用湿化学法制备电子材料用ZnO粉未

本文研究用湿化学法－ＮＨ３法改性ＺｎＯ粉末使之用于电子材料。用Ｘ－ｒａｙ衍射分析和ＳＥＭ分析方法确定了焙烧温度，球磨时间等主要工艺参数；用ＳＥＭ分析，ＢＥＴ分析，粒度与粒度分布分析方法研究了改性前后ＺｎＯ粉末的赋存状态。压敏电阻验证试验结果表明，改性后的ＺｎＯ粉末可以制备出小电流性能很好的ＺｎＯ压敏电阻。     

用湿化学法制备电子材料用ZnO粉末

本文研究用湿化学法——ＮＨ＿３法改性ＺｎＯ粉末使之用于电子材料．用ｘ－ｒａｙ衍射分析和ＳＥＭ分析方法确定了焙烧温度、球磨时间等主要工艺参数；用ＳＥＭ分析、ＢＥＴ分析、粒度与粒度分布分析方法研究了改性前后ＺｎＯ粉末的赋存状态．压敏电阻验证试验结果表明，改性后的ＺｎＯ粉末可以制备出小电流性能很好的ＺｎＯ压敏电阻．     

纳米二氧化锆制备的研究进展

简要介绍了常用的几种纳米二氧化锆制备方法。评述了各种方法的优势及存在的问题。指出了应发展可控制产物粒径、晶型和形貌的新途径，使其更适于大规模工业生产．     

不同分散剂作用下制备纳米铁及表征

通过湿化学法制备纳米铁。分别选用三种表面活性剂在选定的不同浓度下参与到反应中,通过紫外分光光度计(USP),扫描电子显微镜(SEM),X衍射仪(XRD)对产物进行表征,对比它们在还原过程中对颗粒的分散度及其粒径的影响。根据表征结果可知,在分散剂作用下所制得的纳米铁颗粒的单分散性高,保持本身活性的同时其稳定性较强。对比各结果得出:添加淀粉作为分散剂对制备纳米铁是一种较为理想的处理方法。     

纳米氧化锌的制备及其研究进展

纳米氧化锌具有许多特殊的性能，本文介绍了纳米氧化锌在各方面的应用状况；综述了国内外纳米氧化锌的制备方法及研究进展；讨论了目前纳米氧化锌制备中存在的问题。     

湿化学法制备钙钛矿型La1—xSrxMnO3的电学性能及其晶体学研究

采用湿化学法制备了粒度在０．２～０．８μｍ范围的钙钛矿型Ｌａ１－ｘＳｒｘＭｎＯ３粉末，用室温和高温Ｘ衍射法测定其晶体结构，发现其在１ ２００℃高温发生了四方→立方的相变；制备的粉末粒度与水浴温度有一定的关系，在室温时电阻率在６．０×１０＾－３～６．９×１０＾－３Ω．ｃｍ范围内，在温度大于４５０℃后，随着温度的升高，电阻率亦升高。     

CuO/水纳米流体悬浮液分散性能研究

通过在去离子水中添加纳米CuO颗粒,制备一种新型强化传热工质CuO/水纳米流体。采用离子型表面活性剂十二烷基苯磺酸钠(SDBS)、非离子型表面活性剂聚乙二醇6000(PEG6000)对纳米CuO颗粒进行分散,并对其zeta电位、粒度及吸光度进行测量。系统研究超声振动时间、表面活性剂种类和质量分数、pH值等对CuO/水纳米流体悬浮液分散性能的影响。实验结果表明,随超声振动时间的延长、分散剂浓度及pH值的增加,纳米CuO颗粒的分散性均出现先增后降的变化规律;纳米CuO颗粒的分散存在一个最佳超声振动时间、分散剂质量分数和pH值。纳米CuO在悬浮液中的最佳分散工艺条件为:超声振动时间1.5 h,pH=8,wSDBS=0.06%。     

超临界流体干燥制备纳米MnxOy

以硝酸锰和氨水为主要原料，用“溶胶-凝胶”法结合“超临界流体干燥”技术制备纳米MnxOy气凝胶，在800℃下煅烧MnxOy气凝胶，用XRD和TEM进行表征，重点考察超临界干燥、煅烧工艺对MnxOy气凝胶晶态、形貌和尺寸的影响。结果表明，采用超临界干燥，可制得分散性好的疏松棕黑色Mn3O4球形颗粒，其粒径介于10～30hm之间；在800℃下热处理，Mn3O4球形颗粒进一步氧化转变为米粒状Mn2O3颗粒，粒径也相应增大。     

湿化学法合成Y2O3—PSZ微粉的研究

本文提出了制备 Y-PSZ 微粉体的方法.具有线性结构的氢氧化锆被确定为前身粉末.通过胶溶,使氢氧化锆沉淀形成稳定的溶胶.用乙醇和丙酮脱去氢氧化锆凝胶中包襄的水分,可给出均匀和快速干燥的粉末.氢氧化锆前身粉末煅烧以后,可以得到亚微米级白色的 Y-PSZ 微粉.     

