锂原子激发态(1s22p)2P的光电离的R-矩阵计算

本首次运用R-矩阵理论方法。分别在单通道近似和三态密耦近似下计算了锂原子Li激发态(1s^22p)^2P的不同过程、不同分波的光电离截面及分波的光电离截面随有效量子数的变化规律．在三态密耦近似下。由于大量的自电离态与连续态的相互作用，计算结果显示了光电离过程中非常丰富的Rydberg系列共振结构。是以前的理论计算中所从未涉及到的．     

类硼离子C+基态光电离的R矩阵计算

使用R矩阵方法,采用三态密耦图像计算了类硼离子C+基态的光电离,并分别给出不同分波及不同过程的截面.计算结果揭示了明显的Rydberg系列共振,并且2D分波对截面的贡献最大.     

类硼离子C~(1+)的电子碰撞电离──单通道截面的共振增加

使用R-矩阵方法，在库仑-玻恩非交换近似下采用三态密耦图像，计算了类硼离子C1+的电子碰撞电离截面，给出了总的能量微分截面及分波能量微分截面．计算结果揭示了明显的Rydberg系列共振，并指出共振对截面的贡献大于直接电离过程对截面的贡献，这与Chidichimo的结论相一致．     

类锂离子C~（3＋）的电子碰撞电离

采用扭曲库仑波函数描述碰撞电子，用Ｒ－矩阵密耦波函数处理被电离电子与剩余离子构成的系统初末态，在库仑－玻恩各级近似下计算类理离子Ｃ￣（３＋）的电子碰撞电离截面及相应速率系数。所得结果与Ｊａｋｕｂｏｗｉｃｚ的结果相一致。     

InxGa1-xN/ZnSnN2应变核壳球形量子点中杂质态的结合能及光致电离截面

在有效质量近似下,研究了应变核壳球形量子点中杂质态结合能及光致电离截面随核半径、壳半径以及不同杂质位置的变化关系,并与不考虑应变时的结果作了比较。数值计算结果表明：杂质位置d=R₁时杂质态结合能随核半径增大呈先减小后增大的趋势,随壳半径增大单调递减;杂质位置d=（R₁+R₂）/2、R₂时,杂质态结合能随核半径增大单调递增,但随壳半径增大而单调递减;光致电离截面的峰值强度在不同杂质位置下均随着核半径增加而增大,并伴随着峰值位置出现红移或蓝移现象。此外,应变效应对结合能及光致电离截面的影响显著,并且其影响也明显依赖于杂质位置。     

氦原子与氮分子体系转动激发截面的理论计算

利用密耦近似方法对He－N2碰撞体系的微分截面、分波截面进行了量子力学计算，研究表明：低能散射时，He－N2碰撞的弹性散射主要在小角部分，而非弹性转动激发主要发生在大角部分，并通过系统的研究和计算，发现了分波散射截面不同的能量下的变化规律。     

氖原子与H2(D2、T2)分子碰撞分波截面的理论计算

用Tang -Toennies势模型和公认精确度较高的密耦近似方法计算了不同能量下惰性气体原子Ne与H2 及其同位素D2 、T2 替代碰撞体系的转动激发碰撞截面 .通过分析Ne H2 、D2 、T2 各碰撞体系分波截面的差异 ,总结出在H2 分子的对称同位素替代情形下Ne H2 (D2 、T2 )碰撞体系分波截面的变化规律 .结果表明 ,体系的约化质量及入射原子相对碰撞能量的变化均给体系的碰撞截面带来不同程度的影响 .     

双光子共振三光子电离能级间耦合对电离的影响

应用分波展开法,通过电离态上的粒子布居,研究了电离相干现象.同时考虑到精细结构中分裂能级间的相互作用,采用nπ脉冲(n取整数或半整数),给出了电离态上粒子布居的数值模拟结果.并采用近似处理办法,得到了电离态上粒子布居受相互作用影响的解析表达形式.结果表明,双通道电离过程中不仅有两列波间的干涉,而且存在耦合作用对电离的调制.     

He-HBr碰撞体系转动激发截面的研究

作者运用密耦近似方法,计算了能量在100meV下He原子和基态HBr分子碰撞的态-态转动激发截面和碰撞能量分别在100meV,150 meV,200 meV下的总微分截面和总分波截面;总结了该碰撞体系散射截面的变化规律.经研究表明:在低能散射时,弹性散射主要发生在小角部分,非弹性转动激发主要发生在大角部分.     

惰性气体和H_2分子碰撞截面计算研究

用T .T(K .T .TangJ.Peter .Toennies)势模型和公认精密度较高的密耦 (Close -Coupling)近似方法计算了E =0 .0 5ev时 0 0 - 0 0弹性碰撞 0 0 - 0 2非弹性碰撞 ,得出氢分子转动激发分波截面 ,并研究了原子与分子碰撞弹性分波截面和非弹性激发截面随量子数增加的变化规律 .     

He-N2碰撞体系分波截面的理论计算

运用密耦近似方法计算了He原子入射能量分别为27.3m eV、40.0m eV、64.0m eV和80.0m eV与基态N2分子碰撞的弹性、非弹性和总分波截面;并总结了该碰撞体系分波截面的变化规律。研究表明:尾部效应仅在低激发态中产生,高激发态不产生尾部效应。     

激发态钛和镍原子光电离研究

本文报道了在285-320纳米波长范围内钛和镍原子多光子电离研究结果。采用激光烧蚀和分子束相结合的技术制备金属原子,光离子产物由飞行时间质谱仪检测。根据光离子信号对探测激光强度依赖关系抽取出Ti和Ni原子激发态光电离截面。测量的光电离截面在0.2 Mb到6.0 Mb之间。在阈限电离区,Ti和Ni同位素原子激发态的光电离截面实验值是相同的。     

碱金属原子光电离截面的计算

作者用多体微扰理论（MBPT），对开壳层钠和钾原子的最外满壳层单光子电离过程进行了研究和理论计算。利用多体微扰理论的Goldstone图示法，对主要的电子关联作用进行了分析，给出了完整的从零级到二极的图示，其中二级近似包括了The random-phase approximation(RPA)及重要的Brueckner-orbital(BO)和Structure-radiation(SR)关联。考虑了分波截面在不同近似级下的变化。给出了截面的长度形式和速度形式，这两种形式符合较好，而且总截面与实验值亦符合较好。     

两个刚体角速度运动的部分同步

研究了两个刚体角速度运动关于部分状态变量——惯性主轴角速度的同步控制．基于李亚普诺夫部分稳定性理论,分别采用双向耦合的部分状态变量线性反馈控制和部分变量的单向非线性反馈控制两种方法,构造出了一些控制器．同时,对于惯性主矩不同的取值范围,利用部分变量的单向非线性反馈控制方法可以采用不同的控制策略．所设计的控制器可以实现两个刚体的角速度运动达到关于惯性主轴角速度的部分同步．仿真结果说明了所设计控制器的有效性．     

He-HF碰撞体系转动激发截面的理论研究

运用密耦近似方法计算了能量在100meV下He原子和基态HF分子碰撞的态-态转动激发截面和碰撞能量分别在100meV,150meV,200meV,250meV下的总微分截面和总分波截面;总结了该碰撞体系散射截面的变化规律。系统研究表明:在低能散射时,弹性散射主要发生在小角部分,非弹性转动激发主要发生在大角部分。