零温极性－极性晶体中界面磁极化子的性质

计入电子与纵光学（ＬＯ）声子和界面光学（ＩＯ）声子的互作用，进一步研究了界面磁极化子的性质，并给出了磁极化子的能级，重整化回旋质量和自陷能的表达式．结果表明，重整化回旋质量也依赖于纵向量子态和磁场强度；而自陷能也与横向量子态和磁场强度有关．     

零温极性—极性晶体中界面磁极化子的性质

计入电子与纵光学（ＬＯ）声子和界面光学（ＩＯ）声子的互作用，进一步研究了界面磁极化子的性质，并给出了磁极化子的能级，重整化回旋质量和自陷能的表达式。结果表明，重整化回旋质量也依赖于纵向量子态和磁场强度，而自陷能也与横向量子态和磁场强度有关。     

半导体量子点中磁极化子基态能修正的温度效应

采用Larsen方法研究了半导体量子点中磁极化子基态能量的温度效应．在有限温度下导出了磁场内半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互作用系统的基态能量及二级微扰能量修正．讨论了磁场、量子点尺寸以及温度对半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量影响．为了更清楚、直观地说明半导体量子点中磁极化子的性质，以GaAs半导体为例进行了数值计算，得到在强磁场的作用下半导体量子点中电子—体纵光学(LO)声子耦合系统的基态能量修正与磁场强度、量子点厚度及温度的关系曲线．结果表明：强磁场中电子—体纵光学(LO)声子相互耦合磁极化子的基态能量修正随磁场强度的增加而增大，随量子点厚度的增加而减少，随温度的升高而增大。     

声子之间相互作用对磁场中晶体性质影响的研究进展

综述了近年来对电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用对磁场中晶体性质的影响方面的部分工作,在第一节中从磁场中电子一表面光学声子和电子一体纵光学声子系的哈密顿量出发,用线性组合算符和微扰法研究声子之间相互作用对弱耦合磁极化子的基态能量、自陷能和有效质量的影响,在第二节中研究了声子之间相互作用对与表面光学声子和体纵光学声子弱耦合的表面磁极化子的诱生势和有效质量的影响在第三节中研究了相应的声子之间相互作用对与表面光学声子耦合强,与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子的振动频率、诱生势和有效质量的影响,在第四节中研究了声子之间相互作用对与表面光学声子耦合强,与表面声学声子耦合弱的极性半导体中通过形变势的表面磁极化子的诱生势和有效质量的影响.     

纤锌矿GaN/AlN量子阱中磁极化子能量

采用改进的Lee-Low-Pins变分方法研究纤锌矿GaN/AlN量子阱材料中磁极化子能级.给出纤锌矿GaN/AlN量子阱中磁极化子基态能量随阱宽L和外磁场强度B的变化关系.计算中考虑了纤锌矿GaN/AlN量子阱中长波光学声子模的各向异性和电子与长波光学声子之间的相互作用.为了定量分析和对比,计算了闪锌矿GaN/AlN量子阱中磁极化子基态能量.     

声子之间相互作用对慢速运动的二维磁极化子性质的影响

研究了极性晶体中电子与表面光学声子耦合弱的二维磁极化子的性质。采用改进的线性组合算符法及微扰法导出了极性晶体中慢速运动磁极化子的有效哈密顿量。当计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论对二维磁极化子的自陷能和有效质量的影响。     

三元混晶中的弱耦合磁极化子

本文研究了三元混晶中弱耦合磁极化子的性质,导出了磁场中三元混晶光学声子与电子的互作用哈密顿量,计算了磁极化子回旋频率、回旋质量和自陷能与混晶组份及磁场的关系,在零磁场(B=0T)下,其结果与裸极化子的情况相同;在组分X=0和X=1时,结果与相应的二元晶体中磁极化子的情形相同.     

声子之间相互作用对与形变势相互作用的表面磁极化子性质的影响

本文采用线性组合算符方法,研究与表面光学声子耦合强、与表面声学声子耦合弱的表面磁极化子的性质。导出了与形变势相互作用的表面磁极化子的振动频率和有效哈密顿量,讨论了电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用对表面磁极化子性质的影响。     

极性半导体中表面磁极化子有效质量的性质

本文研究极性半导体中电子与表面光学声子和表面声学声子均为弱耦合时表面磁极化子的性质 ,讨论反冲效应中不同波矢声子之间相互作用对表面磁极化子有效质量的影响。     

极性晶体中表面磁极化子研究进展(Ⅰ)

本文综述了我们近年来在极性晶体表面磁极化子性质方面的部分工作。第二节中从磁场中表面极化子一声子系的哈密顿出发，用线性组合算符方法研究强耦合表面磁极化子的振动频率，基态能量和有效质量与磁场的关系。第三节中用线性组合算符法讨论了与表面光学声子耦合强，与体纵光学声子耦合弱的表面磁极化子的有效哈密顿量、振动频率和有效相互作用势的磁场依赖性。第四节中用线性组合算符和微扰法研究电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用对表面磁极化子性质的影响。     

Atom-by-atom substitution of Mn in GaAs and visualization of their hole-mediated interactions

The discovery of ferromagnetism in Mn-doped GaAs has ignited interest in the development of semiconductor technologies based on electron spin and has led to several proof-of-concept spintronic devices. A major hurdle for realistic applications of Ga(1-x)Mn(x)As, or other dilute magnetic semiconductors, remains that their ferromagnetic transition temperature is below room temperature. Enhancing ferromagnetism in semiconductors requires us to understand the mechanisms for interaction between magnetic dopants, such as Mn, and identify the circumstances in which ferromagnetic interactions are maximized. Here we describe an atom-by-atom substitution technique using a scanning tunnelling microscope (STM) and apply it to perform a controlled study at the atomic scale of the interactions between isolated Mn acceptors, which are mediated by holes in GaAs. High-resolution STM measurements are used to visualize the GaAs electronic states that participate in the Mn-Mn interaction and to quantify the interaction strengths as a function of relative position and orientation. Our experimental findings, which can be explained using tight-binding model calculations, reveal a strong dependence of ferromagnetic interaction on crystallographic orientation. This anisotropic interaction can potentially be exploited by growing oriented Ga(1-x)Mn(x)As structures to enhance the ferromagnetic transition temperature beyond that achieved in randomly doped samples.     

