二维双原子正方晶格振动的色散关系

利用晶格动力学理论推导了二维双原子正方晶格振动的色散关系表达式,得到第一布里渊区中沿Γ-X、Γ-M和X-M 3种对称方向的声子色散曲线,每一对称方向有四支格波,即两支声学波和两支光学波.讨论了原子质量和次近邻原子间作用对色散关系的影响,结果表明:当两原子质量相等时,3个对称方向的声学波与光学波间无频隙;当两原子质量不等时,声学波与光学波间出现频隙.计及次近邻原子间作用,对Γ点声子频率的大小和简并不影响,两声学模频率为零、两光学模频率简并;对X点声子频率的简并也无影响,但相应频率增大;使M点声子频率的简并度降低,高频声学和光学声子的频率增大,而低频声学和光学声子的频率不变;沿Γ-X方向四支格波仍是非简并的,对应的频率增大,但都表现出色散性;沿Γ-M和X-M方向简并格波的简并度消失,除Γ-M方向低频声学支和光学支频率不变之外,其他格波声子的频率都增大,并且四支格波都表现出色散性.     

三元混晶矩形量子阱线的表面和界面光学声子模

运用改进的无规元素等位移模型和玻恩-黄近似,结合介电连续模型,研究了含三元混晶的矩形量子阱线的表面和界面光学声子模。以GaAs/Al_xGa_(1-x)As和Zn_xCd_(1-x)Se/ZnSe为例,获得了表面和界面光学声子模的色散关系以及表面和界面光学声子模的频率随混晶组分和量子阱线结构的变化关系。结果表明:与二元晶体量子阱线和三元混晶单量子线不同,在GaAs/Al_xGa_(1-x)As和Zn_xCd_(1-x)Se/ZnSe量子阱线中分别存在十支和八支表面和界面光学声子模,这些表面和界面光学声子模的频率曲线分别位于二元晶体和三元混晶的体纵、横光学声子之间的频率区间内,且其能量随混晶组分和量子阱线结构的变化呈非线性变化,三元混晶的"单模"和"双模"性也在色散曲线中体现了出来。     

光学支声子模对谱线热增宽的影响

研究发现光学支声子模对谱线热增增有一定影响，尤其随着温度升高，光学支对热增宽的影响愈加明显，本文人理论上推导了光学支项的计算公式，然后全面考虑声学支和光学支对ＭｇＯ：Ｃ＾３＋ｒＲ线热增宽的贡献，并进行拟合计算，计算结果与实验结果符合很好。     

一种准一维反铁磁海森堡自旋链的自旋波激发

准一维海森堡自旋链具有三支自旋波激发谱(其中一支属于声学模,两支属于光学模)。计算表明:两支光学模能隙是简并的;随着最近邻作用的减弱,声学模自旋波激发谱出现软化现象,但光学模激发谱没有出现软化现象;同时光学模激发谱明显下移,这意味着弱化最近邻作用可以使得光学模激发变得重要且容易实现;当0.1相似文献   

三元混晶核壳量子点中的光学声子模

采用介电连续模型和改进的无规元素等位移模型研究了含三元混晶的球形核壳量子点中的光学声子模,选取GaAs/Al_xGa_(1-x)As和ZnS/Zn1-xCdxS两种球形异质结构进行了数值计算.结果表明,含双模型三元混晶的GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子点中存在五支界面/表面光学声子模,含单模型三元混晶的ZnS/Zn1-xCdxS量子点中存在三支界面/表面光学声子模,且两种结构中的界面/表面光学声子模频率随组分x呈现明显的非线性变化,当量子数l较小(l≤7)时,声子模的频率对混晶组分x和壳层厚度的依赖性较大.     

计及所有长程库仑作用一维双原子链晶格振动的色散关系

在简谐近似和周期性边界条件下,推导考虑所有原子长程库仑作用一维双原子链晶格振动的色散关系.分析讨论长程库仑作用对色散关系的影响,结果表明:随着长程库仑作用的增强,晶格振动模的频率不断减小、色散关系的频隙逐渐变窄直到消失,并且光学支渐渐深陷入声学支中,最终导致光学支在布里渊区中心的最高频率挪到极低频处.     

在Ge和GaAs衬底上气相生长Znse异质结外延膜

一、引言 ZnSe是重要的发光材料。由于Ge和GaAs与ZnSe的品格常数十分接近,它们品格匹配较好,所以生长出来的ZnSc外延层质量较好;另外,以Ge为衬底成本较低,以GaAs为衬底生长ZnSe光学薄膜,可为光学集成创造有利的条件。     

层间耦合与界面自旋波的存在条件

研究了磁场中层间为铁磁性和反铁磁性耦合的两个半无限铁磁自旋链中的界面自旋波及其存在条件。结果表明：在给定链的参数后，对于铁磁性耦合，最多可存在光学－光学型和光学－声学型两种界面自旋波，而对于反铁磁性耦合，则最多可存在光学－声学型和声学－声学型两种。     

两种边界条件的氯化钠结构晶格振动

比较了自由和循环边界条件下氯化钠结构晶格振动计算结果．除平移模外２种条件下其余的模和频率均完全不同．当晶格中２种原子的质量比增大时,自由边界条件下的频谱分布出现２个禁区;不再能分为光学支和声学支     

含非均匀结构量子波导中6支振动模中的声子输运和热导

利用散射矩阵方法,研究非均匀结构调制的半导体量子波导中6支最低弹性声子模的输运系数与热导性质.研究结果表明:当4支最低声学声子模的截止频率为0Hz且当频率接近于0Hz时,透射系数总为1;当2支光学模的截止频率大于0Hz且当频率接近截止频率时,透射系数总为0;声子模的输运系数、量子化热导平台以及热导性质与量子点的结构密切相关;在极低温度下,扭转模的热导对结构最敏感,而随着温度的增大,压缩模与y方向的弯曲声学模的热导对量子点的结构最敏感;改变量子点的结构能有效调节6支单模的热导.     

