过渡元素杂多钨硅酸盐氧化还原性质的研究

通过极谱和循环伏安方法,首次系统地研究了过渡元素杂多鹅硅酸盐在水溶液中的氧化还原性质,讨论了过波元素对杂多阴离子氧化还原性质的影响。化合物按文献方法合成。化学分析和热分析证实组成为a一K声iz     

杂多钨酸盐异构体α·β_i──k_5［SiW_（11）Ga（H_2O）O_（39

本文通过极谱和循环伏安法，系统地研究了α·βｉ──ｋ５［ＳｉＷ１１Ｇａ（Ｈ２Ｏ）Ｏ３９］·ｎＨ２Ｏ的氧化还原性质，得出杂多阴离子的极谱半波电位Ｅ１／２顺序为：β２＞β１＞β３＞α。提出了它们的还原机理，讨论了杂多阴离子的结构对其氧化还原性质的影响。     

用电化学测试方法解析阴离子在水溶盐电解液中的传输行为

测试分析锌离子电池中阴离子的氧化还原反应, 以MnO₂为研究对象, 用循环伏安法、 恒流充放电法及非原位X射线光电子能谱测试分析MnO₂中的氧在水溶盐电解液中的氧化还原反应. 结果表明, 在低浓度电解液中, 氧未发生氧化还原反应, 在质量摩尔浓度为30 mol/kg的ZnC_l2电解液中, 氧在高电位处发生氧化还原反应.     

具有Dawson结构的过渡金属杂多钨磷酸盐的氧化还原性质研究

采用极谱和循环伏安法,研究过渡金属杂多钨磷酸盐K_x[P_2W_(17)ZO_(62)]·nH_2O(Z=Ti~(4+),Mn~(2+),Fe~(3+),Co~(2+),Ni~(2+),Cu~(2+),简写为P_2W_(17)Z)在溶液中的氧化还原性质,发现杂多阴离子的第一极谱半波还原电位E_(1/2)的顺序为Cu~(2+)>Ni~(2+)>Co~(2+)>Fe~(2+)>Mn~(2+)。分析了循环伏安峰电位与pH的关系,提出了它们的还原机理,讨论了过渡元素对杂多阴离子氧化还原性质的影响。     

元素电势图Luther—Wilson公式的简易推导

元素电势图 Luther—Wilson 公式在无机化学的教学中,特别是研究元素的氧化—还原性质是十分有用的公式。已有报导介绍了一种推导方法。若利用物理学中电场力对电荷作功的概念,可以得到更为简单的推导方法。氧化—还原作用一般视为两个电极反应。若考虑还原态作电极反应:     

用电化学测试方法解析阴离子在水溶盐电解液中的传输行为

测试分析锌离子电池中阴离子的氧化还原反应， 以MnO₂为研究对象， 用循环伏安法、 恒流充放电法及非原位X射线光电子能谱测试分析MnO₂中的氧在水溶盐电解液中的氧化还原反应. 结果表明， 在低浓度电解液中， 氧未发生氧化还原反应， 在质量摩尔浓度为30 mol/kg的ZnC_l2电解液中， 氧在高电位处发生氧化还原反应.     

氧化还原反应在定性分析中的作用

氧化还原反应在分析化学中的作用是由这类反应的本质所决定的.在氧化还原反应中,由于电子的得失或转移,元素的氧化数改变.一种元素在氧化数改变时,其存在形态的分析特性随之改变,这就为离子的分离和鉴定奠定了物质基础.例如,下面两个氧化还原反应:     

碱性染料极谱行为的研究(Ⅰ)——25种碱性染料的示波极谱行为

本文研究了25种碱性染料在5%乙醇(或甲醇)—0.05 MLiCl底液中的滴汞电极示波极谱行为和最大吸收波长。初步探讨了上述结果在染料定性分析中的应用,氧化还原峰电位与相应PVC膜阴离子选择电极性能以及跃迁能之间的关系。     

