ZnO薄膜的物理性质与制备方法研究

ZnO为Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,是一种极具潜力的新型功能材料。给出了ZnO薄膜的主要物理性能,并对制备方法作了比较详尽的介绍,包括激光脉冲沉积法、磁控溅射法、金属有机物化学气相沉积法、溶胶凝胶法、喷雾热解法、分子束外延法、原子层外延生长法。     

石墨烯的发展现状

简述了近几年来石墨烯的制备方法,包括机械剥离法、化学气相沉积法、溶液合成法、外延生长法.并对石墨烯的分数量子霍尔效应、透明性、掺杂特性等性质及应用作了概述.最后,对石墨烯未来的发展作了展望.     

石墨烯性能及研究进展

阐述石墨烯在电学、力学、化学、光学和热学等方面的优异性能,介绍微机械剥离法、化学剥离法、外延生长法、化学气相沉积法和电弧法等石墨烯制备方法,论述石墨烯在电学、光学、能源、生物医学、传感器等领域的应用.     

种子区域生长法的改进算法及其在钉螺图像提取中的应用

种子区域生长法是图像分割中一种常用的方法,其性能在很大程度上取决于种子点的选取与生长规则.为了更有效地应用种子区域生长法从真实图片中提取钉螺图像,在分析种子区域生长法的基本思想后,提出了一种改进的种子区域生长算法并用于提取钉螺图像.改进种子区域生长法使用了新的区域生长相似性规则和区域生长停止的动态阈值方法,改进算法采用人工方式来选择区域生长的种子点.结果表明,改进的种子区域生长法在复杂背景图片中能获得更好的钉螺图像提取效果.     

石墨烯材料在热管理领域的应用进展

介绍了石墨烯作为高导热材料的研究现状和发展前景，总结了石墨烯材料的制备方法，包括机械剥离法、外延生长法、化学气相沉积法及氧化还原法等；探讨了不同类型石墨烯材料的导热机理，指出石墨烯材料通过声子和电子进行热传导，并以声子导热为主介绍了串联网络热阻模型和导热逾渗模型；归纳了单层或少层石墨烯、石墨烯膜、碳纳米管/石墨烯复合膜及相变高分子/石墨烯复合材料等类型的高导热石墨烯材料在热管理领域的研究和应用进展。     

自持金刚石厚膜上沉积N掺杂ZnO薄膜的生长及电学特性

采用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)两步生长法在自持化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的成核面上制备ZnO薄膜, 并研究了薄膜的生长特性和电学特性. 结果表明, 在基片温度为600 ℃时沉积得到的ZnO薄膜表面均匀, 取向较一致, 为c轴取向生长. 其载流子迁移率为3.79 cm²/(V·s).      

运用晶种多步生长法与等体积法制备单分散SiO2微球的研究

以氨水作催化剂、正硅酸乙酯为硅源、乙醇为溶剂制备了SiO2微球,比较研究了晶种多步生长法与等体积法对制备SiO：微球形貌、分散性等的影响。SEM、激光粒度等分析表明,两种方法均可制备出单分散、符合光子晶体组装要求的SiO2微球;制备粒径≤250nm的单分散SiO：微球,宜采取晶种多步生长法;制备粒径≥500nmSiO2微球,可以采用等体积快速混合法。     

输电线路架空线弧垂（弛度）的观测

输电线路架空线弧垂（弛度）观测的方法很多,下面仅介绍在架线施工中较常用的几种方法——等长法、异长法、角度法及平视法。     

红树莓品种的越冬性初步研究

在沈阳地区,采用电导法、组织褐变法和萌芽生长法对不同红树莓品种的越冬性进行研究,结果表明,树莓越冬枝条在-20~-25℃条件下遭受冻害,致死临界温度为-30℃,越冬期间枝条表皮保水能力较差,抽条现象较严重.树莓越冬伤害为冻害和抽条伤害两种,但主要是抽条伤害.     

