高离子比强流Freeman离子源

离子源是离子注入机的核心部件之一,注入机的水平主要取决于离子源的性能,且通常以″B~+束流的大小来标志。目前国际先进的强流离子注入机″B~+的束流已达5mA,国内仅达到1.2mA。为适应国内半导体工业的需要。提高我国强流离子注入机的水平,我们研制了这台强流Freeman离子源。     

两步氧离子注入工艺制备SOI材料研究

研究了200 keV注入能量下, 单步氧离子注入工艺制备SIMOX材料的剂量窗口. 在此基础上, 提出了一种第一步注入剂量为3.6×1017 cm⁻²、第二步注入剂量为3×1015 cm⁻²的改进型两步氧离子注入工艺, 用于制备高质量的SIMOX材料. 与单步氧离子注入工艺的剂量窗口相比, 注入剂量减少了18.2%. 采用椭圆偏振测试仪测量了所制备样品的埋氧层厚度及均匀性. 通过透射电子显微镜观察到无缺陷的顶层硅以及原子级陡峭的顶层硅/埋氧层界面, 表明两步氧离子注入工艺制备的SIMOX材料具有高的顶层硅晶体质量和剖面结构. 采用原子力显微镜对比研究了单步和两步氧离子注入工艺制备的SIMOX材料顶层硅/埋氧层界面形貌.     

硼同位素质谱分析中三氟化硼气样记忆效应的消除

用于硼同位素质谱分析的工作物质主要有BF_2和Na_2B_4O_7,其他是次要的。 为了配合富集~(10)BF_3的中试生产,我们认为就用质谱法直接分析BF_3是合适的。Bentley曾研究了BF_3法的记忆效应,认为主要由于气体进样系统的沾污。因此我们作了以下的改进:用纯的CaF_2微晶粉末(粒度为1—2μ)在150—160℃吸附BF_3,从而形成BF_3-CaF_2络合物(大约1:3)。取少量这种络合物(约10mg)装入钽或镍的小坩埚,再将坩埚插入苏制ми-1305型质谱计的离子源中,加热坩埚以释出BF_3气体。BF_3在电子的轰击下主要产生~(10)BF_2~ 和~(11)BF_2~ 离子。此外,还有较弱的BF_3~ 和BF~ 离子。为了拟定一个合适的分析步骤,我们作了以下各项实验。     

关于H~P(R_+~2×R_+~2)空间中的一个问题

一、引言 在文献[1]中Chang和Fefferman利用P原子得到了H~P(R_+~2×R_+~2)空间的原子分解。在他们的P原子概念中,其“初等粒子”应该满足K(p)=[2/P-3/2]阶消失矩条件,为此他们提问:是否K(p)=[2/P-3/2]对于H~P(R_+~2×R_+~2的原子分解是最好的选择?本文利用Fefferman最近给出的另一种P原子形式,证明了对于H~P(R_+~2×R_+~2)的原子分解最好的选     

离子注入甜菜种子生物效应

N+离子注入甜菜种子后 ,在对叶片过氧化物酶同工酶的分析中 ,发现酶的活性与离子注入的剂量有关 ,低剂量的离子注入有利于酶的活化 ,同时产生新的酶带 ,其生长量和生长势也有明显增加 ,尤其以注入剂量 4× 1 0 16/cm2 和 6 0次脉冲处理为佳 .     

重离子导致的空洞研究

Chang等在用高剂量(10~(18)cm~(-2))离子辐射材料时观察到空洞。Grant认为空洞形成的温度范围在0.25T_M至0.5T_M之间(T_M是材料的熔化温度)。在温度低于0.25T_M、剂量低于10~(18)cm~(-2)的条件下,至今尚未观察到离子注入导致的空洞。我们采用强束流钨离子注入H13钢(0.35C 6 Cr 1.5MoV),发现当注入束流达到30μA·cm~(-2)时,离子注入能在H13钢表面形成一定尺寸的空洞。实验中所用的H13钢样品在离子注入     

离子簇合物(N_2Ar)~+的势能面研究

近年来,由于对大气化学、反应动力学的机理探索,使对含惰性原子的离子簇合物的研究受到重视.对离子簇合物N_2~+He和N_2~+Ne等进行了电子光谱、红外光谱以及理论方面的研究.在这两个离子簇合物中,N_2~+与HeNe的作用很弱,其中的N_2~+基本保持孤立N_2~+离子的特性.Ar原子比He和Ne原子的极化率大,可变性大.可以想见,在(N_2Ar)~+中N_2~+与Ar作用更强,实际上已具有化学键的性质.本文的研究着重于体系(N_2Ar)~+的势能面,有关(N_2Ar)~+的实验研究亦在开展中.     

二次离子质谱中二原子离子的强度特征

近年来,离子探针二次离子质谱分析已经成为一种广泛应用的微分析技术。然而,同位素及其分子离子的质量干扰给二次离子质谱的定性定量解释造成困难。因此,认识分子离子的强度特征是十分重要的。同一元素各个同位素的单原子离子强度比是与其自然同位素丰度比一致的。但对于二原子以及多原子分子离子强度特征,则必须从这些分子离子形成的模式     

金属非晶化的新方法——高功率毫微秒脉冲离子束注入

一、引言 离子注入所产生的离子混和过程是得到多种非晶合金的一种重要手段,而用强流脉冲离子束注入可以产生一般弱流注入不能达到的骤热急冷过程,而且,原子混合的深度可以超过入射离子能量所对应的射程,因此,采用这一注入方式将扩大金属非晶化的研究范围。     

