基于Y2O3∶Tm3+, Eu3+荧光粉FIR线性变化的光学温度传感特性研究

以尿素为沉淀剂,采用均相沉淀法制备了Tm³⁺、Eu³⁺共掺杂的Y₂O₃荧光粉.X射线衍射仪表明样品为体心立方结构,扫描电子显微镜观测到亚微米级球形颗粒.测得了样品的温度依赖性发射光谱,发现Eu³⁺表现出正常的热猝灭趋势,而Tm³⁺有缓慢的热增强现象.随着温度变化,Tm³⁺和Eu³⁺的荧光强度比(FIR)呈现线性上升趋势,可用于温度的表征.样品的最大相对灵敏度(S_r)为0.423%K^-1(303 K).温度循环测试表明,Tm³⁺和Eu³⁺的FIR具有良好的可重复性,适用于温度传感领域.     

Nd3+:YAG激光器的132μm连续激光腔片

掺钕钇铝石榴石是一种性能优异的激光晶体,它可以分别产生1.06μm、1.32μm等波长的激光.其中,1.32μm附近的激光在光纤通信、医疗等方面具有重要的应用.但是,由于高增益的1.06μm谱线的竞争,使得1.32μm难以形成激光振荡.     

盐酸浸提法提取动物组织中几种金属元素效果的研究

动物组织中K、Na、Ca、Mg、Zn、Cu、Mn、Fe等元素的系统分析,样品待测液的制备目前大都采用二酸(HNO₃-HClO₄)消煮法^[1].此法每克样品要消耗约25ml浓HNO₃和5ml HClO₄酸,而且操作繁琐,费时,变异系数较大消煮过程中产生大量对人体健康有害的气体(NO₂,NO),因此给大批量动物样品的快速分析带来困难.     

改性锆酸锶陶瓷的制备及电导

本工作研究了添加Al₂O₃、CaO、Cr₂O₃和Fe₂O₃的SrZrO₃陶瓷的制备工艺及杂质对SrZrO₃电阻率的影响.加有添加剂的SrZrO₃陶瓷可沿用普通陶瓷工艺,于1750-1800℃烧成.适当的添加剂可使SrZrO₃的电导激活能大幅度降低,从而有效地降低电阻率.对于组成为90%SrZrO₃+5%Cr₂O₃+4%CaO十1%Al₂O₃(重量比)的样品,电导激活能为17.6kcal/mol;对组成为SrO+(ZrO₂)_0.9+(Fe₂O₃)_0.05的样品,电导激活能为4.53kcal/mol.上述组分的陶瓷具有电导率较高、易于烧结等优点,有希望作为高温导电材料使用.     

X射线粉末衍射法对不同含水量NaY分子筛结构的探讨

对不同含水量的样品,用12kW高功率转靶X射线粉末衍射仪阶梯扫描,收集S(H²+K²+L²) ≤ 384的全部衍射线强度.以傅立叶和差值傅立叶电子密度函数法测定各样品骨架原子、钠离子、水的位置和占有率粗值,再用最小二乘法修正全部结构参数,使R值在0.16以下.由坐标参数计算了晶胞中各离子、原子间的键长数值.     

在600℃封闭系统中Hg0.8Cd0.2Te的热处理

采用汞空位扩散模式,解释了高温(600℃)短时间(10'~15')热处理后使Hg_0.8Cd_0.2Te变成P型的现象,把热处理后样品逐层减薄,同时用范德堡法^[1]在77K (液氮温度)下进行霍尔测量,得出在不同汞压、不同时间下样品中汞空位的分布.由此验证了汞空位扩散模式,并计算得600℃下Hg_0.8Cd_0.2Te中汞空位扩散系数D_L为2×10⁵微米²/小时左右;汞空位最终浓度L_f与汞压成反比,其比例常数(K_F)/K_i为5×10¹⁹·厘米^-3大气压;汞空位激活能Q为0.6电子伏特左右.     

