高次模在半导体少数載流子光电导衰退中的作用

观察了样品几何尺寸、表面复合速度及光的贯穿程度,对半导体少数载流子光电导衰退中高次模的影响。在测量时使用贯穿光、大尺寸样品、及使样品表面复合速度较低时,高次模的作用可以减少,因而能准确测得体寿命。     

光致开路电压衰减法测量少数载流子的寿命

本文提出了一种测量少数载流子寿命的方法。先将样品做成p~+nn~+或n~+pp~+结,测量光致开路电压的衰减速率,然后用文中导出的理论公式计算少数载流子的寿命。实验结果表明,这种方法能有效地避免表面复合的影响。     

一种无需表面腐蚀的测量半导体少数载流子寿命的双脉冲法

已发表的双脉冲方法的理论分析,都假设样品的表面复合速度s为很小。本文对样品的表面复合速度s→∞时的双脉冲方法作了理论分析,得到的寿命的计算公式亦很简单,并从实验上对这方法进行了验证。对一组不同电阻率,不同导电类型的锗硅样品进行了寿命的测量。在同一块样品上,当样品表面的s→0及s→∞时,分别用双脉冲法进行了测量,得到的结果符合很好。将本方法与光电导衰退法进行比较,两者亦符合很好。最后对本方法的测准条件进行了详细分析,并列出本方法所要求的实验条件。     

由MOS结构的瞬态响应确定少数载流子体产生寿命和表面产生速度的新方法

在将表面产生速度看作常数的条件下,本文导出了MOS结构对阶跃电压瞬态响应曲线的解析表达式。从而提出了一种无需Zerbst图而能同时确定少数载流子体产生寿命和表面产生速度的新方法。对一些样品进行了测量。计算结果表明本方法较之其它方法更为简便。     

锗中少數載流子壽命測量方法的比較

引言我們在进行锗中少数载流子~*寿命的测量工作中,共采用了四种測量方法:“光电导衰退法”“双脉冲法”“曼納电桥法”“光磁效应法”。这些测量寿命的基本方法,不但适用于锗,也适用于其它半导体材料。利用光电导衰法”“双脉冲法”可以测量硅中少子的寿命。用“光磁效应”可以测量小于0.1微秒的短寿命,比較适用于     

微波光电导衰退测量少子寿命的新方法

少数载流子寿命是半导体材料的一个重要参数,它对各种半导体器件的电特性有很大影响.已有许多作者采用微波方法测量半导体材料的少子寿命.这种方法本质上是光电导衰退法.由于可做到无接触测试,它显示了较大的优越性.但是,为了把样品     

用薄型金-硅面垒探测器测定硅的表面复合速度

§1.引言表面复合速度是研究半导体非平衡载流子性质的一个重要参量.借助于表面复合速度的测量可以对半导体表面的基本性质有所了解.而且表面复合速度还直接影响半导体内非平衡载流子的复合,从而影响少数载流子的有效寿命.而半导体两极管的反向饱和电流,击穿电压,三极管的电流放大系数以及噪声水平亦都与表面复合速度有关.测出经各种表面处理后的表面复合速度,并找出减小表面复合速度的途径,对改善器件的性能是很重要的工作.     

半导体光放大器对超短光脉冲放大过程中载流子寿命的变化

修正了人们在研究半导体光放大器对光脉冲的放大这一动态过程中把载流子寿命取为常数这一处理方法。通过考虑放大器中载流子的复合机制，提出了一个可研究载流子寿命变化的模型。数值计算的结果表明，在半导体光放大器对超短光脉冲进行放大这一动态吕，载流子寿命变化明显，且与输入脉冲的形状有关。     

输运层厚度与迁移率对双层有机发光器件性能的影响

基于一些合理假设与近似,建立了具有欧姆接触载流子注入的双层有机电致发光器件的解析模型．模型中计算参数只有空穴和电子输运层的厚度、迁移率、外加电压及材料参数Fh和Fe,且这些参数都是可以通过测量得到的．研究了材料参数Fh,Fe对器件复合电流密度的影响及空穴输运层厚度和载流子迁移率对器件电场强度和复合电流密度的影响．结果表明：空穴输运层厚度和载流子迁移率引起电场强度的重新分布,进而对复合电流密度产生影响;接触限制电极注入少数载流子的器件可以取得比欧姆接触注入多数载流子的器件更高的复合电流．     

制造大功率硅整流元件采用一次全扩散法的必要性

本文讨论了大功率硅整流元件的几个参数之间的关系,指出设计参数的关键是提高少数载流子的寿命。在分析了影响少数载流子的各种因素后,指出:采用一次全扩散法可以有力地避免少数载流子寿命的下降。     

双脉冲法测鍺硅半导体材料中非平衡载流子寿命

本文简述了双脉冲法测锗硅中非下衡少数载流子寿命的设备,测试结果的分析,注入公式的推导及误差产生的原因。     

表面复合作用对半导体光电流的影响

表面状态对半导体中的光生载流子的分布状况有很大影响.本文首先求出一个含有P～N结的有限半导体在垂直于结平面的光照下,考虑到表面复合时的光生少数载流子的分布公式,然后给出有表面复合时光生伏特和光电流的解析式,并加以讨论.结果表明,表面复合会使光生伏特和光电流显著降低.在表面复合速度开始增大的阶段,这种降低尤为急剧.表面复合对光电流影响的大小还与样品厚度有关.     

