聚吡咯／聚硫橡胶原位复合膜的表面结构研究

聚吡咯／聚硫橡胶导电复合膜采用电化学一步法制备,并运用电导率四探针测试仪、扫描电镜、X－光电子能谱、多重内反射红外光谱等分析技术对复合膜的两个表面进行了研究．分析结果表明,原位复合过程中聚吡咯分子链上的部分氮原子与聚硫橡胶的端基－SH之间发生了化学作用;复合膜的电导率和表面形貌受溶剂、支持电解质等制备条件的影响,且复合膜在脱杂过程中,聚合物的微观结构重新形成了新的形态．     

多巴胺在过氧化聚吡咯膜修饰碳纤维微柱电极上的伏安行为(英文)

用电化学方法制备了过氧化聚吡咯膜修饰碳纤维微柱电极,并对其电化学行为进行了研究.结果表明,在中性和酸性缓冲溶液中,过氧化聚吡咯膜修饰微电极能有效地排除抗坏血酸的干扰而选择性地对多巴胺产生响应.     

Mg掺杂对GaN薄膜紫外光电导的影响

报道了用MOCVD方法制备的不同Mg掺杂浓度的GaN薄膜的紫外光电导特性.结果表明,没有进行Mg掺杂和弱掺杂的样品具有显著的光响应,而且光响应弛豫时间也较短,随着Mg掺杂浓度的增加,材料变成P型,光响应变小,且弛豫时间变长.     

聚苯胺／聚硫橡胶复合膜表征（Ⅰ）

以苯胺,聚硫橡胶预聚体为主要原料,采用电化学一步法原位复合,制备了聚苯胺／聚硫橡胶复合膜。用ＬＣＲ电桥,傅立叶变换红外光谱,扫描电镜,Ｘ－射线衍射,Ｘ－射线能量散射谱,热分析对复合膜的导电率,结构进行了研究,讨论了它们的组成,结构与性能之间的关系。     

聚吡咯膜电极对茜素红的电催化作用

用循环伏安法研究了电化学聚合的聚吡咯（ＰＰｙ）膜电极对茜素红电极反应的电催化活性。在聚吡咯膜电极上，茜素红的阳极氧化电流比在铂电极上增加数倍。相应的阴极过程也较铂电极显出一定的催化活性。茜素红在铂电极上和ＰＰｙ膜电极上都显示了吸附现象。在ＰＰｙ膜电极上用电位扫描法载入一定的铂微粒时，载铂微粒的ＰＰｙ膜电极上茜素红的电催化电流进一步增加．在较高的电位和扫描速率下更为明显；但载入的铂微粒过多时，则使电流峰变平坦。     

用不锈钢电极合成高性能聚吡咯导电膜的研究

以水为溶剂、对甲苯磺酸钠为支持电解质,在不锈钢电极上用电化学法合成了聚吡咯膜（ＰＰＹ膜）,发现苯磺酸的存在能更有效地提高ＰＰＹ膜的电导率。在改进的电化学合成条件下,制得了电导率达１５Ｓ／ｃｍ,拉断强度为２５ＭＰａ,拉断伸长率达８％,并能作１８０°弯折的ＰＰＹ膜,产品的电导率有所提高,机械性能明显改善。     

P^＋掺杂浓度分布对硅半导体器件正向特性的影响

为提高硅半导体器件的正向导电特性,文中对器件浓硼扩散、磷扩散和烧结铝电极后P~+-P区掺杂浓度分布、少子寿命等因素的影响进行了实验研究.结果表明:对于烧铝电极器件浓硼扩散改善压降作用主要取决于能否提高器件的少子寿命;磷扩散工艺不当,引起结片阳极面反型,会造成正向压降过高而导致废品;采用烧结铝电极工艺形成的器件,铝硅接触处半导体表面浓度约为10~(18)个/cm~3,与原始表面浓度无明显关系;用P~+取代P~+-P区对降低压降明显有效.对以上实验结果,作者应用P—N结正向导电理论进行了分析和研讨.     

