，介绍了基质和激活剂的选用，所 制造的新型发光材料，消耗电能少，结构简单，能长期重复使用，没有放射性辐射，不危害人体健康。     

半导体发光二极管的研究与分析

在简介半导体发光二极管的辐射复合基础上,。详细讨论了包括Ⅲ-Ⅳ,Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料和多孔硅（PS）等新发光材料在内的各种发光材料的发光机理,发光二极管的结构与特性,并介绍了半导体发光二极管在近代科学中的应用。     

硫化锌发光薄膜中铒发光中心

观察硫化锌发光薄膜中铒离子各激发态发射光谱的瞬态特性,测量时间常数随外加电压的变化规律,分析硫化锌薄膜中铒发光中心的能量状态。     

新型发光材料—稀土元素

自从1879年爱迪生发明了白炽灯,人们开始走出漫漫长夜。灯泡的诞生,开创了人类由使用火焰照明到电光源照明的新纪元。100多年来,电光源的发展经历了一段漫长而又辉煌的历程。作为人类第一代光源的白炽灯,一直延续到今天。白炽灯光效率较低,只有10%的电能转变为可见光,而剩余的90%变成热能白白地浪费掉。1939年,美国 GE 公司研制出低气压气体放电灯,后来在灯管上涂上了荧光粉,成为荧光灯,它的发光效率比白炽灯提高了5倍。到50～60年代,人们又相继研制出低压钠灯、荧光高压汞灯、大功率长弧氙灯等气体放电灯,这些电光源称之为第二代电光源。到本世纪70年代,由于受世界能源危机的冲击,开发高效节能电光源产     

英国工业革命的基础和环境

西方的英国工业革命起源学说有两大漏洞：一是把工业革命理解为一场纯经济的变革，二是把历史发展归结为少数天才人物的创造。本文从下往上看英国工业革命的起源，把历史研究的着眼点定位于广大的劳动人民，并从政治、社会和文化等领域来探讨英国工业革命的基础和环境。     

新型长余辉发光材料

长余辉材料是光致发光材料的一个重要的分支。该种材料经紫外线或可见光照射后，在一定时间内可以保持发光，发光谱的波长在可见光的范围之内。寻找发光持久、亮度高、环保性好的长余辉发光材料，成为当今材料物理技术领域的研究热点之一。20世纪90年代在铝酸盐体系中发现的以Eu^2 为代表的稀土离子的特长余辉发光现象是长余辉发光材料研究历史上的一次飞跃，其应用范围涵盖工农业生产及人们生活的许多方面。     

新型聚合物半导体薄膜及其场效应晶体管的研究

以新型的有机聚合物半导体(DPPTTT(poly(3,6-di(2-thien-5-yl)-2,5-di(2-octyldodecyl)-pyrrolo[3,4-c]pyrrole-1,4-dione) thieno [3,2-b] thiophene))为研究对象,利用溶液法制备了有机半导体薄膜并进行了一系列表征.发现半导体薄膜的厚度、表面粗糙度和拉曼峰强度均随溶液浓度和转速呈规律性变化.以该材料作为半导体活性层制备了p型有机场效应晶体管,发现当沟道长度降低到50μm时,器件的有效载流子迁移率最高,达到0.12 cm~2/Vs;同时观察到随着沟道长度的降低,载流子迁移率与阈值电压都有增大的趋势,这与普遍观察到的短沟道效应相反.这些研究内容或许可以为更好地理解有机场效应晶体管及器件物理提供新的观点.     

新型电子清洗工艺对半导体表面的清洗效果

报告了一种新型电子清洗工艺，该工艺采用了被命名为ＤＺ－１和ＤＺ－２的两种新型电子清洗剂分别与９５％体积的去离子水配制成清洗液，先后用超声波清洗，用高频Ｃ－Ｖ测试和原子吸收光谱分析研究了清洗效果，用该工艺清洗过的硅片生长的二氧化硅层中固定电荷密度在１０＾１０ｃｍ＾－２数量级，去重金属离子能力与常规ＣＭＯＳ／ＳＯＳ栅氧化工艺相当，新型清洗工艺具有操作简单，价格低廉，且无毒，无腐蚀和对人体无危害，对环境     

半导体超晶格结构中电子的量子磁隧穿

将厄密函数作为包络波函数解析地求解了电场和磁场同时垂直作用在超晶格结构上的一维有效质量方程，利用传递矩阵方法求得电子隧穿双势垒结构的传输系数，并对计算结果作了讨论．     

接触不良引发发光连接的动态变化

接触不良引发的发光连接温度高、隐蔽性强、普遍产生于电气线路中,是诱发电气火灾的重要引燃热源之一,涉及铜氧化、传热、电场间的复杂耦合与相互作用。为探究发光连接产生过程中关键参数的动态变化,该文通过构建发光连接实验平台,测得铜氧化物桥生长速率、电阻增大速率和温度,揭示了铜氧化物、电阻和温度相互作用规律。实验结果表明：铜氧化物桥长度和电阻均随时间线性增大;温度先升高,最终稳定在1400～1 600℃;随电流增大,铜氧化物桥生长速率增大,生长持续时间延长,电阻增大速率先增大后减小。接触不良引发发光连接是氧化程度加深、铜氧化物电阻率随电流改变、铜氧化物热容随温度变化等共同作用的结果。     

3D打印技术：第三次工业革命的领跑者

2012年,XPRIZE公司的CEO Diamandis博士在谈到未来电子及工业创新时,重点提到了3D打印技术。在2013年的意法半导体传感器设计大赛中,获得最高奖的西电代表队的作品外形也是用3D打印技术制造出来的。在中国北京DRC基地的首家3D打印体验馆里,     

半导体PN结与晶体管中载流子运动形式的讨论

晶体管中ＰＮ结的Ｐ型区和Ｎ型区载流子浓度差别很大，从这一事实出发分析晶体三极管的电流放大作用，提出了载流子在基区的运动是漂移而不是扩散的观点。