在极性晶体中表面或交界面极化子的性质

不少极性晶体,电子与表面声学声子、体纵光学声子耦合弱,但与表面光学声子耦合强。本文同时考虑体纵光学声子、表面光学声子以表面声学声子的影响,研究这类极性晶体中的表面或交界面极化子的性质。采用线性组合算符和一种简单的么正变换,导出其有效哈密顿量和基态能量。     

纵、横声学支声子耦合效应的研究

本文采用中子非弹性相干散射获得GaAs单晶沿三个高对称方向传播之所有纵声支(LA)和横声支(TA)的声速,以及独立的弹性常数:C_(11)=12.20,C_(12)=5.60,C_(44)=5.86(×10~(11)dyn/cm~2)。并根据“一级空间色散”唯象理论,讨论了Td点群类晶体,[ζζ0]方向纵、横声学支声子发生耦合的现象与原由。实验与理论计算都表明,这种纵(LA)、横(TA)耦合对其声速的影响,与横、横声学支声子间耦合效应(即旋声性)比较是很不相同的,尽管他们都来自空间色敢的一级展开系数d_(ijo)纵、横耦合引起声速的劈裂是一个很难从现有实验中观察得到的二阶小量。     

生物大分子声子转移理论的初步研究

本文在Frohlich模型的基础上,用非平衡统计方法,较全面地讨论了生物体内大分子中的声子激发、转移和吸收过程。判明了L〉0是一个形成非线性的耗散结构的过程,过程中起主导作用的是光学支;对L=0的过程,本文以胰岛素一受体的缔合反应为例,定量地计算了声子熵的贡献,认为声学支起了主要作用。由于改用丁德拜模型,才使文献(2)所讨论的问题成为我们理论的一个特殊情况。这样不仅满意地解释了实验结果,同时也阐释了生物体发出红外辐射的原因。     

半无限晶体中的表面电子

电子在半无限晶体内表面附近运动时,不仅受表面光学声子和体纵光学声子的影响,而且还受表面声学声子的影响,本文同时考虑体纵光学声子、表面光学声子以及表面声学声子对电子的影响,讨论了在半无限晶体中电子的性质,得到了表面电子的有效哈密顿量、镜像势和自陷能的解析表达式。     

高压下GaAs的光学性质的第一原理研究

应用密度泛函理论体系下的平面波赝势(PWP)和局域密度近似(LDA)方法,利用第一性原理对不同压强下半导体GaAs闪锌矿结构的光学性质进行了模拟计算,得到了各个高压下平衡时晶格常数、总能量和吸收光谱等性质,并结合实验值详细地讨论了高压下GaAs的光学性质.     

瑞利勋爵对现代声学基础理论的开创性贡献

英国物理学家瑞利以严谨、广博和精深称于世，他在光学、声学、黑体辐射问题和氩的发现方面都留下了个人的印记。本通过阐述瑞利在声学领域的杰出贡献，展示瑞利个性鲜明的科研风格和对周围事物沉于理性思考的特征。     

溅射GaAs薄膜的光学性质与有效介质近似

用射频溅射法制备了基本符合化学计量比的GaAs 薄膜,研究了薄膜的结构和成份与溅射条件的关系.利用椭圆偏振光谱法测量了薄膜的光学性质.结果表明,在可见光区,薄膜的吸收系数远大于GaAs 单晶的数值,而介电常数及光学能隙则较低.应用有效介质近似理论计算了薄膜中各种结构所占的体积百分数,并对结果进行了讨论.     

GaAs纳米颗粒复合薄膜光吸收特性研究

对射频磁控共溅射技术制备的GaAs半导体纳米颗粒复合薄膜光吸收特性进行了研究.与大块GaAs材料相比,复合薄膜的光学吸收边发生了明显的蓝移,GaAs颗粒尺寸3 2nm的复合薄膜吸收边蓝移达1 16eV.     

矩形折线波导光学特性分析

给出一种矩形折线波导光学特性的理论分析方法,并以在GaAs衬底上形成的聚酰亚胺P.I./SiO_x(x≈2)矩形介质波导的偏折为实例进行了计算和讨论。     

半无限晶体中表面电子的性质

本文同时考虑了体纵光学声子、表面光学声子以及表面声学声子的影响,研究半无限晶体中表面电子的性质。采用线性组合算符和拉格朗日乘子法,导出电子与体纵光学声子、表面光学声子耦合强与表面声学声子耦合弱情形下表面电子的有效哈密顿量和重正化质量。