天域半导体:聚焦核心技术攻关推动碳化硅半导体产业发展

第三代半导体碳化硅(SiC)作为典型的宽禁带半导体材料,因其优越的物理特性,非常适合在大功率、高温和高频环境下应用,也是目前产业化程度最高的三代半材料,其产品应用场景已覆盖电源/功率因数校正(PFC)、光伏、新能源汽车/充电桩、风能、轨道交通、智能电网等诸多领域.与传统的硅基器件相比,碳化硅制造出的电力电子器件体积更小...     

台湾地区半导体材料产业发展概况

正台湾地区半导体材料产业结构半导体材料产业主要是针对中下游的制程应用而设计生产,由于中下游的技术演变快速,而且材料对产品质量的影响较大,中下游客户在重视良率与可靠度验证结果的考量下,一般仍以国外大厂材料为首选,致使台湾地区的材料产业进入障碍较高,学习曲线长。由于半导体材料占下游产品的生产成本比重并不高,且材料质量良莠往往会影响到产品的电     

半导体SiC材料研究进展及其应用

作为第三代的半导体材料,SiC具有带隙宽,热导率高、电子的饱和漂移速度大,临界击穿电场高和介电常数低,化学稳定性好等特点,在高频、大功率、耐高温,抗辐照的半导体器件及紫外探测器等方面具有广泛的应用前景。文章综述了碳化硅的发展历史,介绍了SiC材料的生长工艺技术,并简要讨论了SiC器件主要应用领域和前景。     

国内外硅半导体材料产业现状及发展

概述了国内外硅半导体材料（多晶硅、单晶硅、硅片）的产业现状,得出国内外硅半导体材料产业、市场及技术状况的基本结论,并分析了我国硅半导体材料产业发展的机遇、存在的问题及发展的趋势.     

天津市半导体材料产业发展方向及对策研究

半导体作为尖端技术和高附加值产业备受各国关注,已逐步发展成全球经济增长的支柱型产业。天津市半导体材料产业发展经历多年的技术积累和成果堆叠,已形成初具规模化、系统化、多元化的产业版图,但面临的瓶颈和挑战也不容忽视。通过梳理天津市半导体材料产业发展现状及存在问题,并结合实际情况提出产业发展方向,对于培育和发展天津市新材料领域代表性产业有一定意义。     

广东省集成电路材料产业发展现状及建议

发展集成电路是党中央、国务院加快培育发展战略性新兴产业、建设制造强国的重要战略部署.集成电路材料是集成电路产业发展的基石,处于集成电路产业上游,集成电路的每一个技术创新都会对相应的材料提出新的要求,材料研发和应用的每个进展都为集成电路新结构、新器件的开发提供了新思路、新路径,正所谓一代器件,一代工艺,一代材料.本文对广...     

稀磁半导体材料的研究进展

本文系统地对稀磁半导体（DMS）材料的发展历史进行了总结,介绍了DMS的分类、物理性质和制备方法,并DMS的研究方向进行了展望。     

加快发展杭州市半导体照明(LED)产业的建议

半导体照明（简称LED）作为新型高效固体光源,具有长寿命、节能、环保、安全、色彩丰富等显著优点,将成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃,是世界照明工业的一次全新的革命,被公认为21世纪最具发展前景的高技术领域之一。我国的LED产业正处于产业发展初期,国际产业逐步向国内转移,杭州已具备初步的产业基础并具有极大的发展潜力。加快发展LED产业,无疑是杭州提高自主创新能力、抢占科技制高点、突破关键技术、推进原始创新、调整产业结构、转变经济发展方式、建设创新型城市的重要体现。     

厦门高性能膜材料产业发展现状与建议

高性能膜材料是解决水资源、能源、环境问题和传统产业技术升级的战略性新材料,具有节约能源和环境友好等优点。本文主要介绍厦门高性能膜材料产业发展现状,并提出厦门进一步发展高性能膜材料的建议。     

金属氧化物半导体纳米气敏材料研究进展

由于社会需求紧迫,金属氧化物半导体纳米气敏材料成为当今研究的热点。本文综述了从材料元素的组成、形貌及尺寸的控制以及制备方法等方面来提高金属氧化物半导体纳米材料气敏性能的研究进展。     

银基半导体光催化材料的应用研究进展

银基半导体材料具有良好的可见光响应特性和等离子体效应,因此银基材料作为可见光响应的材料广泛用于可见光光催化材料的构筑,以及应用于光分解水制氢、光降解污染物、抗菌等领域.文章从银基材料所含金属种类的不同,从一元金属到多元金属银质材料以及复合银基材料方面的研究进行了综述,并概述了其主要应用.最后,展望了银基半导体材料在光催化材料的构筑及应用方面的未来发展趋势.     

