五磷酸镧钕晶体中的腐蚀缺陷

用腐蚀法观察了五磷酸镧钕晶体的腐蚀缺陷。晶体中存在着錐形蚀坑和相应的腐蚀隧道及两种腐蚀沟槽。对这些腐蚀缺陷的形态、特点及分布进行了总结,并探讨了它们的产生与生长条件的关系,讨论了它们的成因及本质。     

五磷酸钕大单晶的生长

一、引言五磷酸钕晶体(分子式NdP_5O_(14),简写Ndpp)是一种光学增益高的激光材料。Nd~(3 )不是作为掺质进入基质,而是按一定化学计量比的化合物中的组份,即Nd~(3 )既是激活离子又是基质。Ndpp晶体中Nd~(3 )浓度(4×10~(21)厘米~(-3))约为掺钕1%的钇铝榴石(Nd:YAG)中Nd~(3 )浓度的30倍。尽管Ndpp中Nd~(3 )浓度很高,但由于Nd~(3 )之间被—O—P—O—基团隔离,减弱了Nd~(3 )与Nd~(3 )之间的偶极作用,从而降低了荧光猝灭。同时,Ndpp晶体的发射截面和线宽同Nd—YAG相似,而光学增益比Nd:YAG约高30倍。这样可以用较小样品在很小体积内获得较高的光激     

五磷酸镧钕激光晶体的放大增益及损耗的测量

前言用 NdLaPP 激光晶体作工作物质的激光器,有阈值低,效率高,体积小及价格便宜等优点。用它做成的小型激光器,已有广泛的应用。由于 NdLaPP 晶体受外力后易损坏,所以直接用水冷却激光器内的晶棒是十分困难的。又因 NdLaPP 晶体导热性能较差,所以也难以用它做成高重复率激光器或激光放大器。但我们用 NdLaPP 作工作物质研制成的低重复率激光器和激光放大器却得到了较好的结果。本文报道对用普通脉冲氙灯研     

五磷酸镧钕单晶表面特征的研究

用大型金相显微镜观察了高温溶液生长的五磷酸镧钕(NdLaPP)晶体的表面特征。这些特征是:晶面花纹、生长丘、邻位面和铁弹畴。实验表明:晶面花纹是晶体内部缺陷在生长面上的反映。因此,观察晶面花纹就可直接地判断晶体内部质量,这在大晶体上选取较完整部分制作激光棒或作晶种是一种方便,有效的方法。根据生长面上出现的生长丘、邻位面等表面特征,可以确定在该晶体生长过程中螺位错生长机制起主要作用。     

五磷酸钕晶体中的反相畴界

本文首次报导了在铁弹晶体五磷酸钕中存在的反相疇界,并在一系列稀土五磷酸盐晶体中观察了其存在与结构的关系;观察了其类型、分布状态及腐蚀特征;用x射线形貌术确定了直型反相疇界的平移矢量;提出了反相疇界的微观模型。     

重复率五磷酸镧钕调Q激光器的研究

本文介绍用NdLaPP(掺镧五磷酸钕)晶体做激光工作物质研究成功的调Q重复率脉冲激光器。NdLaPP晶体有效尺寸为3×3×40mm,用普通脉冲氙灯泵浦,效率为1.73%,峰值功率为46.6MW     

五磷酸铒晶体的生长与缺陷

本文报导了一种新的激光工作物质五磷酸铒的生长、形态和缺陷。采用晶种法生长了12×7×6mm高质量的晶体,测定了晶体外形和光性,并研究了它的表面特征和腐蚀缺陷。     

五磷酸镧镨系列晶体比热容及铁弹相变的研究

报道了用DSC法测量Pr_xLa_(l-x)P_5O_(14)系列晶体比热容的结果,并以比热容结果研究了该系列晶体的铁弹相变和不同组分晶体的相变温度.     

五磷酸镧钕晶体(Nd_(1-x)La_xP_5O_(14))铁弹畴的研究

用正交交偏光法测定了五磷酸镧钕晶体的铁弹相变点。该方法的优点是迅速,可靠,能实现自动记录。测得NdP_5O_(14)晶体的相变点为146°±2℃,Nd_(0·0)La_(0·1)P_5O_(14)晶体的相变点为141°±℃。同文献中用(100)面反射光方法测定结果一致。另外研究了铁弹畴壁对晶体消光比的影响,证实消光比的差异是由于畴壁两侧光率体取向不同造成的。     

点状籽晶法生长KDP晶体的(100)面位错分布

通过光学显微镜对点状籽晶法生长的KDP晶体（100）面位错蚀坑的观察和分析,发现柱区的位错线走向不同于片状籽晶法生长的晶体。晶体的位错主要来自籽晶的位错。通过籽晶成锥-微溶-生长的过程可以减少籽晶锥区位错向晶体中的延伸,在晶体内部,当两条夹角很小的位错线相交时会合并成一条位错线。     

硼酸镧钙晶体的提拉法生长研究

首次采用提拉法生长La2 CaB10 O19晶体 .配制不同摩尔比的CaB4O7和LaB3 O6原料进行晶体生长 ,发现CaB4O7∶LaB3 O6在 1 .3∶2～ 1∶1范围内都能获得La2 CaB10 O19的单晶 .研究了晶体生长工艺 ,在CaB4O7∶LaB3 O6=1 .3∶2时获得 1 4mm× 2 5mm的透明单晶 .生长过程中靠近液面温度梯度为 30℃ /cm～ 6 0℃ /cm ,晶体转速为 1 0r/min～ 2 5r/min ,提拉速度不大于 1mm/h .在不同次的生长中 ,所获得的晶体表现发育完好的 {0 0 1 }板面 .     

