适用于DC-DC开关电源的锯齿波振荡器设计

基于恒流源技术设计了一种适合于DC-DC开关电源的锯齿波振荡器,并基于CSMC 0.5μm混合标准CMOS工艺对所设计电路进行了仿真验证。在4 V电源电压及27℃条件下,电路获得了振荡频率为246.61 kHz的锯齿波信号;当温度在0～70℃变化时,锯齿波信号振荡频率在244.14～247.4 kHz变化,最大偏差仅为±1%;当电源电压在3～6 V变化时,锯齿波信号振荡频率在245.94～247.89 kHz变化,最大偏差仅为±0.52%。仿真结果显示,该锯齿波振荡器具有非常好的线性度,适用于DC-DC开关电源。     

一种简单的电流控制振荡器

设计了一种简单的电流控制的振荡器.该电路充分利用系统内部基准电流源产生的电流信号对电容进行充放电,此振荡器是降压变换器内部电路的一部分,在3.3 V电源电压下,经过控制电路作用后,上升时间和下降时间很接近,使振荡器输出的谐波信号近似于三角波信号.     

基于555定时器的高精度锯齿波发生器设计

本文在分析锯齿波发生器原理的基础上,提出了提高锯齿波线性度的方法。利用555和运算放大器组成的高稳定性恒流源,设计了高线性度、频率可调的锯齿波发生器,并对其进行了理论分析,指出了这种锯齿波发生器的特点。     

一种新型锯齿波电压产生电路的研究

在传统锯齿波产生电路基础上,通过增加放电电路和维持电容等方法,大大提高了传统锯齿波产生电路的线性度,得到了一种新型锯齿波产生电路,实现了满摆幅输出范围内锯齿波电压信号的高线性度。本文进行了理论分析,提出电路设计思路和改进方案,最后进行Hspice仿真验证。仿真结果表明改进之后的电路输出在满摆幅情况下能够达到很好的线性度。     

同步锯齿波发生器电路的改进

利用NE555定时电路和恒流充电的积分单元电路，设计了一种线性良好的锯齿波发生电路；该电路克服了文献[1]中电路的缺点，实现了作为扫描电路所要求锯齿波的同步与良好的线性．     

一种频率与温度无关的片内RC振荡器设计

文章基于SMIC 0.18μm互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工艺,设计了一种频率与温度无关的片内电流模RC振荡器,该振荡器采用1.8 V电源供电,输出频率为100 MHz,振荡器主要由温度补偿电流源、开关电容充放电回路、反相器比较延时单元以及时钟输出单元组成。通过Cadence Spectre仿真验证表明：在-40～125℃范围内,TT工艺角条件下,振荡器的输出频率范围为100.06～100.16 MHz,频率随温度变化为0.10%,用温度系数表示为6.06×10^-6℃^-1;SS工艺角条件下,振荡器的输出频率范围为99.90～100.23 MHz,频率随温度变化为0.33%,用温度系数表示为20.00×10^-6℃^-1;FF工艺角条件下,振荡器的输出频率范围为99.96～100.07 MHz,频率随温度变化为0.11%,用温度系数表示为6.67×10^-6℃^-1。     

一种新型低失真频率可调正弦振荡器的设计

在传统的振荡电路中，为了得到稳定的振荡输出，其环路增益的调控是依靠器件的非线性来实现，因此这类振荡器很难产生谐波失真很小的纯正弦波。本文给出的振荡器，采用ＡＧＣ技术调节环路增益，从而可以克服这一不足之处，同时它还具有频率可调，集成电路外围元件少的特点。     

一种频率线性可调的正交正弦波振荡器

设计了一种用于MEMS传感器电容读出的频率可调的正弦波振荡器。振荡器采用OTA-C结构,通过调节工作于线性区的MOS管的漏源电压来改变OTA的g_m,从而实现对频率的调节。振荡器可输出四路相位分别为90°,180°,270°和360°的振荡信号。芯片在0.5μm2P3MCMOS工艺下设计并流片,测试表明在5V电源电压下振荡频率在180KHz～1.2MHz之间线性可调,振荡频率对于电源电压变化的灵敏度为8.1%/V。     

一种频率线性可调的正交正弦波振荡器

设计了一种用于MEMS传感器电容读出的频率可调的正弦波振荡器。振荡器采用OTA-C结构,通过调节工作于线性区的MOS管的漏源电压来改变OTA的gm,从而实现对频率的调节。振荡器可输出四路相位分别为90°,180°,270°和360°的振荡信号。芯片在0.5μm 2P3M CMOS工艺下设计并流片,测试表明在5V电源电压下振荡频率在180KHz~1.2MHz之间线性可调,振荡频率对于电源电压变化的灵敏度为8.1%/V。     

单片集成开关电源设计与应用技巧

单片集成开关电源简称单片开关电源,成、高效、外围电路简单、较高的性能指标等特点,关式集成稳压器的原理与使用及电路设计．它由一片开关式集成稳压器构成可调式电源,具有单片集是一种极有开发前途的开关电源．重点分析L4960单片开     

