纳米半导体材料

阐述了纳米半导体材料的制备方法、纳米半导体材料表现出不同于块状材料的光学性质和目前的研究进展。     

《中国学术期刊文摘》(中文版)综述文摘选登

稀磁半导体的研究进展赵建华(中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京100083)主要介绍了III-V族稀磁半导体(Ga,Mn)As的研究进展,包括(Ga,Mn)As的生长制备、基本磁性质、磁输运特征、磁光性质、磁性起源、相关的异质结构和自旋注入等,同时还简单介绍了其他稀磁半导体如IV族、III-VI族和IV-VI族等稀磁半导体的研究进展,在文章的最后描述了理想的稀磁半导体应该具备的特征以及对未来的展望。     

半导体制冷研究概述

半导体制冷因其无震动,无噪音、可靠性高,熟惯性小、冷量输出无级调节等优点,已成为温控执行器研究的热点之一。本文在介绍了半导体制冷的基本原理后,对目前半导体制冷的关键技术进行了简要分析和总结,包括材料、工作状态．散热方式等方面的研究进展,预测了半导体制冷后续值得关注和研究的方面。     

金属氧化物半导体纳米气敏材料研究进展

由于社会需求紧迫,金属氧化物半导体纳米气敏材料成为当今研究的热点。本文综述了从材料元素的组成、形貌及尺寸的控制以及制备方法等方面来提高金属氧化物半导体纳米材料气敏性能的研究进展。     

半导体光电化学法测定半导体材料的物理参数

光电化学技术以它许多独特的优点为半导体性能测试提供了一种灵敏、方便,有时是其它方法也难以达到的综合性测试方法,尤其是对多层及异质结构材料多数的剖面分布测量.因此,它已广泛应用于材料性能测试和器件工艺.本文总结了半导体材料特性参数的光电化学测试技术,包括导电类型、p-n结位置、载流子浓度、少子扩散长度、深能级、禁带宽度、材料组份,以及部分参数的剖面分布的测定.介绍了国内外的研究进展.     

多场调控氮化物半导体量子结构及其固态光源应用

简要回顾了氮化物半导体发光二极管技术的发展历程,总结了多物理场作为有效调控和裁剪氮化物量子结构关键特性的重要手段,着重介绍了近年来厦门大学在半导体固态光源量子结构材料和器件方面的研究进展,特别是在氮化物半导体量子结构关键技术开发中,率先联合调控化学势场、光场、极化场以及电场等获得的有影响的重要创新成果.     

Petri网技术在半导体生产线建模中的应用

综述了Petri网在半导体生产线优化调度领域应用的最新研究进展,涉及半导体生产线主要特征、建模方法、Petri网类型、调度策略及具体应用等问题,并指出这一领域值得进一步研究的问题和可能的发展方向.     

GaN基半导体中载流子的自旋注入、弛豫及调控

GaN基半导体材料由于其电场可控的自旋轨道耦合以及高于室温的居里温度,在半导体自旋电子学领域引起了广泛的关注.载流子的自旋注入、弛豫和调控是发展半导体自旋电子器件的关键问题.本文回顾了基于时间分辨克尔光谱和平面自旋阀电学测量对GaN基半导体中载流子的自旋注入、弛豫和调控的研究进展.对GaN基半导体的精细能带结构、自旋轨道耦合、自旋弛豫机制及自旋调控等进行了讨论,总结了GaN基半导体自旋电子器件的研究现状并提出展望.     

ZnO基稀磁半导体的第一性原理研究进展

综述了ZnO基稀磁半导体的应用意义及其近些年以来的研究进展。从晶体结构、材料的第一性原理研究现状和待解决的问题几个方面阐述了以ZnO基稀磁半导体的基本特点，并展望了今后的研究重点及发展方向。     

III族氮化物半导体异质结构中载流子的量子输运和自旋性质

III族氮化物半导体具有宽的直接带隙,很强的极化电场,优异的物理特性,是发展高频、高温、高功率电子器件和光电子器件的优选材料．同时,III族氮化物半导体有很长的电子自旋弛豫时间以及很高的居里温度,也成为近年来半导体自旋电子学研究的重要材料体系之一．本文介绍了用量子输运和自旋光电流方法对Gain基异质结构中载流子的量子输运和自旋性质的研究进展．对III族氮化物半导体中的能带结构,子带占据和散射,自旋分裂及自旋轨道耦合机制等进行了讨论．     

