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相似文献
 共查询到19条相似文献,搜索用时 247 毫秒
1.
用磁控溅射法在加热到400℃的MgO(001)基片上沉积了总厚度为25 nm 的[Fe(0.6 nm)/Fe30.5Pt69.5(1.9nm)]10 多层连续薄膜, 并对其在[500, 900]℃的温度范围进行了3h 的真空热处理. 结果表明, 薄膜在沉积过程中发生了层间扩散, 形成A1 相的FePt 合金, 表现为软磁特性; 热处理温度高于700℃时, 薄膜内形成L10 相的(001)织构, 其单轴磁晶各向异性能高于2.5×107 erg cc-1; 薄膜能在800℃以下保持形貌连续. 借助于半导体载流子扩散和复合模型, 对薄膜在高温下形貌保持连续的机理进行了探讨. 分析认为, 虽然薄膜在沉积过程中发生了层间扩散, 但内部仍然残存微弱的周期性成分起伏, 这可以有效阻碍热处理过程中因相变而引起的Pt 元素析出, 从而抑制了因形成富Pt 晶界而导致的形貌不连续. 这种薄膜可以方便地用于微加工制作磁性阵列和隧道结.  相似文献   

2.
制备了铁酸钴-氧化铝(CoFe2O4-Al2O3)复合材料,并采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、比表面积和孔径分析仪对多孔CoFe2O4-Al2O3复合材料的物相和形貌进行了分析. 利用制备的CoFe2O4-Al2O3复合材料活化过硫酸氢钾(PMS)来降解废水溶液中的日落黄(SY),通过研究CoFe2O4-Al2O3材料制备过程中Co2+,Fe3+和Al3+的物质的量之比、煅烧温度和时长对材料催化性能的影响,发现Co2+,Fe3+和Al3+的最佳物质的量之比为1:2:12,最佳煅烧温度为400 ℃和最佳煅烧时长为3 h. 对采用在最优条件下制得的CoFe2O4-Al2O3复合材料作为催化剂,PMS氧化降解含日落黄废水进行研究,考察了pH值、温度、不同体系、PMS用量、CoFe2O4-Al2O3材料用量和一些阴离子对日落黄降解的影响. 结果表明:在pH=7,温度为55 ℃条件下,用0.1 g催化剂和0.125 g PMS能使100 mL质量浓度为0.6 g·L-1的日落黄溶液在30 min内降解率达到99.5%. 同时,碳酸氢根负离子(HCO3-)和硝酸根负离子(NO3-)的加入抑制了日落黄的降解,而Cl-则能促进日落黄的降解. 此外,在进行4次循环使用后,CoFe2O4-Al2O3仍表现出很好的催化性能,日落黄去除效果仍能达到90%以上.  相似文献   

3.
近年来,锂离子电池被广泛地应用于便携式电子设备和手机,并且对于诸如电动汽车等更高要求的应用而言具有巨大的潜力。作为锂离子电池负极材料,Fe2O3是最有可能替代石墨的过渡金属氧化物之一。因其具有高的理论比容量(1 007 mA·h·g-1)、储量丰富、安全性能好、无毒、环境友好和成本低等一系列优点,被广泛应用于气体传感器、催化和锂离子电池电极材料等领域,是一种具有巨大潜力的电极材料。介绍了锂离子电池的基本结构组成和工作原理,综述了Fe2O3的储锂机制和制备方法,总结了近年来Fe2O3以及它的复合物作为锂离子电池负极材料的研究进展。  相似文献   

4.
研究了合金中Al含量的增加对铸态FeNiMnCr0.75Alxx=0.25,0.5,0.75,原子分数)高熵合金晶体结构及力学性能的影响。采用X射线衍射仪(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对合金的微观结构及形貌进行分析,采用维氏硬度计和MTS万能试验机测试合金的硬度和室温压缩性能。试验结果表明,铸态下,FeNiMnCr0.75Alx高熵合金均由bcc和fcc两种晶体结构的相构成。随着Al含量的增加,合金中bcc结构的相的相对含量逐渐增加,导致硬度和压缩屈服强度也随之升高,应变量降低;且Al含量的增加最终也促使合金中无序bcc结构的相逐渐转变为Ni:(Mn+Al)=1:1(原子分数比)型有序bcc结构的相。  相似文献   