同步电压为锯齿波触发电路的难点剖析

本文对同步电压为锯齿波的触发电路进行分析,透彻剖析了锯齿波产生过程,比较分析了削波环节代替前置环节的触发电路的特性,强调了同步电压为锯齿波触发电路中其前置环节的重要性。     

新型温度不敏感的施密特触发器特性分析

与传统的6晶体管施密特触发器相比,由两个互补金属氧化物半导体(CMOS)反向器组成的施密特触发器已经提出,该触发器具有鲜明的转换阈值电压和复位集(RS).计算结果表明:新型施密特触发器在受温度影响方面明显优于传统施密特触发器.仿真结果表明:新型施密特触发器的温度系数是传统施密特触发器的五分之一.     

一种自启动高精度高稳定性基准电压源的设计

分析了一种广泛应用于低压差线性稳压器(LDO),DC/DC等电源管理类IC的具有自启动性能的基准电压源设计.通过仿真表明,这种基准电压源具有很高的稳定性以及精度,且动态特性优良.     

一种输出可调的高性能带隙基准源设计

设计了一款用于直流电源变换器(regulator)的高性能带隙基准电路,电路结构简洁新颖,并具有输出参考电压可调的优点.Spectre仿真表明,在输入电压为3.3 V±0.3 V,输出约为288 mV的典型应用中,当温度从-40℃～125℃变化时温度系数低至2.13×10-6(ppm)K(TT工艺角下),低频时电源抑制比可达78 db.     

一种电流求和型的低功耗Bandgap电压基准源

为满足标准P阱CMOS工艺要求 ,设计了一种新的电流求和型Bandgap电压基准电路 ,实现了相对于地的稳定电压输出 ,并且能提供多电压基准输出 .电路采用 0 6μmUMCP阱CMOS工艺验证 ,HSPICE模拟结果表明 :电路输出基准电压为 80 0mV ;在 - 40～ 85℃的温度变化范围内 ,电路温度系数仅为 1 4× 1 0 -6/℃ ;电源电压为 3 5V时 ,电路功耗低 ,消耗电流仅为 1 5 μA .该电路不需改变现有工艺 ,输出灵活 ,有望在多基准电压的低功耗系统中获得较广泛的应用     

频率可调磁感应波器件的微波透射性能

研究了由双层磁化铁氧体构成的磁感应波器件的微波透射性能以及场致频率可调特性,并探讨了结构参数对微波性能的影响.两磁化铁氧体平板样品平行放置,由于间隙处表面波共振模强烈耦合产生磁感应波透过样品,在铁磁共振产生的微波禁带频率范围内产生一个显著的通带.通带的中心频率随着偏置磁场的增强而单调上升,显示出很好的场致频率可调性.随着两铁氧体之间间距的增加,界面耦合作用减弱,透射通带的半高宽逐渐降低,损耗增加.     

一种三阶曲率补偿带隙基准电压源的设计

在传统电流求和模式带隙基准电压源的基础上进行改进,设计了一种简单的三阶曲率补偿带隙基准电压源。该基准源由启动电路、低压高增益两级运算放大器、基准核心电路和高阶曲率补偿电路组成。在低温段,通过PMOS管进行二阶补偿;在高温段,通过PTAT2电流进行三阶补偿。基于CSMC 0．35μm CMOS工艺,采用Cadence软件对设计电路进行仿真分析。结果表明,在－40～125℃温度范围内,5 V电源电压下,基准源输出电压为1．226V,输出电压变化范围为0．51mV,基准源的温度系数为2．5×10－6／℃,低频时的电源抑制比为－67 dB。     

Terahertz磁波参量振荡器辐射THz波受温度的影响

从THz波增益、吸收系数、折射率几方面,讨论了THz电磁波参量振荡器辐射THz波受温度的影响,从而得到THz波增益随温度的升高而降低主要原因,是由于LiNbO3晶体中A1对称光学软模的拉曼活性降低所导致,这为今后太赫兹(THz)波参量振荡器的优化设计提供了参考价值.     

一种高分辨率直流信号源的设计

直流信号源是工业控制中用来校准变送器，输出直流电压，电流信号的高精度仪表。文章提出了一种能够产生宽动态范围，高分辨率直流电压、电流信号的技术。本设计采用了双D／A补偿技术，实现了直流电压信号动态范围0—12V，分辨率为0．1mV，直流电流信号动态范围0—20mA，分辨率为0，001mA的便携式仪表。文章还提出了一种新的V/I转换电路，并对该电路进行了分析。同时，设计还采用了单片机的IAP功能进行了系统定标。最后，对于设计的直流信号进行了测试，并给出了测试数据。     

一种二阶温度补偿的带隙基准电压源

本文基于Brokaw基准电压源结构,设计了一种二阶温度补偿的带隙基准源。采用UMC 0.6um BCD工艺,实现-40¹00℃的温度范围下,相对温度系数为3.53ppm/℃。