第三代半导体辐射探测器研究进展

 以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、金刚石等为代表的第三代半导体具有大的禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子速率、高热导率以及具有高的位移阈能,耐高温、耐辐照能力,在核装置运行监测、空间探测、高能粒子物理探测等领域具有重要的应用潜力。介绍了第三代半导体的相关性质、辐射探测器主要制备方法以及不同类型辐射探测器的研究进展,展望了第三代半导体在辐射探测方面的发展趋势。提出第三代半导体辐射探测器的出现必然会促进核科学、空间探测、粒子及高能物理等方面的研究,对于国家提升核心竞争力具有重要的推动作用。     

过渡金属掺杂ZnO基稀磁半导体的研究进展

简要介绍了ZnO基稀磁半导体（DMSs）材料的最新研究进展,指出了该领域的研究热点和存在的问题,提出了可能的解决方案,并在此基础上对DMSs的潜在应用前景进行了论述。     

半导体温度计的制作与特性研究

对半导体热敏电阻的温度特性进行了研究,确定了半导体电阻的两个性能参数a,b的值,计算出了半导体材料的激活能,得出了各种不同温度下的半导体电阻的温度系数,确定了半导体电阻的经验公式,给出了一元线性回归方程,介绍了制作半导体电阻温度计的方法。     

半导体制冷技术及其在电冰箱中的应用

阐述了半导体制冷的技术特点及其在电冰箱中的应用。半导体制冷具有许多优越性,随着半导体制冷技术的进步,其应用有着广阔的前景。     

ZnO基稀磁半导体薄膜性能研究进展

目前研究磁性半导体的主要方法是对半导体进行过渡金属元素(Mn,Co,Fe)掺杂,使之具备半导体和磁性材料的综合特性,在材料科学和未来自旋电子器件领域具有广阔的应用前景。本文对近几年来过渡金属离子掺杂的ZnO薄膜材料磁性能的研究进展作一综述。     

半导体制冷技术及其发展

半导体制冷主要是帕尔帖效应（Peltier effect）在制冷方面的应用。文章介绍了半导体制冷的原理、优点和不足。半导体制冷器由热电堆和导线组成,无任何机械运动部件,噪音低,无磨损,寿命长 具有高度的可靠性和良好的可维修性 不用制冷剂,对环境没有污染,绿色环保 不足是用于制冷时效率较低,损耗大。半导体制冷在工业、医疗卫生、军事等很多方面得到了广泛的应用。此外在电子设备的方面,半导体制冷也有着广泛的应用。     

贝尔实验室的半导体研究

本文叙述了贝尔实验室有关半导体理论和实验研究的工作，涉及到晶体管效应发现，输运和散射理论，半导体光谱学，深能级研究和电子－空穴液的内容。     

半导体物理

本书是一本教材，系统地介绍了半导体物理的理论知识。为了使学生能更好地理解和应用这些理论和概念，本书还对一些基于半导体的重要系统的原理进行了简单的解释。全书共分10章。第1章半导体简介，介绍了半导体的定义和重要性、半导体理论的基础和一维理想结晶固体的量子态；第2章理想半导体的量子态，重点介绍了三维半导体的量子态；第3章纯半导体的激发态和含杂质半导体的量子态；第4章均相半导体的统计学；第5章半导体中的迁移现象；第6章光效应；     

光催化分解水制氢半导体材料评述

综述了半导体光催化分解水制氢的基本原理以及近年来一些研究进展.对目前报导的光催化材料进行了整理和分类,评述了各种光催化材料的特点和性能;对光催化分解水的研究工作和发展方向进行了展望.     

新一代照明光源——半导体照明

半导体照明具有节能、环保、寿命长等优点,能够应用在各种各样的彩色和白色照明领域.发展半导体照明产业具有重大意义,能缓解能源危机,改善环境污染问题,有利于国民经济可持续发展.本文在介绍人类照明发展里程的基础上,论述了半导体照明的特点,并对半导体照明工程发展趋势作了简单展望.