La_(5/8)Ca_(3/8)Mn_(1-x)Co_xO_3(x≤0.1)体系电阻率低温最小值现象的散射机制

主要研究了La5/8Ca3/8Mn1-xCoxO3(x≤0.1)体系的低温电输运特性.在全温区,电阻率随温度变化曲线出现双绝缘—金属转变峰现象;各样品均在25 K附近存在一个有趣的低温电阻最小值现象,外加磁场可使其向低温区移动并产生抑制作用.通过对La5/8Ca3/8Mn1-xCoxO3(x≤0.1)样品在25 K附近的电输运特性进行的拟合分析,表明存在着弹性和非弹性散射过程的竞争,可用库仑相互作用和非弹性电子散射解释.拟合参数值的变化表明来自电子—电子、电子—声子及电子—磁子散射的共同作用,且电子—电子相互作用随着Co掺杂量的增加而增强,这与样品在低温下存在的铁磁—反铁磁相互竞争产生的团簇玻璃态有关.随着Co掺杂量增大,FM团簇减少且自旋冻结,使载流子局域化增强而导致电阻率增大.证明了与磁场和温度有关的电子散射进程引起电子的局域化效应乃是导致体系输运行为发生变化的主要原因.     

在外磁场中两链自旋梯子模型的自旋波与比热

应用Jordan-Wigner变换和格林函数方法讨论了在外磁场中带有阻挫的两链自旋梯子模型的自旋波、子晶格磁矩、内能及比热,获得了比热与温度、外磁场的关系。结果显示：自旋波与波矢七成余弦关系,与外磁场成线性关系;当温度,趋近于0．5K和0．42K时,比热有明显的跃变。     

层状Heisenberg亚铁磁系统的温度补偿行为

采用双时温度格林函数方法讨论了具有层间耦合的蜂窝状晶格3/2和5/2混自旋亚铁磁Heisenberg系统全温区的磁性行为·讨论了晶体场单离子各向异性和层间耦合效应对系统磁矩、转变温度和补偿温度的影响·给出了子晶格磁矩和总磁矩在不同的晶体场单离子各向异性和层间耦合效应随温度变化曲线,系统的转变温度和补偿温度随晶体场单离子各向异性和层间耦合效应变化的相图·分析表明:系统存在多种磁矩曲线,当晶体场单离子各向异性和层间耦合超过最小值(D1min/J和J1min/J)后才会出现补偿现象,补偿温度随D1/J和J1/J的增大而减小,最后趋于不变·     

中子物质的一种可能相变

建议高密物质中子化后出现夸克集团相，这是一种带色的中子．分析了相应温度和密度．讨论了新相的自族长程序和类铁磁的畴状结构．     

庞磁电阻效应材料中的低温电阻率反常现象

发现在La1/3Nd1/3Ba1/3MnO3和La1/3Nd1/3Sr1/3MnO3材料中存在低温电阻率极小值现象·经曲线拟合分析后,认为其机理在于材料中存在类似于磁性杂质对传导电子自旋散射造成的近藤效应(KondoEffect),是出现局域磁有序的结果     

非晶FeSiBCu合金系的磁后效

研究了非晶ＦｅＳｉＢＣｕ合金系的磁后效，结果表明淬态Ｆｅ基非晶合金的磁后效主要来自磁致伸缩相互作用，然而还发现磁后效和感生磁各向异性对Ｃｕ含量有类似的依赖关系，这显示还应考虑感生磁各向异性磁后效的影响。     

ScnN(n=2～12)团簇的磁性和热容量研究

基于第一性原理,在密度泛函理论框架下,用广义梯度近似方法计算了团簇ScnN(n=2～12)的总磁矩Mt、与N原子最近邻的Sc原子的局域磁矩MSc、掺杂原子N的局域磁矩MN.从原子相互作用角度出发,应用统计物理理论,计算了团簇ScnN的磁矩和热容量,研究了它们随温度的变化规律.结果表明:ScnN团簇的磁性与团簇的构型、原子相互作用、磁性粒子间的磁相互作用、团簇中的Sc原子数n有关.总磁矩随Sc原子数n呈波动性变化,当n=3,8,9,11,12时,总磁矩为零,团簇的磁性消失;当n=2,4,5,6,7,10时,团簇表现为铁磁性,其中当n=6时,团簇的磁性最强.ScnN团簇的磁矩随温度升高而减小,其变化趋势与块状磁体类似.温度较低时,磁相互作用产生的热容量CM随温度升高而增大,在某温度附近取极大值;原子相互作用产生的热容量CV在温度较低时与温度成正比,和块状磁体的CV与温度的三次方成正比不同;在对团簇的热容量的贡献中,原子相互作用占主要.     

高温磁致冷冻工作介质及其选择

本文根据高温磁致冷冻工作介质的特点,用铁磁性分子场理论定量地考察了工作介质的磁熵随外加磁场和温度的变化规律,给出了选择适宜工作介质的方法。