两步水浴法制备ZnO纳米棒阵列的研究

通过预加热处理完成了氧化锌（ZnO）种子层的制备,在种子层退火之后利用水浴法生长制备了排列有序的ZnO纳米棒阵列.采用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射（XRD）和光致发光光谱（PL）分析了ZnO纳米棒阵列的表面形貌、结构和光学性质,考察了预处理温度和水洗时间对产物性能的影响.结果表明：预处理温度较低时无法形成ZnO种子层;制备的ZnO纳米棒阵列是纤锌矿结构;随着水浴时间的延长,ZnO纳米棒的长度逐渐增加.     

N掺杂于ZnO中化合价变化的第一性原理研究

该文采用第一性原理赝势法研究了氮掺杂于ZnO中其化合价变化的情况,研究结果表明氮掺杂于ZnO中取代氧原子的氮原子其受主态并非是整数-3价,而是介于-2与-3价之间,这就说明了为什么氮掺杂所得的ZnO其p型导电较弱的原因.     

两步法制备性能优良的ZnO纳米线

利用热蒸发和溶液浸泡两步法制备了性能优良的ZnO纳米线,研究了这些ZnO纳米线的光致发光和场发射特性.与直接采用热蒸发方法生长的ZnO纳米线相比,由该方法得到的ZnO纳米线表现出了更好的紫外发光特性,同时发生5 nm的蓝移,场发射测试表明其开启电场和阈值电场分别达到2.3 V/μm和6.8 V/μm.该方法适用于制备光致发光和场发射性能优良的ZnO纳米线.     

ZnO纳米线阵列/p-Si异质结的合成及其整流特性

利用化学汽相沉积,在没有催化剂的p-Si衬底上一步合成ZnO纳米线阵列,构成ZnO阵列/p-Si异质结.电流-电压性能测试显示该结构具有较好的整流特性,漏电流较小,4V时约为0.05 mA.异质结理想因子偏高,1.86(0.5~2.25 V)和5.92(在2.25~2.7V),主要原因可能ZnO纳米线阵列底与Si之间存在较高的缺陷密度.提供了一种简单的合成ZnO阵列/p-Si异质结方法,不需要在Si衬底上预先合成ZnO缓冲层和催化剂,同时结构具有较好整流性能,对ZnO器件的设计合成及应用有一定的参考价值.     

不同衬底对CBD法制备ZnO纳米棒阵列的影响

采用化学溶液沉积（CBD）法在3种不同衬底上生长ZnO纳米棒阵列, 并利用X射线衍射(XRD)、  扫描电子显微镜(SEM)、 原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)谱研究纳米棒的结构、 形貌和光学特性.  结果表明: 产物均为ZnO纳米棒状结构且均匀分布在衬底上, 其中在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底和玻璃衬底上生长的ZnO结晶质量优于在硅衬底上生长的样品, 而纳米棒在玻璃衬底上的覆盖密度最大且取向均一; 在Si衬底上生长纳米棒的发光性能最好; 3个样品的紫外峰位均发生微小移动, 这是由于纳米棒尺寸不同导致应力发生变化所致.      

基于ZnO/SiNWs异质结阵列的电容式湿度传感器

采用湿法化学刻蚀方法制备硅纳米线（SiNWs）,对其进行快速热退火处理,利用水浴法在SiNWs表面生长氧化锌（ZnO）纳米线,制备了ZnO/SiNWs异质结湿度传感器.采用扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）分析了ZnO/SiNWs异质结的表面形貌和结构.测试了ZnO/SiNWs异质结湿度传感器不同湿度环境的电容响应,分析了它的工作机制.测试结果表明：传感器具有相对较大的灵敏度,较短的响应时间,较好的重复性、湿滞特性和稳定性,从而说明ZnO/SiNWs异质结在湿敏领域有很好的应用前景.     

湿法磷酸化学法脱氟的脱氟剂研究

根据清洁生产和可持续发展的要求，在湿法磷酸脱氟过程中，应尽力提高氟的回收率，以提高资源利用率，因此，在化学法脱氟的过程中，宜采用碱金属盐作脱氟剂。实验结果表明，钾盐的脱氟效果优于钠盐；在内盐脱氟剂中，氯化钠的脱氟效果较好，且各种钠盐在湿法磷酸脱氟过程中的作用不同，对磷氟比的影响也不同。     

溶胶-凝胶法制备纳米氧化锌

以醋酸锌(Zn(Ac)2.2H2O)为原料,采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel)制备出有机介质中分散稳定性较好的纳米级ZnO粉体,并研究了反应物浓度、溶剂用量、反应条件及改性剂用量对产物的影响.使用原子力显微镜(AFM)对产物进行观测,发现所得ZnO粉体平均粒径为70 nm和30 nm左右,颗粒均匀.经分析,该ZnO粉体纯度达99%以上.