浅谈负电荷粒子的“卢瑟福散射”

本文通过对α粒子的卢瑟福散射理论的引伸,导出负电荷粒子“卢瑟福散射”所遵循的规律公式。同时指出,负电荷粒子一次性大角散射的理论计算和实验观察开始出现偏差时的角度较之相应的正电荷粒子散射角为小;由于入射电了受原子核外诸电子库仑斥力的影响不能忽略,负电荷粒子的“卢瑟福散射”理论公式不适用于电子被薄金属箔散射的情况。     

金属履带拖拉机支重轮接触应力分析

针对金属履带拖拉机支重轮断裂、卷边时的接触应力进行分析计算。首先,对支重轮在工作过程中的静止、重心偏离、牵引力倾斜与重心偏离3种状态进行了受力分析,并使用接触理论进行接触应力的理论计算;然后,利用 ANSYS 软件建立支重轮结构的三维有限元模型,对3种工况下的接触应力进行有限元数值计算。计算结果表明：整机在牵引力倾斜及重心偏离工作状态下支重轮的接触应力为最大,尤其对于 C1302机型;最大接触应力在轮缘处。接触应力的理论计算与数值模拟分析结果非常接近,吻合较好,其误差不超过5％。     

采用高分辨XRD确定AlxGa1-xN／GaN异质结的应变状态

利用高分辨X射线衍射方法,分析了采用金属有机物汽相沉积生长的AlxGa1-xN／GaN薄膜的晶体结构和应变状态。通过（002）和（105）面的倒易空间映射,分析获得AlxGa1-xN／GaN外延层的应变程度,并且计算了不同A1组分的AlxGa1-xN／GaN在倒易空间图上的弛豫方向;同时利用Vegard原理,推导了在双轴应变下A1组分的计算方程式,得出完全应变情况下A1组分为30％,与卢瑟福背散射实验结果比较符合。     

质子激发K壳层电离截面的测定

通过测量质子轰击固体薄靶产生的特征X射线和卢瑟福散射粒子,确定了在1.6-2.4MeV能区内质子激发Ag、Cu、Ni等元素的K壳层电离截面,测量误差约为10%。用OPSSR、PWBA等模型做了相应的计算,OPSSR计算结果与实验符合得较好,PWBA计算结果与实验相比有一致性偏高。     

0.4～2.6 MeV宽能区质子在轻核Al上160°背散射截面测量

应用北京师范大学2×1.7 MeV串列加速器提供的质子束,采用相对测量方法测量了0.4~2.6 MeV宽能区质子在轻核Al上160°背散射截面.结果表明,对于质子在轻核Al上的散射截面,可用卢瑟福散射截面公式计算的最大入射质子能量是1.5 MeV,质子能量大于该值时,出现连续的非卢瑟福散射共振区.     

原子内壳层电离截面研究中薄靶厚度的卢瑟福背散射分析

作者使用^241Amα标准源与卢瑟福背散射相结合的方法，对四川大学原子核科学技术研究所的2．5MeV静电加速器进行了能量刻度，并利用卢瑟福背散射方法测量了一系列A1衬底金属薄靶的厚度，所测结果与称重法进行了比较，作者将卢瑟福背散射方法所测厚度值运用到电子碰撞引起原子内壳层电离截面的测量工作中，取得了满意的结果。     

Rutherford散射公式的理论研究

讨论和比较了用不同理论方法导出卢瑟福散射公式;分析了低能电子入射单电离氦原子(e,2e)反应中的卢瑟福散射;尤其是通过卢瑟福公式给出了有效核电荷的表达式.     

RPA与G矩阵的偏离能壳性

本文的目的是研究G矩阵的偏离能壳性对RPA计算结果的影响。文中以~(16)O为例,对1p-1h(单粒子-单空穴)组态的能谱作了TDA与RPA的数值计算。考查了不顾及与顾及G矩阵偏离能壳性对计算的影响。计算结果表明,偏离能壳性的影响对TDA与RPA都是不可忽略的。     

用标记 Xe~+ 及背散射分析研究 Nb 的阳极氧化机理

用离子注入不同深度Ｘｅ原子标记法和卢瑟福背散射分析技术、Ｘ射线谱、Ａｕｇｅｒ电子谱法分析研究了Ｎｂ在质量分数ｗ为５％柠檬酸铵溶液中阳极氧化成膜机制，计算了不同阳极氧化电压下离子迁移数。结果表明阳极氧化膜主要是由于Ｎｂ离子和Ｏ离子相向迁移，随着阳极氧化电压的升高，生成氧化膜的区域向外（溶液侧）迁移，氧化膜的成分是Ｎｂ２Ｏ５。     