5.
稀土Sm2O3对WCoB-TiC复相陶瓷组织的影响   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
以WC、TiB2、Co粉末为基本原料,添加稀土Sm2O3为抑制剂,采用真空液相反应烧结技术制备WCoB-TiC复相陶瓷材料,利用XRD、SEM和EDS对其微观形貌和相组成进行表征。结果表明,添加一定量稀土Sm2O3后,WCoB-TiC复相陶瓷晶粒细小且分布均匀,晶粒的长大得到抑制;随着稀土Sm2O3的过量加入,复相陶瓷中有棒状晶粒出现,晶粒有粗化的趋势。在1400℃下烧结时,当Sm2O3添加量为0.3%时,制成的WCoB-TiC复相陶瓷材料密度达到10.01g/cm3,硬度HRA达到 91。  相似文献   

6.
利用X 射线近边吸收谱学(X-ray Absorption Near Edge Structure, XANES)方法研究了不同浓度的FeCl3 水溶液中Fe3+离子的电子结构和近邻结构. 在不同浓度的FeCl3 水溶液的XANES 谱中, XANES 谱的形状随着FeCl3 浓度的不同而发生改变. 在XANES 谱的边前结构中观测到边前锋的分裂, 其分裂的能量差约为1.6 eV, 随着浓度的降低约有0.2 eV 的高能方向的位移, 此边前结构由1s-3d 轨道的电子跃迁引起, 双峰分裂来源于配位体配位引起的3d 轨道分裂. 随着FeCl3 浓度的改变, XANES 谱的主峰也发生变化, 此变化来源于溶液中Fe—Cl 配位与Fe—O 配位的比例变化. 另外, 利用量子化学计算的方法对于Fe3+与不同数目的H2O 和Cl?配位体络合时的构型进行了计算, 得到了Fe3+在水溶液中近邻结构的信息, 从另一方面解释了FeCl3 溶液中Fe3+离子3d 轨道分裂能的变化  相似文献   

7.
对Al的质量分数分别为0.20%,0.35%,0.60%的Cu-Al合金粉末进行内氧化,得到Cu-Al2O3粉末。采用化学气相沉积法在Cu-Al2O3粉末表面原位生长碳纳米管(carbon nano tubes, CNTs),采用放电等离子烧结工艺成功制备了CNTs/Cu-Al2O3复合材料。采用扫描电子显微镜和透射电子显微镜观察了CNTs/Cu-Al2O3复合粉末、复合材料断口的形貌。采用显微硬度计、微拉伸试验机、摩擦磨损试验机分别对纯Cu及复合材料的维氏硬度、抗拉强度、摩擦因数进行测试。采用电化学工作站测试复合材料在3.5%NaCl (质量分数)水溶液中的耐腐蚀性能。结果表明,随着Al的质量分数的增加,粉末表面合成的CNTs的数量也增多。Al的质量分数为0.35%时,CNTs/Cu-Al2O3复合材料的综合性能最佳,与纯Cu相比,复合材料的抗拉强度和腐蚀电势分别提高了86.4%和43.2%,分别为315 MPa和-0.268 V,摩擦因数降低了53.3%,仅为0.28。  相似文献   

8.
 采用溶胶-凝胶法制备了N和Fe3+共掺杂的TiO2薄膜,研究了N,Fe3+不同掺杂比例、镀膜层数、热处理温度和光照时间等对TiO2薄膜亲水性能的影响.结果表明当掺杂物N和Fe3+的摩尔比为5.9:1、镀膜层数为3层、热处理温度为550℃时,所制备的薄膜亲水性能最佳(接触角为2°).  相似文献   