烧结温度对(Bi0.94Na0.89Li0.05)0.5Ba0.06TiO3压电陶瓷电性能和微观结构的影响

本文采用传统固相反应法制备(Bi_0.94Na_0.89Li_0.05)_0.5Ba_0.06TiO₃(缩写为BNLBT)压电陶瓷。同时,研究不同烧结温度对BNLBT陶瓷体密度、相结构、显微结构、压电性能和介电性能的影响。XRD和扫描电镜显示,所有的BNLBT陶瓷样品均形成了三方、四方固溶体,有较高的体密度。1 120℃烧结的陶瓷,体密度达到极值,此时陶瓷样品有很好的电性能(介电常数εr=810,压电常数d33=128 pC/N,平面机电耦合系数kp=0.30)。     

不同原子比对固相反应制备方钴矿电学性质的影响

方钴矿(CoSb₃)是较为优秀的中温区热电材料之一,具有较好的应用前景。本研究采用高温固相反应法,在923 K、保温时间约30min的条件下,制备了钴锑不同原子比的方钴矿,考查了室温附近钴元素减小量对方钴矿的微观结构和电学性质变化影响。研究结果表明,当钴元素的减小量x≤0.5时,仍然可以合成单相的方钴矿,而当钴元素的减小量继续增大时,方钴矿的合成效果会急剧变差;样品Co_4-xSb₁₂具有许多微气孔,随着钴元素的减小,样品的结晶度明显变差,微气孔的数量和尺寸也明显增多;样品Co_3.9Sb₁₂获得的最大Seebeck系数的最大绝对值为375μV/K,样品Co_3.7Sb₁₂最小电阻率为74 mΩ·cm,样品Co_3.5Sb₁₂获得的最大功率因子为77.7μW/(m·K²)。     

蒲公英状NiCo2O4超级电容器电极材料制备

采用简单的水热合成法制备得到了蒲公英状的NiCo₂O₄电极材料．用扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、X衍射测试(XRD)对样品进行了结构表征．并将其组合成超级电容器，通过循环伏安(CV)、恒电流充放电(GCD)等测试手段研究其电化学性能．测试结果表明，空心结构蒲公英状NiCo₂O₄电极材料，在电流密度为1 A·g^-1时，电容量达到1 262.3 F·g^-1，高于实心结构时的680.89 F·g^-1．在5 A·g^-1时，经过2 000次循环测试后，样品的电容量从1 150 F·g^-1下降到1 050 F·g^-1，电容保持率为91.3%，表明电极的倍率性能十分稳定．     

Li-Fe-S三元系低锂区相图的电化学方法测定

利用固态原电池和电化学测定方法研究了Li-Fe-S三元系在350-550℃的相图.原电池由Li₄SiO₄+40mol%Li₃PO₄作固体电解质,Al,"LiAl"二相合金用作参考电极,以Li-Fe-S三元系为样品电极.在电化学库仑滴定下,测定电池的稳态开路电压随样品电极组成的变化.根据Gibbs相律,较精确地测定了Li-Fe-S三元系中Li<10atom%及Fe:S原子比高于47:53的部分相图.     

Nd-Fe-B合金定量相分析的穆斯堡尔效应研究

用穆斯堡尔效应对Nd₁₅Fe_85-xB_x(x=0,2,4,8,11)合金的物相进行了定量计算,并讨论了硼在决定合金的相组成进而影响合金磁性能方面的作用.实验结果表明,随B含量的增加,合金中四方相的量逐渐增加.在x=8处达到极大值.根据四方相的量及磁矩取向度计算了合金的剩磁,计算值与实验值很好地吻合.     

(BiTm)3(FeGa)5O12磁光单晶薄膜

本文论述(BiTm)₃(FeGa)₅O₁₂膜的液相外延和磁光特性.研究了外延工艺对膜的生长速率和磁光性能的影响,得到膜的磁光优值θ_F/α达2.9deg/dB,并观察了膜的磁畴结构和内部缺陷.对该薄膜制成的磁光调制器进行了低频调制试验.     

