半导体技术的回顾与展望

简要回顾了半导体技术在五十多年的发展历史，介绍了晶体管、集成电路、功能半导体器件以及半导体材料的研究发展过程和当前的水平，并展望２１世纪初半导体技术的发展方向及其在信息社会中将起的作用。     

氮化镓薄膜研究进展

介绍了CaN薄膜材料的主要性质，制备工艺，掺杂，衬底和缓冲层等相关问题，并概述了GaN基器件的研究现状，提出了目前CaN研究中所面临的主要问题．     

半导体缺陷的研究进展

第10届“半导体中扩展缺陷”国际学术会议于2004年9月12日在俄罗斯莫斯科举行，共有150多名代表参加。会议主席是著名硅晶体位错研究专家、俄罗斯科学院固体物理研究所所长V．Kvedel（克维德）教授，会议国际顾问委员会由著名半导体材料与物理专家Pizzini、Cavanili、Jones等教授组成。     

对称性二硫化物的合成研究进展

二硫化物无论在有机合成方面，还是生物学上都是一类重要的化合物。综述了近年来，对称性二硫化物的最新应用，以及24种通过巯基化合物氧化偶联合成对称性二硫化物的方法．     

RTP硅太阳电池的研究进展

用快速热处理(RTP，Rapid Thermal Processing,)制备太阳电池p—n结开辟了一种新的低成本技术。这些年许多科研机构对RTP系统的设计、RTP快速扩散模型、RTP制作器件做了深入的研究。文章主要介绍了RTP快速扩散模型和回顾了RTP硅太阳电池的发展过程，提出了RTP硅太阳电池研究的一些发展方向。     

纳米半导体薄膜的研究进展

纳米半导体硅薄膜是利用等离子体增强化学气相淀积方法制备的，制备条件可以很好地进行调节控制，纳米硅薄膜由两种组元组成，纳米尺度晶粒组元和晶粒间的界面组元，即晶态相和晶界相组成，这对发展半导体器件，例如量子功能器件和薄膜敏感器件等是特别有价值的。     

黄酮类化合物的生物活性研究进展

对广泛存在于植物中的黄酮类化合物从其多种生物活性方面进行评价,为该类药物的开发利用提供参考,对黄酮类化合物多种生物活性及作用机理进行了系统阐述.     

Thermal properties study on the ablation materials of inorganic silicon compound from organosilicone in high percent conversion

The new type of silicone rubber prepared by organosilicon polymer containing special groups presents the tensile strength of 3.92 MPa and the elongation at break of 285%. Compared with Sylgard~184 sili-cone rubber (Dow Corning Corporation),it has better high temperature resistance and almost no weightlessness from room temperature to 430℃. Thermogravimetric analysis was conducted to re-search the thermal degradation at different temperatures and the heat pyrolysis products were trace determined by FT-IR. The results show that with the increase of temperature,the organic groups of products are gradually decomposed. Organosilicon rubber is gradually changed into the typical inor-ganic SiCO compounds in the process of pyrolysis. Elemental analysis and X-ray photoelectron spec-troscopy results show that the pyrolyzates are mainly composed of Si,C and O elements above 1050℃. X-ray diffraction analysis showes that partial β-SiC crystal structure is brought about gradually from the pyrolysis products at 1050℃ to 1500℃ under nitrogen atmosphere. With the treatment temperature rising,the crystallinity of SiC and cristobalite obviously increases.     

化学刻蚀硅制备太阳能电池减反射结构的研究进展

硅基太阳能电池的关键技术之一是在硅表面制备高效减反射结构,化学刻蚀法是制备减反射结构的最常用方法,其研究热点为贵金属辅助化学刻蚀技术,综述了化学刻蚀硅制备太阳能电池减反射结构的主要方法、刻蚀机理、工艺特征及应用等的研究进展,重点介绍了贵金属辅助化学刻蚀技术的最新研究成果.     

化学气相沉积法在金属衬底上制备石墨烯及其H2刻蚀的研究进展

自2004年首次亮相以来,石墨烯由于其优异的电学、光学、机械和化学性能引起了科学界极大的兴趣.目前,化学气相沉积(CVD)法是制备石墨烯的重要并且最有效的方法之一,利用CVD法制备的石墨烯在不同领域有着广泛的应用.本文分析了石墨烯在金属Ni和Cu衬底上的生长机理,介绍了在Cu衬底上利用CVD法制备石墨烯的研究进展,同时,阐述了石墨烯的H2刻蚀现象及相关应用.研究石墨烯的H2刻蚀,能够进一步理解石墨烯的生长机理,更好的促进石墨烯在微电子等领域的发展.     

金属辅助化学刻蚀法制备尺寸可控的硅纳米线

为制备粗细均匀、大长度的硅纳米线,通过金属辅助化学刻蚀方法,以银作为辅助金属,利用场发射扫描电镜(FESEM)和FIB/SEM双束系统作为检测手段,结合微加工工艺,研究了不同的反应离子刻蚀时间和化学刻蚀时间对制备的硅纳米线的尺寸和形貌的影响。结果表明,通过该方法制备的硅纳米线粗细均匀、长度较大。控制反应离子刻蚀时间和化学刻蚀反应时间,可以控制硅纳米线的形貌与尺寸。     

ZnO基稀磁半导体的研究进展

现在的信息技术主要利用电子的电荷自由度去处理和传输信息,利用电子的自旋自由度去存储信息.而稀磁半导体同时利用了电子的电荷属性和自旋属性进行信息处理和存储,使其成为了一类新型的半导体.稀磁半导体具有很多特殊的性质,在高密度存储器、半导体集成电路、半导体激光器和量子计算机等领域将会有广阔的应用前景.本文主要介绍了近年来世界各国研究小组采用不同方法合成的ZnO基稀磁半导体,对其磁性进行了系统研究,分析了铁磁性产生的机理.     