9.
应用区分t2和e轨道共价性的差异(包含静电部分和晶场部分)并考虑了低对称场的能量矩阵, 在考虑和忽略静电参量B00的条件下, 分别研究了t2和e轨道共价性的差异对三元半导体ZnGa2Se4:V 3+能级以及低对称分裂的影响; 计算了ZnGa2Se4:V 3+晶体的能级的低对称分裂, 并与实验值进行比较. 计算结果与实验值符合很好. 研究发现: 在对ZnGa2Se4:V 3+晶体的光学性质进行理论研究时, 在能量矩阵的静电和晶场部分同时考虑t2和e轨道共价性的差异是非常有必要的; 晶场参量B00对ZnGa2Se24:V 3+的能级有重要影响, 因此不能忽略.  相似文献   

10.
用TPSSTPSS密度泛函方法, Pu离子和H2O分子分别采用相对论有效原子实势(RECP)和6-31g基组, 研究了Pu(H2O)53+和Pu(H2O)54+ 团簇溶剂化和非溶剂化效应中的几何结构及紫外可见吸收光谱. 计算结果表明: 水溶剂环境对Pu(H2O)53+及Pu(H2O)54+ 团簇的几何结构影响都比较明显. NBO电荷分析表明水分子与钚离子之间没有直接的电荷转移. 所研究团簇的未配对电子都占据5f轨道. 在气相及水溶剂环境下, 所研究团簇的紫外可见吸收光谱存在较大差距. 主要的吸收峰大都源于f电子之间的跃迁.  相似文献   

11.
用振动样品磁强计并结合X射线衍射准确判定了Nd2.4Er0.6Fe27.31Ti1.69化合物的磁晶各向异性方式, 研究结果发现, Nd2.4Er0.6Fe27.31Ti1.69化合物的磁晶各向异性从室温时的易面转变到低温时的易锥.  相似文献   

12.
钕铁硼强磁性材料的冲击加载实验和数值模拟研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
为了研究钕铁硼(Nd2Fe14B)强磁体在冲击加载作用下的动态力学性能,建立了炸药爆炸平面波冲击加载实验装置,进行了冲击加载实验.采用锰铜压阻测压技术测量了磁体中冲击波压力,获得了不同强度冲击波加载作用下磁体中冲击波压力.建立了Nd2Fe14B磁体冲击加载实验的计算模型,对炸药爆炸冲击加载磁体过程进行了数值模拟计算,计算结果与实验结果相吻合.分析了Nd2Fe14B磁体中冲击波传播规律,给出了Nd2Fe14B磁体中冲击波压力按指数规律衰减的计算公式.  相似文献   

13.
TiO-2 thin films have bee deposited on p-Si(111) substrates by pulsed-laser ablation of metallic Ti target in the O-3 ambient. The current-voltage and capacitance-voltage of the Al/TiO-2/Si capacitors are measured. The results show that the dielectric constant of thin film after being annealed at 700℃ is found to be 46, and the border trap density and the interface state density at the TiO-2/p-Si interface are 1.8×10 12 cm -2 and 2×10 12 eV -1·cm -2, respectively. The conduction mechanisms of as-deposited films are also discussed.  相似文献   

14.
Ta/NiO x /Ni81Fe19/Ta and Co/AlO x /Co multilayers were prepared by rf reactive and dc magnetron sputtering. The exchange coupling field (H ex) and the coercivity (H c) of NiO x /Ni81Fe19 as a function of the ratio of Ar to O2 during the deposition process were studied. The composition and chemical states at the interface region of NiO x /NiFe were also investigated using the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and peak decomposition technique. The results show that when the ratio of Ar to O2 is equal to 7 and the argon sputtering pressure is 0.57 Pa, the x value is approximately 1 and the valence of nickel is +2. At this point, NiO x is antiferromagnetic NiO and the corresponding Hex is the largest. As the ratio of Ar/O2 deviates from 7, the H ex will decrease due to the presence of magnetic impurities such as Ni+3 or metallic Ni at the interface region of NiO x /NiFe, while the H c will increase due to the metallic Ni. Al layers in Co/AlO x /Co multilayers were also studied by angle-resolved XPS. Our finding is that the bottom Co could be completely covered by depositing an Al layer about 1.8 nm. The thickness of AlO x was 1.2 nm.  相似文献   