非晶态(Fe1-xNbx)84.5B15.5合金的磁性和热稳定性

用单辊急冷法制备了非晶态(Fe_1-xNbx)_84.5B_15.5(x=0,0.02,0.04,0.06,0.08,0.1)合金,测量了饱和磁化强度与温度的关系,得到居里温度T_o随Nb含量x的增加而线性下降,其递减率dT_o/dx=17.6 K/at%Nb.     

热处理对NdFeB合金的磁性能影响

采用快淬法制备NdxFe84-xB16（x=4,6,8,10）系列合金,并对所制备的合金进行热处理,研究热处理对NdFeB合金的磁性能影响．结果表明：在相同的退火条件下Nd10Fe74B16合金的综合磁性能最好;Nd10Fe74B16淬态合金在700℃退火3min有较好的磁性．     

几种各向异性对氧化铁Hc的影响

本文对粉状颗粒和连续薄膜在γ-Fe₂O₃与Fe₃O₄之间的相变中矫顽力H_c的变化进行了讨论.无论在氧化中或还原中,球状颗粒和连续薄膜H_c的增加主要是应力各向异性引起的;而针状颗粒H_c的降低则是受到与颗粒尺寸变化相联系的形状各向异性的影响.     

气敏半导体矿灯式瓦斯自动报警器

瓦斯是煤矿安全生产的主要威胁之一,目前国内煤矿中瓦斯的检测方法多半采用接触燃烧传感器,或光干涉测量仪.我们参考国外近年来半导体气体传感器的研究结果^[1~4],利用SnO₂半导体敏感元件作瓦斯传感元件,安装在矿灯上,研制了一种矿灯式瓦斯自动报警器.     

PbO-Nb2O5系化合物的X线研究及声光性质预测

本文对PbO-Nb₂O₅系化合物进行了粉末X线研究,比重测量和声光性质预测.X线分析证实Roth所发表的此系中六种化合物的存在.精确测得了P₃N和P₅N₂的晶胞参数和粉末衍射数据.发现组成为P₅N₂的PbO、Nb₂O₅混合物在900℃~1150℃间出现P₃N中间相.指出系中PbO含量较高的P₃N、P₅N₂、P₂N和P₃N₂均具有较高的声光优值,有希望作为新的声光材料.     

碳在Mn-Al-C永磁合金中的行为

用X射线衍射等方法研究了碳在Mn-Al-C合金中的行为.发现碳能提高强磁性相的稳定性、降低共析温度、影响合金相点阵参数和长程有序度,高C(>1%)合金还能析出碳化物相.本文从强磁性相的单轴应变、有序度、弥散碳化物以及晶体不完整性等几方面讨论了碳对磁性的贡献.实验研究了合金的潮解效应,提出了碳化物水解和次级裂纹产生的高碳合金的粉化机理.     

砷化铟中的剩余施主和高纯砷化铟晶体的生长Ⅱ.高纯砷化铟晶体生长及热处理对电学性质的影响

用特别处理的石英舟生长纯度InAs晶体,不仅避免了Si沾污,而且能克服沾舟的困难.晶体的电学性质μ₇₇在54000~60000 cm²/V·s之间,最高达68800 cm²/V·s,n₇₇在1.5~2.0×10¹⁶cm^-3范围,比一般石英舟生长的为好.用它作GaInAs气相外延的源,也能得到较好结果.     

压力对多晶PbMg1/3Nb2/3O3铁电体弥散相变的影响

在0~14kbar之间的不同压力下,测量了多晶PbMg_1/3Nb_2/3O₃铁电体的介电常数ε在-196℃~50℃温区内随温度变化的关系,并得到了在不同温度下较完整的ε-P关系.