两种新型含噻吩嗪导电共轭聚合物的电化学性质研究

在以0．1M TBAP为支持电解质的DMF非水溶液中,采用循环伏安和差示脉冲等方法详细研究了两种含噻吩嗪基团的导电共轭聚合物在玻碳电极上的电化学性质。研究结果表明：由于吸电子基团-CN的引入,m-Polymer出现一个明显的氧化峰和还原峰,而Ph-Polymer则出现了两组明显的氧化还原峰。详细推导了其电化学反应机理,利用循环伏安和紫外-可见光谱法对这两种聚合物的能级轨道进行了估测。     

Keggin结构和Dawson结构杂多酸(盐)及其衍生物的氧化还原性质研究

1:12系列 keggin 结构及2:18系列 Dawson 结构杂多酸(盐)及其衍生物可作为氯化型、酸型、或双功能催化剂。作为多电子氧化剂,它的氧化性可通过改变结构、中心原子或配位原子调变。过去有人研究了 keggin 结构杂多酸(盐)在水溶液中的氧化还原性质,发现1:12系列杂多酸阴离子及其一钒取代衍生物的还原电势与阴离子电荷之间存在线性关系,並提出了一种静电模型,对于 keggin 结构和 Dawson 结构杂多酸阴离子的高钒取代     

导电聚吡咯电极的现场红外光谱

利用循环伏安法，现场红外反射光谱法研究了电聚合的聚吡咯膜电极在电化学氧化还原过程中性质和结构的变化。结果表明，聚吡咯膜电极在电化学氧化还原过程中呈现薄层电极的特点，聚吡咯中每１２个吡咯单元中有１个单元参加反应。     

酸提香菇多糖的抗氧化活性研究

以香菇柄为材料,利用稀盐酸浸提得到粗香菇多糖SP和净化分级后的香菇多糖SP2,在化学发光体系下研究两种多糖在清除超氧阴离子、清除羟基自由基、清除过氧化氢和抑制DNA氧化损伤方面的作用;用可见光比色法比较SP和SP2与VC和VE的还原能力大小;同时研究了两种多糖对H2O2诱导小鼠红细胞氧化溶血和小鼠红细胞自氧化溶血的影响以及在小鼠体内抗氧化效果。结果表明香菇多糖SP和SP2对超氧阴离子、羟基自由基和过氧化氢均具有清除作用和抑制DNA氧化损伤作用,从SC50值看出,香菇多糖经过纯化后作用减弱,这可能是因为香菇多糖之间或与其它物质有协同作用有关;可见光比色法表明SP和SP2具有还原能力,为表现抗氧化活性的可能提供了基础;SP和SP2对H2O2诱导小鼠红细胞氧化溶血以及小鼠红细胞自氧化溶血均有抑制效果;体内抗氧化试验表明SP和SP2可以减少小鼠体内肝组织丙二醛的生成,提高血清中超氧化物歧化酶的活力。研究为开发酸提香菇多糖功能性食品和香菇柄资源综合利用提供理论基础。     

硫在二甲基亚砜介质中的电化学平衡图

本文在综合实验数据的基础上,计算了硫—二甲基亚砜体系中各种形态的分子、阴离子及阴离子自由基的标准化学势,并给出了该体系的二种电化学平衡图-电位-pS图和电位-logK_1图.在此基础上,探讨了该体系在电化学氧化还原过程中的电极行为和均相转化过程,为进一步研究该体系的平衡性质和电化学行为提供了热力学依据.     

砷钼杂多阴离子薄膜修饰电极的电化学特性及？…

用电化学沉积法制备了Ａｓ－Ｍｏ杂多阴离子修电极，在０．３ｍｏｌ／Ｌ Ｈ２ＳＯ４溶液中及０．７０Ｖ～０．００Ｖ电位范围内，该电极具有三对可逆氧化还原表面波，它们分别对应于Ａｓ－Ｍｏ杂多阴离子中Ｍｏ的三个２电子氧化还原过程，这三对表面波分别对ＮＯ２＾－ＩＯ３＾－及ＡｓＭｏ１２Ｏ＾３４０离子具有电催化活性，文中给出了其催化机理及浓度响应范围。     