沸石分子筛膜合成方法的研究

膜分离技术发展迅速,在化工、食品、制药和石油工业等领域有着广泛应用,分子筛膜具有均一的孔道结构,具有高的分离选择性;复合分子筛膜的制备方法主要有原位水热晶化法和二次生长法,在使用上各有优势。     

ZnO的用途及其薄膜的制备方法

1引言近年来,由于光电子器件潜在的巨大市场,使光电材料成为研究的重点。ZnO薄膜是一种光学透明薄膜,纯ZnO及其掺杂薄膜具有优异光电性能,用途广阔,而且原料易得、价廉、毒性小,成为最有开发潜力的薄膜材料之一。目前,研究ZnO材料的性质涉及许多研究领域,其中包括:透明导电膜(T     

光纤激光器的发展与应用

本文对光纤激光器的现状、发展和应用进行了综述。光纤激光器从掺杂稀土元素发展到掺杂过渡族金属元素;掺杂方法从单纯化学气相沉积(Chemical VaporDeposition,CVD)发展到气相、液相、溶胶-凝胶(sol-gel)和改进的化学沉积(MCVD)等;光纤结构从单包层、双包层到今天的多芯双包层光子晶体光纤;激光功率已经到几十千瓦,光子晶体光纤激光器的功率也已超过1.5 kW。目前,它们广泛应用于造船、航天、机械、电器、汽车、化工等多个领域。新光纤技术的成功,必将推动多种产业的快速发展。     

非气态原料制备垂直石墨烯

垂直石墨烯是由石墨烯片垂直于基底生长而形成的一种新型3维碳材料结构,由于其独特的生长取向,可以有效减轻石墨烯层与层之间的堆叠,使石墨烯充分发挥其优异的特性.等离子体增强化学气相沉积技术作为合成垂直石墨烯的主要手段常需引入化工合成气为碳源,原料灵活性低.该文综述了非气态碳源用于垂直石墨烯的制备,介绍了所合成的垂直石墨烯在多种领域中的应用,并讨论了其生长机理.     

聚四氟乙烯结构氟碳聚合物薄膜的研究进展

聚四氟乙烯结构氟碳聚合物(Polytetrafluoroethylene-like fluorocarbon,PTFE-like FC)薄膜具有超低介电常数、高疏水性和生物相容性等优点.综述了国外制备PTFE-like FC薄膜的实验进展,分析了PTFE-like FC薄膜可能的沉积机理,指出热丝化学气相沉积(HFCVD)和射频等离子体辅助的化学气相沉积(rf-PECVD)这2种方法更有利于减少离子对薄膜表面的轰击作用,被认为是目前沉积PTFE-like FC薄膜最好的2种方法.介绍了利用介质阻挡放电(DBD)方法在低气压下制备PTFE-like FC薄膜的最新进展.     

以MnCl_2为催化剂前体用CVD法合成碳纳米管

以MnCl2为催化剂前体,利用化学气相沉积法合成出了碳纳米管,利用电子显微镜和能量色散X射线谱对样品进行了表征,系统研究了碳纳米管生成的条件。     

以MnCl2为催化剂前体用CVD法合成碳纳米管

以MnCl₂为催化剂前体,利用化学气相沉积法合成出了碳纳米管,利用电子显微镜和能量色散X射线谱对样品进行了表征,系统研究了碳纳米管生成的条件。     

SnO_2薄膜的化学气相淀积 Ⅰ.SnO_2薄膜的制备过程动力学

利用化学气相淀积方法,在载玻片上淀积二氧化锡薄膜,研究了过程的动力学特征,考察了不同操作参数对淀积速率的影响。建立了淀积速率与反应气体分压的关系式,并初步提出了淀积过程的反应原理。     

计算机控制的PCVD系统

对ＬＬ－ＰＣＶＤ（真空负载保护等离子体化学气相沉积系统）进行了计算机控制的改进，改进后的设备在沉积过程中各路源气体可进行自动控制。在改进后的设备上采用逐层生长法制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ薄膜。讨论了关键的技术问题     

多种纳米结构SiO2的制备及其生长机制研究

采用化学气相沉积方法,以Au量子点作催化剂在Si衬底上直接生长特定形貌的SiO2纳米结构．与传统的VLS机制相比,SiO2纳米结构的生长应该是SLS生长机制．     

CHARACTERIZATION OF SOL-GEL-DERIVED ZrO2 FILM BY PHOTOTHERMAL RADIOMETRY

In modern industry,thin film on the substratc has much important role to decide the properties of product, especially for electrical, optical and wear-resistant etc, production. There are some technical methods to prepare thin film,including plasma spray,physical vapor deposition (PVD),chemical vapor deposition (CVD) and sol-gel,etc. Among of them,sol-gel method has been developed a popular tech nique for preparing thin films.