半导体光电结构材料及其应用

半导体光电结构材料广泛应用于信息、照明、交通、能源、医疗、军事等领域.介绍了厦门大学近年来在半导体光电结构材料研究的进展,着重介绍高Al组分AlGaN、高In组分InGaN、GaN基半导体、Si基半导体、ZnO基半导体等结构材料研发中所取得的进展及其在大功率LED、紫外LED、激光器、探测器、太阳能电池等光电器件中的应用.     

碳化硅材料与器件

对碳化硅的研究从1907年就开始了，当时H．J．Round通过在一个金属针和碳化硅晶体之间加上偏压示范了黄色与兰色的辐射光。1932年俄国科学家OleyLosev发现了出自碳化硅的两种类型的光辐射，现在我们称之为预击穿光线和场致发光辐射。人们在半个世纪以前已经认识到了在半导体电子学中使用碳化硅的潜力。它最值得注意的性质是（1）宽能带间隔，对于不同的多形体为3至3．3eV；     

金刚石、碳化硅复合热传导材料的发展

金刚石或碳化硅增强的金属基或陶瓷基复合热传导材料理论上具有高的热导率、低的热膨胀系数,然而金刚石或者碳化硅与基体的界面结合问题严重降低了复合热传导材料的热导率。通过改善烧结工艺、添加碳化物形成元素、增强相表面镀铜等方法来解决问题,虽取得一定效果,但并未完全解决界面问题。本文介绍了两种更为有效的解决手段,在金属基复合材料中,通过在增强相表面镀覆碳化物金属镀层的方法改善界面结合问题;在陶瓷基复合材料中,采用添加活性添加剂以及在增强相表面镀覆障碍层的办法解决陶瓷基复合热传导材料中的氧化问题。     

三代半导体材料发展历程

正第一代半导体材料:主要指硅(Si )、锗( Ge)元素半导体材料兴起时间:20世纪50年代性能特点:取代了笨重的电子管,促进了集成电路的产生。主要应用:低压、低频、中功率晶体管、光电探测器。第二代半导体材料:以砷化家(GaAs )、磷化钢(InSb )为代表兴起时间:20世纪70年代     

新能源硅产业碳化硅切割废料回收利用研究进展

 随着硅片需求量迅速增加,其在切割过程中使用切割液形成了大量的切割废液.对新能源硅产业生产切割技术概况、碳化硅切割废料在线回收工艺和离线回收工艺进行论述.重点介绍切割废液离线回收工艺中的物理法和化学法及研究展望.结果表明,国内外对切割废液的回收利用从单一回收碳化硅到综合回收碳化硅、聚乙二醇和硅已成为发展的趋势.切割废液的离线回收工艺中物理法具有能耗小、工艺简单、设备造价低和易于工业化等优点.其中选择有效的捕收剂利用泡沫浮选技术分离方法,操作简单,分离效率高,具有潜在应用价值,是当前研究重点.化学法通过原料的转化,在制得新产品同时回收碳化硅物料,物料回收纯度高,具有一定的潜力,需要作进一步研究.     

基于二维层状半导体材料的光电极特性及其研究进展

自石墨烯被发现以来,具有带隙的二维层状半导体材料得到了广泛关注,它们可以覆盖太阳光谱中从红外到紫外的各个波段范围,为充分利用太阳能奠定了基础。光电极作为光电化学池的重要组成部分,能够直接将太阳能转化成化学能,可以实现光催化制氢,是目前光电研究的前沿方向。二维层状材料由于具有比表面积大、容易担载、缺陷的化学活性强等优点,成为目前光电极研究的首选材料,在高效利用太阳能方面具有潜在的应用价值。从光电极的基本光物理和光化学过程出发,文中介绍了基于二维材料光电极的制备、光电特性及其最新研究进展,并对其未来的发展趋势进行了思考和展望。     

台湾发展半导体产业的启示

半导体产业作为台湾“两兆双星”计划重点发展的产业之一,台当局投入大量的财力物力予以重点推进,并取得了不菲业绩。本文从台湾半导体产业的现状入手,追溯其发展的历程,从而挖掘对我国发展半导体产业的启示。     

浅析我国的半导体产业发展

近年来随着电子信息产业的飞速发展,我国的半导体产业也具备了一定的规模和基础,但与发达国家相比还有较大差距,而且我国半导体产业的发展也存在着不少困难,对于如何进一步发展我国的半导体产业,本文试着分析了几点建议。     

环境友好半导体材料Ca2Si的研究进展

Ca2Si是由两种丰富且无毒的化学元素构成,被认为是很有前景的新型环境半导体材料之一。文章综述了近年来Ca2Si的晶格特性、光电性质及其制备方法的研究进展,并着重对两步法制备Ca2Si薄膜进行了介绍,最后展望了Ca2Si的应用前景,探讨了当前Ca2Si研究领域中存在的问题。