溶液组成对五磷酸钕晶体生长的影响

一、引言五磷酸钕(NdP_5O_(14)简写NdPP)晶体作为高钕浓度(比Nd:yAG高30倍)激光材料,可望在小型激光光源、测距机及超短脉冲等方面得到应用,引起了人们的极大兴趣。目前虽已长出厘米级尺寸的大晶体,但对其生长过程的物理化学研究未见报导。磷酸——水体系极为复杂,它是由水和通式H_(n+2)P_nO_(3n+1)(其中n=1,2,3……)的酸组成的复杂混合物。其中各种酸的比例,随着制备方法的不同而各不相同。NdPP     

对接籽晶法生长鄰苯二甲酸氢铊单晶体

本文介绍了一种按晶体点阵匹配的原则将两块邻笨二甲酸氢铊单晶体对接起来作为生长籽晶的方法．并对用这种对接籽晶培养出来的晶体进行了质量检测．包括：是否单晶的鉴别、（００１）面位错密度的观察和晶体在电子探针谱仪上应用参数的测量，检测结果表明对接籽晶生长的邻苯二甲酸氢铊晶体和用完整籽晶生长的邻苯二甲酸氢铊晶体在质量上无明显差别．     

稀土镧,铈,钕分析方法研究

针对冕宁稀土矿组成的特点，对稀土元素镧，铈，钕的分析方法进行了研究，确定了在普通实验室内定性和半定量测定镧，铈，钕的方法和定量测定稀土元素总量的方法，为冕宁稀土矿的深加工分析提供了一套完整的快速，简便方法。     

镧与镨钕的环烷酸萃取分离

前言以环烷酸为萃取剂分离稀土元素,十余年来有很大进展,但用于稀土之间的分离工作发表的不多;1974年以来国内成功地用它分离了钇和非钇稀土;至于对非钇稀土之间的分离未见报导。在环烷酸萃取体系中,相邻轻稀土的分离因数,以镧与铈之间较大,β_(Ce/La)2.2～2.4。我们曾研究了镧铈镨钕混合氯化物(RECl_3=0.51M)——1.8M环烷酸(氨化率48％)煤油溶液萃取体系中轻稀土的分配,测得β_(Ce/La)～2.5,β_(Pr/Ce)～1.2,β_(Nd/Pr)～1.3表明环烷酸适用于轻稀土、特别是无铈轻稀土中镧的分离。工业级环烷酸作为萃取剂有易乳化的缺点,目前均加入异味较重的C_9—C_(11)混合醇或辛醇破乳,同时也要求提供防止乳化的其它方法。为了考察环烷酸萃取分离轻稀土的性能,本文用经过纯化的一定馏份环烷酸(以煤油为稀释剂)在氨化率45％时不使用其它添加剂,在单级萃取平衡的基础上,对镧镨钕     

用凝胶法生长KClO4晶体

凝胶法是生长KClO4晶体最合适的方法．实验研究了反应物浓度、凝胶密度、温度、凝胶pH值对KClO4晶体成核数目、大小、形状及质量的影响，得出了生长较大尺寸、完整性好、高质量的KClO4晶体的最佳条件和参数．第一次对KClO4晶体形态、各晶面的显露程度进行定量分析，实验与理论分析相符合．证实了Hartman和Perdok的PBC理论．研究结果为下一步进行晶体生长机理研究打下了基础．     

ADP点状籽晶(100)面的生长

ADP晶体点状籽晶生长实验结果表明:生长温度处于20~40℃,相变驱动力介于0.005KT/ωs~0.03KT/ωs之间时,籽晶(100)晶面的生长速率随过饱和度的增加而线性增加;在相变驱动力一定时,晶面生长速率随温度的升高而呈指数增加;晶面的生长动力学规律与体扩散输运机制下的螺位错生长机制相符;相变驱动力低于临界驱动力时,晶体生长存在着热力学因素造成的死区。相变驱动力介于相变驱动力介于0.05KT/ωs~0.11KT/ωs之间时,(100)晶面的生长速率随过饱和度的增加而呈非线性增加,晶面生长趋近于多二维核生长,但同时也有其它生长机制并存。     

籽晶保护条件下铈掺杂溴化镧晶体生长及其性能

为定向生长出铈掺杂溴化镧（LaBr3:Ce）晶体,改进了坩埚下降法,并在籽晶接种过程引进冷却气体的保护装置。生长出的LaBr3:Ce晶体在137Cs放射源辐照下,其能量分辨率为3.08%,衰减时间为20.1 ns。采用多通道DRS4采集系统,以XP20D0型光电倍增管耦合 Ф 20 mm×5 mm 溴化镧器件作为开始道探测器,H8500型光电倍增管耦合LaBr3:Ce阵列作为被测停止道探测器,放射源为22Na（511 keV）。制备了6×6的LaBr3:Ce阵列,单根晶体条的尺寸为2 mm×2 mm×15 mm。利用数字化波形分析法,获得阵列的清晰二维散点图和一维位置谱,阵列x和y方向的位置分辨率分别为1.01 mm和0.89 mm。制备出的LaBr3:Ce晶体具有优异的能量分辨率和位置分辨率,可以应用于PET等医学成像技术领域。