Al2O3／Si（001）衬底上GaN外延薄膜的制备

利用低压金属有机物化学气相沉积方法在Ａｌ２Ｏ３／Ｓｉ（００１）衬底上制备出了六方结构的ＧａＮ单晶薄膜。厚度为１．１μｍ的ＧａＮ薄膜的（０００２）Ｘ射线衍射峰半高宽是７２ａｒｃｍｉｎ,薄膜的玛赛克（ｍｏｓａｉｃ）结构是Ｘ射线衍射峰展宽的主要原因,室温下ＧａＮ光致发光谱的带边峰位于３６５ｎｍ。