阴离子和酸度对催化电聚合吡咯膜电化学性质的影响

以循环伏安法和现场可见近红外吸收光谱法，研究了催化电聚合吡咯膜（ＰＰｙ）中嵌入的阴离子的类型和溶液酸度对其在水溶液中电化学性质的影响，实验结果表明在０．３Ｖ静止电位下ＰＰｙ在３８０和８２０ｎｍ处有两个吸收峰，不同于非催化电合成聚吡咯。在－０．９～０．２Ｖ电位范围内，聚合过程中掺入膜中的阴离子能与中性水溶液中的阴离子，如Ｔｉｒｏｎ阴离子，Ｃｌ￣－，ＮＯ，ＣｌＯ和ＳＯ离子等可逆地进行电化学嵌入与脱嵌反应；在酸性水溶液中进行阴离子脱嵌和嵌入过程中，当电位达－０．４Ｖ，会发生新的还原反应，从而引起ＰＰｙ结构和吸收光谱时变化。     

不同电位下催化电合成聚吡咯膜的电化学行为

通过循环伏安法研究了以Ｔ＿ｓＯＨ（对甲苯磺酸），ＨＣｌ＿４，Ｈ＿２ＳＯ＿４，ＮａＣｌＯ＿４和Ｎａ＿２ＳＯ＿４为支持电解质，Ｔｉｒｏｎ为催化剂，在不同电位范围催化电合成聚吡咯（ＰＰＥ／Ｐｔ）和该膜电极在相应支持电解质水溶液中的电化学行为．发现ＰＰＥ／Ｐｔ的ＣＶ图、稳定性和电活性随聚合电位及阴离子种类的变化明显不同于非催化电合成聚吡咯．在０～０．８Ｖ电位范围制得的ＰＰＥ／Ｐｔ的稳定性最好，并随支持电解质的变化按Ｔ＿ｓＯＨ，ＨＣｌＯ＿４，Ｈ＿２ＳＯ＿４，ＮａＣｌＯ＿４和Ｎａ＿２ＳＯ＿４的顺序减小．同时讨论了产生变化的原因．     

THE STUDY ON CHLORINATED POLYPROPYLENE (PPCI)-POLYPYRROLE (PPy) COMPOSITE FILM

The chlorinated polypropylene-polypyrrole composite film was synthesized by means of a newmethod for the first time. The effects of various conditions on polymerization and the electric con-ductivity of PPCl-PPy composite film were investigated. It was found that PPCl-FeCl_3 mixturehad an excellent film-forming ability and PPCl-PPy composite film could attain high conductivityat low content of polypyrrole and was stable for heat and atmosphere.     

CN_x薄膜的制备及电子结构

采用反应溅射方法制备了氮化碳薄膜,研究了反应气体压力、溅射功率对薄膜形成的影响,并用Ｘ射线电子能谱（ＸＰＳ） 和富里叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）对样品的电子结构进行了分析．结果表明：反应气体Ｎ２ 的压力太高或太低、溅射功率太大或太小,均不利于氮化碳膜的形成;在Ｎ２ 压力为８ Ｐａ、溅射功率为２００ Ｗ 时,薄膜的氮原子数分数得到最大值４１％ ;ＸＰＳ和ＦＴＩＲ分析结果揭示了膜中没有自由的Ｎ原子,所有的Ｎ原子均与Ｃ原子作用形成化学键,而且Ｃ Ｎ 单键、Ｃ Ｎ 双键、Ｃ Ｎ 三键共存．膜中Ｃ Ｈ 和Ｎ Ｈ 振动模式的存在,说明沉积在Ｓｉ 衬底上的氮化碳薄膜有较强的从空气中吸收氢的能力．     

施主掺杂多晶(Sr,Ba)TiO_3微观结构和介电性能的研究

系统地研究了施主掺杂对多晶SrTiO_3,(Sr,Ba)TiO_3微观结构和介电性能的影响。SEM观察表明:掺杂不同施主,对多晶SrTiO_3晶粒生长起着不同的作用。施主掺杂量影响多晶SrTiO_3,(Sr,Ba)TiO_3晶凿的半导化程度及试样介电特性。     

Effect of addition of poly（ethylene glycol） on electrical conductivity of poly（3,4-ethylenedioxythiophene）-poly（styrenesulfonate） hybrid

By mixing various concentrations of poly (ethylene glycol), a series of poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styeenesuffonate) composite thin films were prepared.The electrical conductivity of the PEDOT-PSS/PEG thin films was measured by the four-pcobe method. Experimental results showed that the inclusion of poly(ethylene glycol) influenced the electrical conductivity of PEDOT-PSS film significantly. With the increase of PEG concentrations, the electrical conductivity sharply increased to reach a maximum and then slowly decreased down. Furthermore, the PEG molecular weight and environment temperature also played important roles on the electrical conductivity of PEDOT-PSS/PEG thin films. A good linear relationship was found between in σDC and T^-1/2 within the entire temperature range detected.     

