激光能量与光声信号强度的关系

运用声学基础理论,讨论了激光能量与声信号强度间的变化关系．发现激光能量与声信号强度之间存在着对数线性关系;并根据液体中光声信号的连续性,得到了一种求取液体光击穿阈值的新方法     

三元混合气体SF_6／CCl_2F_2／N_2击穿特性研究

研究了不同电场分布中三元混合气体ＳＦ６／ＣＣｌ２Ｆ２／Ｎ２的工频电压击穿特性和冲击电压击穿特性．气压范围为１００ｋｐａ～３００ｋｐａ．结果表明，适当配比的ＳＦ６／ＣＣｌ２Ｆ２／Ｎ２混合气体具有相当于甚至优于纯ＳＦ６的击穿强度．     

激光能量与光声信号强度的关系

运用声学基础理论,讨论了激光能量与声信号强度间的变化关系,发现激光能量与声信号强度之间存在着对数线性关系;并根据液体中光声信号的连续性,得到了一种求取液体光击阈值的新方法。     

多断口真空开关击穿电压增益与统计特性研究

从长间隙真空开关的击穿特性出发,理论推导得到双断口及多断口真空开关的击穿电压最大可能增益倍数Kn,同时引入"击穿弱点"概念和概率统计方法,分析建立了双断口及多断口真空开关的静态击穿统计分布模型,发现无论是双断口真空开关还是n个断口串联起来,其击穿的统计概率都要比单断口的击穿统计概率要小.为了进行实验论证,建立了三断口真空开关实验模型,对单断口真空灭弧室模型和三断口真空开关实验模型进行了大量的冲击击穿特性实验.研究表明,三断口真空灭弧室相比单断口真空灭弧室具有更低的击穿概率.试验数据与理论分布曲线基本吻合,证明理论研究结果正确.     

TEA—CO_2激光诱发甲烷气体击穿现象的研究

利用 TEA-CO_2激光击穿 CH_4气体,研究了气体击穿阈值与压力之间的关系.用经典击穿模型讨论并得出击穿阈值和压力之间存在着 I∞P~(-1)的关系.理论和实验结果相吻合.     

气体放电管直流击穿电压测量技术的研究

为了寻找一个能有效表征气体放电管(GDT)从高阻状态转变为低阻状态的判据,在分析和实验对比现有技术的基础上,提出了利用电磁感应原理设计判据提取的方法.该方法设计了一个耦合线圈,将初级线圈串入主回路采集GDT击穿瞬间产生的微电流脉冲,将该脉冲整形后作为判据信号.对GDT击穿瞬间的电路状态进行了建模分析,首次从电路角度分析了GDT击穿瞬间出现的脉冲电流的形成原因,并指出不同的脉冲电流是由电流中脉冲分量和线性分量相互作用的结果.实验结果表明:在宽电压范围(50～5 000V)测量系统中,稳态击穿电流小于5 mA,且在上升速率为100V/s直流电压作用下,从GDT击穿到系统响应最小时间为2.06μS,最大为3.34 μS,平均为2.81 μS.     

半导体和半导体器件中的击穿现象

碰撞离化、雪崩和击穿效应是许多重要的半导体器件的基础。如雪崩光二极管、雪崩晶体管、抑制器、锐化二极管（击穿被延迟的二极管）、Impact和俘获等离子雪崩触发渡越二极管等。为了获得最快的速度和最大的功率，许多半导体器件必须在击穿或十分接近击穿的条件下工作。     

微波击穿中压强对电子弛豫过程的影响

通过联立电子密度和电子能量随时间的演化方程构建全局模型,对不同压强下高功率微波(HPM)脉冲氩气击穿及电子弛豫过程进行了研究。计算了不同压强下的氩气击穿阈值,其与粒子模拟蒙特卡罗碰撞(PIC/MCC)法预测的结果符合得很好。通过引入复合率和扩散率的经验表达式,得到了不同压强下,弛豫过程中电子密度和电子能量随时间的变化。结果表明,氩气击穿发生后,电子密度先经历短暂的增长后逐渐下降,且压强越高,电子密度的最高值越低。在电子弛豫过程中,随着压强的增加,电子密度下降得更慢,而电子能量减小得越快。     

高氏聚合物击穿理论的验证及其在电缆上的应用

高氏聚合物击穿理论虽已发表4年,但是,它的核心部份——电子非辐射能量的转移,尚未被实验验征.本文以一种聚合物作为添加剂,掺杂到聚乙烯中,降低了聚乙烯的深陷阱浓度,增加了浅陷阱浓度。试验结果表明,这种掺杂能明显提高聚乙烯的树枝起始电压和击穿电压,从而间接证明了这种能量转移的存在.与传统的消除静电方法不同,以一种聚合物掺杂到聚乙烯中,几乎不影响聚乙烯作为优良的电介质,但能降低或消除注入的空间电荷效应,因而为今后研制超高压直流塑料电缆的绝缘开辟了新的方向;也为我国目前辐射交联聚乙烯电缆在生产过程中的带电问题找到了解决的办法.     

