钨硅杂多化合物的导电性

本文合成了过渡金属取代的钨硅杂多配合物a－SiW11M（M=Fe3 、Ni2 、Cu2 ），并通过红外、紫外、ICP一DTA、EPR、183WNMR、XPS等手段进行表征。电导率结果表明，该类化合物是一类未见文献报道的新型高质子导体。     

过渡金属取代的钨磷杂多配合物的导电性及磁性

杂多化合物具有独特的结构和优异的性能，在催化、热稳定性、抗病毒等方面有广泛用途．我们曾报道了取代型钨像杂多化合物［１］以及钨硅杂多化合物［２］的导电性和磁性，在本文研究了取代型钨磷杂多配合物的导电性和磁性．过渡金属的钨磷配合物热稳定性好，导电能力强，且具有磁交换作用，是一类新型的有实用前景的无机分子功能材料．１实验部分 所用仪器为：Ｕ．Ｓ．Ａ ＢＩＯ－ＲＡＤ ＦＩＳ－７， Ｌｅｅｍａｎ　ＩＣＰ发射光谱仪，ＣＡＨＮ—２０００磁天平（美国ＣＨＡＮ公司），ＥＲ ２００—Ｄ—ＳＲＣ １０／１２电子顺磁共振仪（…     

单过渡金属配位的钨硅杂多化合物的合成性质及催化作用

本文合成了4种具有Keggin结构的杂多化合物K8SiW(11)O(39)·xH2O，K6[SiW(11)Z(H2O)O39]·xH2O(Z=Mn(2+)，Co(2+)，Ni(2+)），并通过元素分析极谱—循环伏安、差热热重、红外光谱X射线衍射等技术对这类杂多化合物的性质进行了系统研究，并对其结构和对H2O2分解的催化活性的关系进行了探讨。     

ICP—AES在贵金属取代的钨杂多化合物元素分析中的应用

用电感耦合等离子体原子发射光谱法（ＩＣＰ－ＡＥＳ）测定贵金属取代的钨杂多化合物中的Ｓｉ，Ｐ，Ｗ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｐｄ，Ｐｔ７种元素，获得了满意的结果，方法满足杂多化合物元素组分分析的要求。     

三取代钨锗杂多化合物的导电性

合成了3A金属取代的钨错杂多化合物：α－GeW9M3（M＝A1，Ga，In）。通过元素分析、红外、紫外、183WNMR以及热分析手段进行了表征。测定了电导率。结果表明：所合成的杂多化合物热稳定范围宽，不易失水，将是一类新型固体电解质。     

有机钛取代的Keggin型硅钨杂多化合物的合成、表征及其生物活性研究

制备了一种有机钛取代的Keggin型硅钨杂多化合物———α-K4H3[(CpTi)3S iW9O37].11H2O(缩写为α-(CpTi)3S iW9Cp=η5-C5H5)。通过元素分析、IR、UV-V is、TG、1H NMR和183W NMR等研究方法对其结构进行表征,结果表明该化合物仍然保持Keggin型母体结构。生物活性实验表明有基钛取代的化合物具有很好的体外抗肿瘤活性。     

新型取代缺位钨杂多酸盐的合成与结构

标题化合物K4[H3 xSiCoxW12-xO40]·16H2O(x=0.75)是由硝酸钴Co(NO3)2与β-11-钨硅杂多酸盐β-K8[SiW11O39]反应制得的.其晶体属于四方晶系,空间群为P4n2,晶胞参数:a=b=1.412(2)nm,c=1.2384(3)nm,α=β=γ=90(°),V=2.4692(8)nm,Dc=4.343g·cm-3,Z=2.X-射线单晶结构分析表明,其晶体是由具有硅氧四面体SiO4为中心,具有D2d对称性的阴离子[H3 xSiCoxW12-xO40]4-、阳离子K 以及水分子堆积而成三维结构;其中Co2 统计地取代了β-11-钨硅杂多酸盐的空位,不同于熟知的α-、β-或γ-型单空位取代杂多酸盐结构的形成过程也作了讨论.     

