多晶铝和多晶镍的中温滞弹性蠕变〈一〉

用99.92%多晶纯铝从125——225℃作滞弹性蠕变及应力驰豫试验.所测得蠕变激活能为(25±1)千卡/克分子,比纯铝体积自扩散激活能低,与晶粒间界自扩散激活能相接近.用99.96%多晶纯镍从330——450℃作滞弹性蠕变及应力驰豫试验.所测得蠕变激活能为(34±2)千卡/克分子比纯镍体积自扩散激活能低得多,与晶粒间界自扩散激活能相接近.因此,可以认为多晶在较高温度(中温)下的滞弹性蠕变机制与晶粒间界自扩散机制相似.     

多晶铝和多晶镍的中温滞弹性蠕变(二)

作者用99.96％的多晶掺碳镍从390—450℃作滞弹性蠕变及应力驰豫试验,所测得蠕变量比纯镍低得多。用侣单晶从360—440℃作滞弹性蠕变及应力驰豫试验,所测得蠕变激活能为(267520±8360)J/mol,比纯侣体积自扩散激活能大得多。因此,结合文[1],可以认为多晶在较高温度(中沮)下的滞弹性蠕变机制与晶粒间界自扩散机制相似。     

等平面介质隔离先进低功耗TTL电路技术研究

先进低功耗肖特基TTL电路——即ALSTTL电路,是对双极型TTL数字集成电路的第三代LSTTL的线路形式,特别是从工艺及器件结构上作了根本改进以后,于八十年代初在国外出现的第四代双极型数字集成电路,当时美国Texas Inc,Motrola公司及     

ZnGeP2多晶合成工艺改进及其X射线衍射分析

两温区气相输运合成ZnGeP2多晶,易发生化学计量比偏离,产生Ge、Zn3P2等杂相,在合成坩埚(石英安瓿)内壁凝聚一层ZnP2和P的沉积物.通过对合成设备、安瓿尺寸和工艺的改进,采用机械振荡炉体和竖直梯度降温相结合的新工艺,成功地合成出ZnGeP2多晶材料.合成的ZnGeP2多晶,经XRD分析测试,并采用Rietveld法进行全谱拟合精修、计算出各物相的相对含量.结果表明,改进工艺合成的ZnGeP2多晶是高纯单相材料,可用于单晶生长.采用改进工艺合成的ZnGeP2多晶为原料,生长出完整性好的ZnGeP2单晶体,在2.5～8.2μm范围的透过率达60%左右,光学质量较高.     

多晶莫来石耐火纤维

德清县莫干山耐火器材厂,经过两年的试验研究,研制成一种莫来石相晶态耐火纤维,经有关单位试用,具有良好的耐高温、节能效果。用陶瓷耐火纤维作工业窑炉耐火隔热材料是国家重点推广的新材料之一,然而至今为止还只能以熔融喷射法生产耐温为1000℃     

分子束外延中杂质扩散系数的确定

我们发展了一种分子束外延（ＭＢＥ）过程中杂质扩散系数新的确定方法：根据ＭＢＥ后的杂质浓度的分布，运用粒子数守恒定律和有限差分直接确定杂质的扩散系数。该方法简化了传统方法的工序，数值计算结果与已有的结果一致。     

介质隔离横向高压p—i—n器件的击穿特性

对硅厚膜BESOI介质隔离横向高压p-i-n器件的击穿特性作了分析,并用计算机进行了模拟,从器件的几何图形和隔离偏压方面,提出了改善击穿特性的方法。     

多晶铁电体的脉冲反转

测量了钛酸锶钡(Ba0.99Sr0.01TiO3)陶瓷在不同峰值方波电压作用下的脉冲反转信号.发现陶瓷中由于晶粒小,慢极化的反转速度快,使得慢电流峰值对应的时间几乎不随外加作用变化;而慢电容则随方波峰值电压的增大单调增加.     