用双脉冲法测量半导体中过剩载流子的寿命

利用了将注入载流子分成表面复合项、体内项和扩散项三部分的简化模型,指出造 成寿命测短的二个主要因素——表面复合和体内扩散。采用足够的有效注入深度只能消 除扩散项的影响。提出了采用适当加长脉冲前沿时间消除表面复合影响的办法,实验结 果证实了这种办法的有效性。     

纳米β-SiC薄膜过剩载流子衰减特性分析

利用微波吸收技术对Si衬底上微晶及纳米β-SiC薄膜的过剩载流子瞬态行为进行了分析.所用样品采用PECVD技术制备,微波吸收测量采用脉宽35 ps,波长355 nm脉冲激光.所测得的载流子浓度衰减分为快、慢2个过程,微波吸收瞬态特性满足双指数衰减规律.该结果表明,样品光生载流子衰减过程主要决定于2种陷阱作用,其中快过程与SiC薄膜中浅能级陷阱的载流子弛豫效应相关,而慢过程则是深能级陷阱的载流子弛豫行为占优势的结果.纳米碳化硅晶粒界面较高的缺陷态密度导致载流子俘获几率增加,非辐射复合几率减小,纳米β-SiC薄膜表现较长的载流子衰减时间.     

碱腐蚀减薄硅片过程中少子寿命性质研究

通过高频光电导法研究了超薄晶硅片少数载流子寿命的变化规律,分析了碱液腐蚀速率、表面缺陷态的变化对少子寿命的影响,得到:在现有的切片工艺条件下,腐蚀10分钟即可将表面损伤层完全去除,使超薄晶片显示出体内和表面寿命共同决定的较大少子寿命值.     

线列CCD摄象器件暗电流的测试和研究

本文分析了电压(V_P-V_B)对线列CCD摄象器件暗电流及其不均匀性的影响,从而提出了在满足势阱容量的前提下尽量减小(V_P-V_B)以抑制暗电流引入的固定图形噪声的方法.另外,本文还分析了暗电流对信号调制度的影响,并指出了用“对消”的方法是不能完全消除暗电流固定图形噪声的.最后,提出了通过测量暗电流输出来测量少数载流子寿命的方法,并给出了实验和计算的结果.     

阶跃光激励下半导体的温度变化

建立了阶跃光激励下半导体材料温度变化的一维理论模型.采用本征函数法得到了阶跃光激励下半导体中光生载流子和温度随时间的变化关系,并研究了少数载流子寿命对这种变化的影响.同时,利用阶跃光激励的光热光偏转实验研究了少数载流子寿命不同的半导体样品的光热光偏转信号.实验结果与理论结果符合较好,表明阶跃光激励的光热技术可用于对半导体材料参数进行表征.     

半导体光伏效应

我们采用电容器法,测量了半导体在脉冲单色光照射下总光生电动势的光谱分布,发现p型硅在光波波长λ>1.08μ后,总光生电动势发生变号。考虑到表面势垒的存在,以及光在半导体两个表面的反射与透射,计算了向光面光生电动势、丹倍电动势以及背光面光生电动势,认为半导体的总光生电动势为这三者的代数和。初步比较了理论计算和实验结果,并利用这结果讨论了Goodman测量少数载流子短小扩散长度方法。     

由表面光生电压实验确定α-Si:H中费米能级附近的隙态密度

采用表面光生电压(简称SPV)方法来确定非晶硅材料中少数载流子扩散长度已有多年。在SPV实验中,首先要在待测样品表面上建立表面势垒,这可从样品表面天然的带电氧化层获得或人工在样品表面上沉积一层半透明金属膜或滴上一滴离子性氧化-还原剂得到。接近吸收边的入射光,在非晶硅中产生的电子-空穴对扩散进势垒区后,将被     

用电荷抽取效应测定MOS晶体管中的少子复合寿命

本文介绍了应用电荷抽取效应测量MOS晶体管中少子复合寿命的方法.这种方法的优点是可以测定经过整个制造工艺过程后MOS晶体管中的少子体复合寿命和表面复合寿命,而且测试设备和数据处理都比较简单.文中给出了我们在室温和液氮温度下的初步测量结果,并对结果和方法本身进行了一些讨论.