光化学合成缺位型α－9－硅钨杂多化合物及其性质研究

利用光化学方法合成了一种硅钨杂多化合物．元素分析得到该杂多化合物的分子式为H10SiW9O34·4H2O．通过UV—Vis,IR,XRD,TG—DTA和电化学等方法对化合物进行了表征,并与H4SiW1240杂多酸（记为SiW12）和标准样品α—H10SiW9O34·4H2O（记为α—HSiW9）的性质进行比较研究,结果表明标题化合物为理α-H10SiW9O34·4H2O,是一种三缺位的、具有Kcggin基本结构骨架的杂多化合物．     

锰取代杂多化合物Cs5[PW11O39Mn(Ⅱ)(H20)]的单晶结构及磁性研究

在水溶液中合成了一个新的锰取代杂多化合物Cs5[PW11O39Mn(Ⅱ)(H2O)]的单晶.通过元素分析、红外光谱和X-射线单晶衍射确定了其组成和结构.标题化合物属于四方晶系,空间群P42/ncm,P离子配位数为4,处于变形四面体的配位环境中;W和Mn离子配位数为6,处于变形八面体的配位环境中.其磁性研究结果表明,该化...     

Sn~II取代的Keggin型杂多化合物的合成及性质研究

合成了SnII取代的钨磷、钨硅杂多化合物,用IR、电子光谱、31P NMR对样品进行了表征,并对其热稳定性和循环伏安性质进行了测定.结果表明,SnII取代化合物具有Keggin结构,但Sn2+并未进入空穴位的中心.SnII的引入提高了S i系化合物的热稳定性,但使杂多阴离子的可还原性降低.     

α-Na_mH_n〔GaW_9M_3(H_2O)_3O_(37)〕·16H_2O杂多配合物的导电性及磁性

合成了过渡金属三取代的钨镓杂多配合物α－ＮａｍＨｎ〔ＧａＷ９Ｍ３（Ｈ２Ｏ）３Ｏ３７〕·１６Ｈ２Ｏ（Ｍ＝Ｆｅ（Ⅲ）,Ｚｎ（Ⅱ）,Ｃｒ（Ⅲ））,杂多化合物通过红外、紫外、ＩＣＰ、ＴＧ－ＤＴＡ、ＥＰＲ、ＸＰＳ等手段进行表征。电导率结果表明,该类化合物是一类未见文献报道的新型高质子导体。这类化合物可望成为新型无机分子功能材料。     

过渡金属为中心原子的锆杂多化合物的合成和性质研究

首次报道了过渡金属为中心原子的锆杂多化合物Ｋｎ〔ＸＷ１１ＺｒＯ４０〕·ｍＨ２Ｏ（ｘ＝Ｃｒ,Ｆｅ）的合成和性质研究,通过元素分析、红外,电子反射光谱、ＥＳＲ谱和极谱对其进行了表征。结果证明过渡金属Ｆｅ,Ｃｏ占据中心四面体位置。     

钼铈（Ⅳ）磷杂多配合物的合成与表征

用分步法制备了新的钼铈（Ⅳ）磷杂多配合物，通过元素分析、红外光谱、紫外光谱、热重分析等性质研究推测其结构为Ｋ５［ＣｅＰＭｏ１１Ｏ４０］·２０Ｈ２Ｏ．     

稀土缺位杂多酸配合物的结构及其性质研究

缺位多酸化合物作为一类并不多见的无机多齿大配体,在与稀土金属离子配合后表现出良好的光学性能和催化活性.笔者在调研相关文献的基础上,综述了稀土金属缺位杂多酸配合物的基本特征,在反映配合物的结构与其性质的关联上,得到一些有价值的信息.     

ICP—AES测定杂多化合物中杂原子与配原子计量比

采用电感耦合等离子体原子发射光谱（ＩＣＰ－ＡＥＳ）法测定了以Ａｓ，Ｐ，Ｓｉ和Ｇｅ为杂原子的钼多酸，钨多酸以及钼钨钒多酸中杂原子与配原子的计量比，对各种类型杂多化合物的预处理进行了研究，重点研究了测定过程中产生的基体干扰和光谱干扰，通过选择适当分析线并采用基体匹配技术，对干扰进行了有效的补偿，获得了准确的杂原子与配原子计量比数据，并由此推断出多酸的一，二级结构，所得结果经ＩＲ光谱和ＮＭＲ光谱证明正确     

介质界面处的磁导率与磁场的新认识

分析了介质界面处的磁导率，得到了其计算公式，由此推得介质界面处的磁感应强度，并用一种新方法论证了这一结论的正确性，澄清了对介质界面处的磁感应强度的错误认识。     

过渡金属杂多钨酸盐的合成、表征及抗结核病菌活性

报道了含过渡金属取代的三元杂多钨酸盐的合成与表征,并对合成配合物进行了抗结核病菌活性实验,发现合成配合物在较低浓度下具有较高的抗结核病菌活性.