金（Au）的背散射截面测量

在0.4～2.0MeV的能区中 ,对质子轰击金靶、散射角为160°时的卢瑟福背散射离子能谱进行分析 ,并且测量出其微分散射截面 ,与计算出的理论值进行比较。发现在1.0～2.0MeV的能区中 ,实验与理论的σ—E曲线符合得很好。     

利用密耦法对惰性元素原子与双原子分子转动激发截面的理论研究

作者运用密耦近似方法,计算了能量在64.0meV下,He原子和基态N2分子碰撞的态-态转动激发微分截面和入射能量分别在27.3meV,40.0meV,64.0meV和80.0meV下的弹性、非弹性和总微分截面;总结了该碰撞体系微分散射截面的变化规律.研究表明:在低能散射时,弹性散射主要发生在小角部分,转动激发非弹性散射主要发生在大角部分.     

Ar-HCl体系各向异性相互作用势及转动激发微分截面的理论研究

首先用gaussion03程序在CCSD(T)/aug-cc-pVQZ理论水平下计算的Ar-HCl相互作用能数据,得到了Ar原子与HCl分子各向异性相互作用势;并与HWK势进行比较,验证了拟合势的可靠性;然后采用公认的精确度较高的CC近似方法计算了Ar-HCl碰撞体系能量在100meV下Ar原子和HCl分子碰撞的转动激发微分截面,总结了该碰撞体系非弹性微分散射截面的变化规律。     

天然Nb的快中子辐射俘获截面

用大液体闪烁探测器和飞行时间法,相对于~(197)Au测量了0.7—1.4MeV能区天然Nb的中子辐射俘获截面.在0.5—2.0MeV能区,对~(93)Nb的辐射俘获截面进行了理论计算.     

Monte Carlo calculation method on low energy electron scattering in polybasic medium

A novel Monte Carlo method of simulating low energy electron (LEE) scattering in polybasic medium is presented. The Mott cross section is adopted to describe the elastic scattering of LEE, and a mean cross section idea is proposed instead of usual determination of the scattering center. The Joy’s modified Bethe equation is used to calculate energy loss of LEE. The scattering processes of LEE in bulk PMMA have been simulated. And the electron backscattering coefficients, the electron interaction range and energy dissipation distribution of LEE in bulk PMMA have been calculated and compared with those calculated by the method of determining scattering center.     

变幅杆横向振动的频率修正

在变幅杆有径向动能的情况下,运用能量法,给出考虑横向效应后变幅杆谐振频率的计算公式,计算结果与实验值吻合较好。     

He—H2碰撞转动激发截面的理论计算

首先在IOSA(Infinite-Order-Sudden-Approximation)方法中利用WKB近似方法代替Nemerov方法计算相移,然后对He与转动能层较大的H_2分子碰撞总的、弹性和转动激发积分散射截面进行了计算。结果表明,用此方法所计算总的和弹性散射截面的值与较准确的CC(Close-Coupling)方法得出值符合得很好,对非弹性散射截面,当取适当k值时,结果令人满意。     

Ar原子与H_2低能碰撞分波截面的理论研究

使用Tang-Toennies势模型通过密耦近似(Close-Coupling)方法计算了Ar原子与H2分子在碰撞能量分别为E=0.15eV、0.25eV、0.35eV时的分波截面,对计算结果进行了讨论,总结了该碰撞体系的弹性微分截面(00-00)以及分波散射截面在弹性散射00-00和非弹性散射00-02、00-04的变化规律。     

氦原子与氮分子体系转动激发截面的理论计算

利用密耦近似方法对He－N2碰撞体系的微分截面、分波截面进行了量子力学计算，研究表明：低能散射时，He－N2碰撞的弹性散射主要在小角部分，而非弹性转动激发主要发生在大角部分，并通过系统的研究和计算，发现了分波散射截面不同的能量下的变化规律。     

强子物质中重子离解XcJ截面的研究(英文)

在组分夸克交换模型中，从Buchmueller-Tye势出发得到夸克－夸克间的作用势，并应用这个作用势计算了强子物质中重子离解xcJ的截面，给出了主要反应道的截面对重子和粲偶素质心系能量的依赖。     

He-HBr碰撞体系转动激发截面的研究

作者运用密耦近似方法,计算了能量在100meV下He原子和基态HBr分子碰撞的态-态转动激发截面和碰撞能量分别在100meV,150 meV,200 meV下的总微分截面和总分波截面;总结了该碰撞体系散射截面的变化规律.经研究表明:在低能散射时,弹性散射主要发生在小角部分,非弹性转动激发主要发生在大角部分.