大功率IGBT击穿故障分析及驱动保护电路设计

该文通过对IGBT组成的H桥在大功率高速开关条件下进行大量实验,列举了IGBT发生击穿故障的多种原因,结合IGBT器件的结构分析其击穿过程及击穿表现,并通过计算提出了一种输出波形稳定的IGBT驱动电路以及相应的保护电路。     

高耐压PTC陶瓷的制作

采用严格的陶瓷制作工艺,选择合适的配方,利用化学纯原料,制了出了不同掺杂的ＰＴＣ陶瓷并进行了比较,得到了耐压值高于２２０Ｖ／ｍｍ的良好的ＰＴＣ陶瓷。     

电缆设计中的一个优化方案

怎样用有限的材料制作出电能贮存最大的安全合格电缆,本文阐述的数学物理模型,给出了一种解决此问题的最优方案。     

平面型电力电子器件阻断能力的优化设计

利用场限环终端结构及P^ I(N^-)N^ 体耐压结构分析了平面型电力电子器件的阻断能力，提出了一种优化设计阻断能力的新方法，通过将器件作成体击穿器件，使其终端击穿电压与体内击穿电压之间达成匹配，从而可提高器件阻断能力的稳定性和可靠性，并降低器件的通态损耗及成本。最后通过制作具有PIN耐压结构的GTR和引用国外有关文献验证了该方法的正确性。该方法可直接推广到整流器，晶闸管，GTR，IGBT，IEGT和MCT等多种平面型电力电子器件设计中。     

脉冲和直流应力下栅氧化膜击穿特性的差别

本文讨论了在直流电压应力和脉冲电压应力作用下栅氧化膜击穿寿命的差别，脉冲应力下栅氧化膜击穿寿命大于直流电压下的击穿。而且频率越高，两者的差别越大，差别起因于脉冲低电平期间栅氧化膜损伤的自行减少。     

电化学法治疗肿瘤的研究进展

恶性肿瘤是威胁人类生命健康的主要疾患，电化学法（ECT）是近年发民起来的治疗恶性肿瘤的新技术，最常见的方法有直流电化学法和电脉冲辅助抗癌药物治疗法，根据近20年的文献资料综述了国内外学者应用电化学法治疗肿瘤的机理研究、实施方法以及在动物试验与临床应用方面的研究进展。大量的研究表明，电化学法是一种操作简便、疗效好、安全性较佳的肿瘤治疗法，目前正处于临床应用研究阶段。在此基础上，提出了一种新的电化学法即能量可控陡脉冲肿瘤治疗法，单纯利用电脉冲对细胞膜的不可逆击穿，杀死肿瘤细胞，并介绍了该方法的初期研究成果。     

论500kV变压器绝缘击穿事故防范措施

主要对500kV变压器运行时发生的绝缘击穿事故进行简要分析，综合了各种事故因素，在常规预防措施的基础上认为建立变压器油腐蚀性硫的预防措施是十分必要的。     

在无水氨气中氮化的氧化物击穿特性的研究

本研究采用在无水氨气中进行氮化氧化物的方法,提高了氧化物的击穿特性.对击穿机理及其处理程序的关系作了较详细的阐述,同时采用照相蚀刻技术,显微镜观察和扫描电子显微镜检测、能谱图等手段、取得了一批较准确的数据和样品.获得在无水氨气中氮化的氧化物击穿特性得到改善的结果,并指出击穿的碰撞电离机理和氮化对改善击穿特性的要点以及控制永久性击穿的决定因素.     

VDMOS结构击穿电压的设计与分析

本文引用了附加有浮动电位保护环和场板的ＶＤＭＯＳ结构击穿电压的解析表达式,描述了浮动电位保护环和场板效应的对穿通击穿电压的改进,经比较,理论结果与测量数据有较好的一致性。