二苯基硫脲自组装膜电极的制备及其特性

藉金硫键将二苯基硫脲组装在金电极上,形成二苯基硫脲自组装膜电极.利用循环伏安法(CV)和微分脉冲伏安法(DPV),考察氧化还原指示剂在自组装膜上的电子传递过程,并运用离子通道理论探讨膜电极与醋酸根阴离子的作用机理.实验结果表明,二苯基硫脲自组装膜电极在1.0 mol.L-1,V(氯化钾)∶V(乙氰)为3∶2的混合底液中,随着加入醋酸根阴离子阴离子的增加,指示剂的氧化还原峰峰最流增大,峰形查逆性变好,且DPV峰电流与醋酸根阴离子浓度在0~0.07 mol.L-1范围内呈现线性关系.     

杂多钨酸盐Kn[MW11O39Ni（H2O）].xH2O的氧化还原性…

通过极谱和循环伏安全，结合紫外光谱和Ｘ射线光电子能谱研究了过渡元素Ｋｎ「ＭＷ１１Ｏ３９Ｎｉ（Ｈ２Ｏ）」．ｘＨ２Ｏ（Ｍ＝Ｓｉ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｚｒ）在溶液中的氧化还原性质，提出了它们的还原机理，杂多阴离子的极谱半波电位顺序为Ｚｒ〉Ｔｉ〉Ｇａ〉Ｓｉ，发现杂多阴离子的Ｅ１／２与Ｍ元素的电负性有线性关系。     

在中学化学教材中引入氧化数概念的初探

为了使中学化学教育适应“四个面向”,中学化学教材必须改革。笔者认为,在中学化学教材中,比较元素和化合物的性质,正确书写化合物的化学式(或分子式),配平氧化还原反应方程式等方面,当引入氧化数的概念时便能合理解决。1 引入的必要性1.1 可以给氧化还原反应下一个更全面、更准确的定义关于氧休还原反应的定义,初中教材是这样编写的:“物质跟氧发生的化学反应叫做氧化     

Keggin结构的钨钴杂多酸盐的合成与表征

本文以钨酸钠和硝酸钴为原料合成了钨钴杂多酸盐。利用红外光谱、差热分析、可见紫外分光光度法和循环伏安法研究了其结构类型、分解脱水温度和氧化还原性质以及酸度对氧化还原性质的影响。     

2，7－二甲基喹啉与H3PMo12-nWnO40*mH2O电荷转移盐的合成、表征和非线性光学性质

合成了一系列由钨钼混配杂多酸H3PMo12-nWnO40.mH2O(n=0,1,3,9,11,12)和2,7－二甲基喹啉形成的分子组成为[DMQH]3PMo12-nWnO40的电荷转移盐,并用元素分析,红外光谱,电子光谱进行了表征,结果显示在固体盐中阴离子和有机阳离子之间存在强的相互作用,光照下阴阳离子之间可以发生电荷转移,导致阳离子的氧化和阴离子的还原,非线性光学性质研究表明,随着化合物分子内钨取代数的增多,化合物倍尖效应增强,三阶线性系数增大。     

11—系列杂多钨硅酸盐异构体的氧化还原性质研究

通过极谱和循环伏安法，结合红外光谱、紫外光谱和Ｘ射线光电子能谱，研究了通式为β２—Ｋ６—ｎＨｎ［ＳｉＷ１１Ｍ（Ｈ２Ｏ）Ｏ３９］·ｘＨ２Ｏ（Ｍ＝Ｍｎ２＋．Ｆｅ３＋，Ｃｏ２＋，Ｎｉ２＋Ｃｕ２＋Ｚｎ２＋）杂多钨硅酸盐在溶液中的氧化还原性质，杂多阴离子的极谱半波电位Ｅ１／２。顺序为Ｃｕ２＋＞Ｍｎ２＋＞Ｆｅ２＋＞Ｚｎ２＋＞Ｃｏ２＋＞Ｎｉ２＋．发现杂多阴离子的半波电位Ｅ１／２与其组分中的过渡元素的电负性Ｘ有线性关系，讨论了过渡元素对杂多阴离子氧化还原性的影响。