15.
为揭示纳米材料原位覆盖对表层沉积物重金属的影响规律,开展室内培养原位沉积物柱试验,利用微界面分析技术、高分辨率平衡式间隙水采集技术(HR-Peeper)和薄膜扩散梯度技术(DGT),探究纳米Fe3O4原位覆盖对表层沉积物中Co、Ni释放的影响机制。试验结果表明:在纳米Fe3O4覆盖下沉积物pH值较对照组逐渐增大,Eh值先减小后增大;纳米Fe3O4覆盖可有效吸附间隙水中的溶解态Co和Ni,间隙水中的溶解态Co和Ni最大有效吸附率分别为27.07%及26.42%,有效影响深度分别为30 mm和10 mm;纳米Fe3O4覆盖有效抑制了沉积物中有效态Co和Ni向间隙水和上覆水扩散,沉积物中有效态Co和Ni含量分别降低了50.26%和15.31%。  相似文献   

16.
A simple process for the deposition of CulnSe2 thin films was described. The CulnSe2 compound was prepared by selenization of Cu-In alloy precursors, which were electrodeposited at a constant current. The selenized precursors were compacted and then annealed. The films were characterized by X-ray diffractometry (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and energy dispersive spectroscopy (EDS). The results indicate that single-phase CulnSe2 is formed at 250℃ and its crystallinity of this phase is improved as the annealing temperature rises. The losses of In occur in selenization process. The dense CulnSe2 film with comparatively smooth surface can be obtained by compaction under the pressure of 200 MPa.  相似文献   

17.
采用化学溶液沉积法在ITO基片上制备不同退火温度的掺镧钛酸铋Bi1.6La0.4Ti2O7(BLT)薄膜。研究了其结构、介电性能、漏电流密度与外加电压I-V关系曲线和光学带隙。XRD射线衍射测试结果表明,经500、550、600℃1 h退火后的薄膜的主晶相为烧绿石结构,无杂相生成,600℃时BLT薄膜衍射峰比其他两种温度的强。在1 kHz频率下测得的介电常数、损耗因子分别为114,3%;129,3%;194,6%。BLT薄膜的漏电流密度与外加电压关系曲线表明,BLT薄膜600℃的漏电流比550和500℃稍微减小。通过透射谱分析得到BLT薄膜的光学带隙几乎不受温度影响,均为3.7 eV。这些结果表明制备BLT固溶体薄膜较佳为退火温度600℃,具有较好的性能,在光电器件有良好的应用前景。  相似文献   

18.
采用溶胶-凝胶法,在Si(100)衬底上制备了3%Co掺杂CeO2薄膜,研究了不同热处理温度对Ce0.97Co0.03O2薄膜结构和光学性质的影响。X射线衍射(XRD)表明,3%Co掺杂CeO2薄膜为多晶薄膜,且未破坏CeO2原有的结构,随着退火温度的升高,晶粒尺寸逐渐增大。椭偏光谱法研究表明,Ce0.97Co0.03O2薄膜的光学常数(折射率n、消光系数k)随着退火温度增加而增大,光学带隙Eg随退火温度增加而减小,这是薄膜结构随退火温度增加发生变化所致。  相似文献   

19.
采用放电等离子烧结(SPS)方法和粉末烧结法制备BaAl2S4:Eu溅射靶材,分析了靶材成分和结构特性以及利用靶材制备薄膜的发光特性.实验结果表明,SPS烧结的BaAl2S4:Eu溅射靶材的纯度高,无其它硫化物形成,被氧化的可能性小,靶材致密,气孔少;形成薄膜的PL谱主要是470nm处的蓝光发射.粉末烧结法制备的Ba-Al2S4:Eu溅射靶材的纯度低,靶材被氧化的几率大,气孔多,不致密,呈三维网状结构;在470nm处的蓝光发射峰值相对较弱.放电等离子烧结方法更适合制备BaAl2S4:Eu溅射靶材.  相似文献   

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