掺杂效应对氧化锡纳米晶微结构、形貌及其光学性能的影响

以二价SnCl2无机盐为原料，基于配合物前躯体方法制备了氧化锡及铜离子掺杂氧化锡纳米晶．根据DSC和TG分析结果在550℃对前驱体进行煅烧．运用FTIR、UV-VIS、XRD和TEM／HRTEM等测试手段对两纳米晶材料进行了分析表征．掺杂后掺杂相氧化物分散驻留在SnO2晶粒表面，阻止了SnO2晶粒表面的扩散，从而抑制其晶粒生长．此外，铜离子掺杂使得表面缺陷附近的自由电子能有效的定域化，从而使SnO2纳米晶体系的直接和间接带隙能均向高能方向移动．试验证明以无机盐代替金属醇盐为原料是切实可行的，且配合物前躯体法简单易操作，将有利于产业化．     

锆钛酸铅铁电薄膜的MOD工艺制备及其性能研究

致密、纯钙钛矿结构的ＰＺＴ（５０／５０）铁电薄膜已用ＭＯＤ工艺（金属有机物热分解工艺）获得．通过优化原料的提纯和合成工艺，消除了原料中微量杂质离子，控制ＰＺＴ先体溶液合成时的环境温度，制得透明、稳定的锆钛酸铅先体溶液．采用多次甩胶成膜法，经４００～５００℃热处理，在Ｐｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上制得ＰＺＴ（５０／５０）薄膜，膜厚５２０ｎｍ，其介电常数为２７０，损耗角正切为０．０３５（１ｋＨｚ，０．０５Ｖ测试电压），其绝缘电阻率为１０～１００ＴΩ·ｃｍ，剩余极化强度为２０．６μＣ／ｃｍ２，饱和极化强度为２７．７μＣ／ｃｍ２，矫顽场强为８０ｋＶ／ｃｍ     

聚酰亚胺/二氧化硅杂化膜和复合膜的制备与结构研究

采用溶胶-凝胶法和二氧化硅粒子掺杂共混法分别制备了聚酰亚胺/SiO2杂化膜和纳米复合膜.采用红外分光光度计(FTIR)、热重分析仪(TGA)和透射电镜(TEM)表征了所制备膜的结构微观形态和热性能并进行分析对比,结果表明在杂化膜中SiO2在聚酰亚胺基体中可以形成分子级分散,复合膜表现出较强的吸湿性使其热分解温度较低.研究认为,采用溶胶-凝胶法制备聚酰亚胺/SiO2介电材料更为合理.     

基区重掺杂对InGaAs/InAlAs突变HBT电流输运的影响

摘要：基区重掺杂产生禁带变窄效应（BGN）,从而导致HBT突变异质结界面的势垒高度发生改变,这会严重影响载流子的电流输运.本文基于Jain-Roulston禁带收缩模型及电流输运机理,对电子的传输进行了深入的分析,并与实验数据进行了比较,结果表明：在基区重掺杂的条件下,考虑BGN对电流输运的影响,对于准确描述电流的输运现象是非常有必要的.     

磁控溅射法制备PET基纳米TiO_2抗菌薄膜的研究

利用磁控反应溅射法在PET基底上制备了纳米TiO2 抗菌薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM)对制得的溅射膜的微观形貌进行了表征 ,发现采用磁控溅射法在很短的时间内即可在基底上得到一层致密均匀的由纳米粒子组成的薄膜。采用光 -氧抗菌实验方法 ,研究了溅射薄膜的抗菌性能。实验结果表明溅射后的薄膜比未溅射样品具有明显的抗菌性能