Te—Bi—Se稀散元素化合物半导体制冷材料的合成及应用研究

用陶瓷工艺方法合成Ｔｅ－Ｂｉ－Ｓｅ化合物多晶陶瓷半导体材料,用法测得热导率为１０ｍＷ／ｃｍ．Ｋ,用四探针法测得材料电导率为９００－１０００Ω＾－１ｃｍ＾－１;热电法测得材料的温差电动热率达到１８８－２００μＶ／Ｋ,优质系数Ｚｐ,Ｚｎ达到３．５＊１０＾－３／Ｋ。     

含V^2＋离子ZnX（X=S,Se,Te）晶体光谱研究

采用一种适用于共价晶体的含双共价因子（即Ｎｔ≠Ｎｅ）的能量矩阵计算方法，研究了Ｖ＾２＋离子在ＺｎＳ，ＺｎＳｅ，ＺｎＴｅ系列中的光谱，从中可看出一些有趣的趋势，并对结果进行了讨论。     

ZnO基稀磁半导体纳米薄膜材料的研究进展

目的 综述ZnO基稀磁半导体(DMS)纳米薄膜材料的研究进展概况,揭示本研究领域存在的某些问题,并在此基础上分析其发展前景.方法 参考58篇相关文献,对其结构和掺杂体系进行总结和比较.结果 从ZnO基DMS纳米薄膜材料的制备方法、掺杂其它元素两方面进行了综述,并指出了目前研究中存在的问题,即难以合成出高质量均匀掺杂的样品;磁性来源问题尚未形成统一的定论;探求影响磁学性质的本质的微观因素需要深入研究,以及制备样品的重复率不高.结论 具有室温铁磁性的DMS是自旋电子学应用的基础,它是利用载流子的自旋和电荷自由度构造将磁、电集于一体的半导体器件.其研究虽有长足发展,但是要制备出比较理想的ZnO基DMS纳米薄膜材料的技术目前看来还不够成熟,依然需要深入研究.     

流化催化裂化技术研究进展

流化催化裂化（FCC）是最重要的重质油轻质化过程之一。对近年来FCC过程预提升系统、进料系统、提升管反应器、沉降器、再生器的研究进展以及FCC过程功能的拓展情况进行了评述，同时介绍了TSRFCC-Ⅰ型两段提升管催化裂化新技术的特点及应用情况。流化催化裂化技术有待于进一步改进和完善，TSRFC-Ⅰ技术的开发成功是FCC技术发展的一次质的飞跃。随着石油加工技术的发展，TSRFCC—Ⅰ技术将展现更加广阔的应用前景。     

晶体学和晶体材料研究的进展

随着计算机技术和激光技术的发展 ,人类已经走进了崭新的光电子时代 ;而实现这一巨大变化的物质基础不是别的 ,正是硅单晶和激光晶体。可以断言 ,晶体材料的进一步发展 ,必将谱写出人类科技文明的新篇章。一、人类对晶体的认识过程及有关晶体的概念１．人类对晶体的认识过程［１］什么是晶体？从古至今 ,人类一直在孜孜不倦地探索着这个问题。早在石器时代 ,人们便发现了各种外形规则的石头 ,并把它们做成工具 ,从而揭开了探求晶体本质的序幕。之后 ,经过长期观察 ,人们发现晶体最显著的特点就是具有规则的外形。１６６９年 ,意大利科学家斯…     

光致发光谱测量掺硅AlGaAs中的DX能级

在调制掺杂ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱结构的光致发光谱中,靠近强发光峰的低能端存在几个弱峰,且发光强度随温度的增加而变化。这些弱峰是由于掺硅ＡｌＧａＡｓ中ＤＸ中心上的电子向起受主作用的ＳｉＡｓ原子跃迁复合而引起。由此确定ＤＸ中心有四个能级,其激活能分别为０．３５ｅＶ,０．３７ｅＶ,０．３９ｅＶ和０．４１ｅＶ。     

多孔硅形成机理研究的新进展

更深入地分析了多孔硅形成的几种模型，对影响多孔硅形成的几个关键因素提出了新观点，描述了多孔硅的形成过程的一些特性，指出了多孔硅的应用与发展的前景。     

650V高压型超结结构MOSFET器件设计与性能研究

功率MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)作为绝缘栅控制的开关型器件,因其功率大,驱动简单,应用越来越广泛。采用深槽刻蚀填充技术设计的650 V高压型超结结构MOSFET器件,主要应用于汽车充电桩等电源管理,力求在保持参数不变的前提下,优化导通电阻。通过工艺仿真技术测试功率MOSFET器件的性能,研究了槽偏移距离以及掺杂浓度对导通电阻和击穿电压的关系。结果表明,槽偏移会导致超结部分的电荷不平衡,槽偏移不论正负,只要是在同一水平位置,那么两者的总电荷数就是不同的。在柱宽不变的情况下,随着浓度的增加,其击穿电压和导通电阻都缓慢下降,并且导通电阻随着掺杂浓度的提高而降低。本研究对半导体领域器件设计优化和提升具有一定的参考意义。