硫化铅多晶膜的研究

为研制红外多元探测器阵列,我们采用柯达法制备了硫化铅(PbS)多晶膜,对它的结构特性和电学特性进行了研究。经过敏化处理的多晶膜微量氧是掺进晶粒间隙或缺陷的部位,形成敏化中心。薄膜中Pb,S,O元素分布是均匀的。 采用电子探针分析方法解决了薄膜表面微量氧的测定。 。 测试结果得出灵敏度高的多晶膜合适的氧含量和载流子密度的范围。     

异质结构液相外延中杂质的扩散行为

本文导出了异质结构液相外延中杂质扩散分布函数的一般形式,指出扩散PN结位置存在“退缩”效应,讨论了外延生长参数对PN结位置的影响,并与Zn在InGaAsP/InP液相外延中扩散PN结位置的实验结果做了比较。     

市场经济中外延与内涵扩大再生产的辨证关系

根据马克思关于再生产理论，现有的关于内含和外延的两种扩大再生产 的区分方法都欠全面，应重新讨论两种扩大再生产的辨证关系以及对我国社会主义市场经济的指导作用。     

防止硫镓银多晶合成中容器爆炸的研究

通过对硫镓银多晶合成实验过程中容器易发生爆炸的原因进行分析研究，提出了两温区气相输运、温度振荡合成AgGaS2多晶的新方法，即通过分段升温同时旋转合成炉逐步消耗参与反应的硫，然后在高温进行两温区气相输运反应后再进行温度振荡混合反应，减小反应过程中合成管内压力，避免了容器爆炸的发生，获得了高纯单相的AgGaS2多晶原料。     

关于表现外延与反馈外延的一些重要性质

研究表现外延和反馈外延的一些重要性质.证明了复杂概念和简单概念之间的表现外延关于投影和柱体扩张具有包含关系.分析表现外延在复杂因素和简单因素上的投影和柱体扩张,进而讨论了因素充分性的一个充要条件.证明了一个概念的对立概念的反馈外延包含该概念的反馈外延的余.     

基于min型表现外延的反馈外延外包络

相对于max型表现外延,给出min型表现外延的定义,利用min型表现外延构造了概念关于因素的min型反馈外延.研究了min型反馈外延与概念外延以及复杂因素min型反馈外延与简单因素min型反馈外延之间的关系,得到了与min型反馈外延相关的一些重要性质.定义了min型反馈外延外包络,给出一种从概念外延"内部"对概念外延进行逼近的方法.     

用于太阳电池的AlSb多晶薄膜

该文采用多靶共溅射方法先预沉积了Al-Sb复合薄膜,然后在N2气氛下进行退火得到Al Sb多晶薄膜。用XRD分析了Al Sb多晶薄膜的结构,用XRF测定了Al和Sb的原子比。最后用AMPS-1D模拟了采用该Al Sb多晶薄膜的太阳电池的光伏特性。结果表明,共溅射的方法可以获得结晶性能良好的Al Sb多晶薄膜,并且使用该薄膜的太阳电池可以具有较高的转换效率。     

薄膜外延生长中表面原子过程的动力学研究

从理论上研究了薄膜生长过程中原子在表面上的各种动力学表现，对原子扩散、原子团扩散、多层膜生长等过程的动力学行为进行了详细的分析，进一步探讨了薄膜生长的微观机制．     

高纯多晶铝的动态再结晶

将99.992%高纯多晶铝在533～773 K时以0.002～2.000 s-1的应变速率压缩到其真应变为0.92.采用真应力-真应变曲线以及偏光金相和透射电镜研究高纯铝高温塑性变形特征,研究了形变条件对高纯铝动态软化机制的影响.研究结果表明:高纯铝的动态软化机制与Zenner- Hollomon参数Z密切相关,当Z较大时,试样仅发生动态回复;Z处于中间值时,发生连续动态再结晶;Z较小时,发生不连续动态再结晶,但真应力-真应变曲线未出现波动.