用离子注入方法在SiO_2中制备纳米α-Fe微晶及其性能研究

纳米微晶材料的制备和它的性能研究,是近几年来迅速发展起来的一门新学科。现有气凝、光化学和非晶晶化等多种制备纳米微晶方法.文献[1]首次报道了用~(57)Fe离子注入Cu中获得了纳米α-Fe微晶。该方法的原理是用强制的方法(离子注入),使两种不固溶的元素镶嵌在一起,然后经高温退火,使其中的注入元素偏析出来.由于注入离子的深度只有几十纳米,所以偏析的微晶颗粒大小也只能在此范围之内.本文报道了Fe离子注入SiO_2,的结果,     

氧对Er离子注入Si发光的影响

硅中掺杂三价稀土离子Er给出1.54μm波段的近红外发光的研究受到人们的重视.这一方面由于这一发射波段恰好落在石英光纤的最低损耗波段;另一方面由于硅器件集成工艺的成熟与完善为光电集成提供了坚实的技术基础.近来人们研究发现,Si中的氧杂质对增强离子注入Er~(3+)的发光有利,同时发现其它一些电负性较大,质量较轻的负离子也会增强Er~(3+)的发光.本文研究了Si中离子注入Er和氧的发光特性,首次报道了氧离子单一注入Si在1.60μm附近存在一宽带发射,并且讨论了Er、氧共注入Si中氧对Er~(3+)发光的影响.     

在快原子轰击源下,小肽的(2M+H)~+现象

我们在研究肽的快原子轰击质谱时,发现许多小肽除了准分子离子峰(M+H)~+外,还可观察到(2 M+H)~+峰。本文研究了二十二种不同类型的小肽,包括二肽、三肽、四肽、五肽及一个成环的五肽;有的肽氨端或羧端是游离的,但大多数是分别被不同保护基保护的;有的仅含中性氨基酸,也有含酸性或碱性氨基酸。在它们的快原子轰击质谱图上,均可观察到(2 M+H)~+峰(表1)。     

C离子注入Si中Si1-xCx合金的形成及其稳定性

利用离子注入和高温退火的方法在Ｓｉ中生长了Ｃ含量为０．６％～１．０％的Ｓｉ１－ｘＣｘ合金,研究了不同注入剂量下Ｓｉ１－ｘＣｘ合金的形成及其在退火过程中的稳定性。如果注入剂量小于引起Ｓｉ非晶化的剂量,８５０℃退火后,注入产生的损伤缺陷容易与Ｃ原子结合形成缺陷团簇,难于形成Ｓｉ１－ｘＣｘ合金,随着注入Ｃ离子剂量的增大,注入产生的损伤增强,容易形成Ｓｉ１－ｘＣｘ合金,但注入的剂量增大到一定程度,Ｓｉ１－     

H2+OD→H+HOD反应的量子动力学研究

含时量子波包理论因其计算量小而在原子分子反应散射的动力学计算中得到了广泛的应用,对于由4个或更多原子组成的道数较多的体系,更能显示出含时方法计算小的巨大优越性,本文就利用这一理论对H_2+OD→H+HOD反应进行计算,此反应体系共有6个自由度,但因存在一个非反应的观察者OD键,在动力学计算中没有必要精确处理该键的键长坐标,而是采用势平均五维(PA5D)模型.通过Fourier变换将含时波函数变为不含时波函数,进而可从单一波包传播中抽出许多能量确定的反应几率.文中最后给出了H_2+OD→H+HOD反应初态确定的反应几率、反应截面及速率常数.1 计算方法对双原子-双原子反应AB+CD→A+BCD,其中CD是一观察者键,将其振动作绝热处理,则给定总角动量J的PA5D Hamilton在Jacobi坐标系(图1)中山表示为H=H_0+V_(rot)+V(R,r_1,θ_1,θ_2,(?)),(1)其中H_0=-((?)~2/2μ(?)~2/(?)R~2)-((?)~2/2μ_1(?)~2/(?)r_1~2)+V_1(r_1)+B_v_(20)j_2~2(2a)Jacobi坐标系     

Banach空间中的重对数律

以下设B为可分Banach空间,B~*是B的共轭空间,B_1~*是B~*的单位闭球,{X_n}是取值B中的独立随机元序列,满足     

离子注入技术在光解水电极材料改性中的应用

半导体光催化分解水制氢是一种装置简单,相对廉价可靠的能源利用方式.开发具有高光制氢效率的光电极材料一直是材料科学研究领域的热点.目前的半导体光催化材料普遍面临缺乏可见光吸收和载流子分离效率低的问题.这些问题导致目前光解水制氢电极材料的效率较低,达不到商业应用的要求.因此,发展改性的光电极材料尤为重要.离子注入技术作为一种重要的半导体改性技术,相对于传统的化学掺杂方法具有诸多优点.离子注入方法能够保证注入离子的纯度,能够通过控制注入离子的能量和剂量从而控制注入杂质的浓度和深度分布.离子注入技术可以使掺杂不受扩散系数和化学结合力等因素的限制,各种元素均可掺杂.因此,离子注入技术在光电极材料改性方面具有很大的应用前景.本文首先介绍了光解水制氢及离子注入技术的基本原理,然后结合本课题组及其他学者的工作,综述了目前离子注入技术改性光电极材料的特点和研究进展,最后展望了离子注入技术在光解水电极改性应用的未来发展方向.     

硅烯表面的氢吸附

硅烯是类似于石墨烯的单原子层硅薄膜.作为硅的一种新型同素异形体,其拥有奇特的狄拉克电子态,可带来新奇的物理性质,近年来引起人们的广泛关注.由于硅烯中硅原子的化学键未饱和,可以用来吸附外来原子,从而实现对硅烯的化学修饰以及电子态的调控.本文主要介绍了不同原子在硅烯上吸附的一些理论进展,以及最近在实验上对Ag(111)上的单层硅烯进行氢化的重要研究结果.     

SiO2薄膜注Si^＋后的蓝光发射

由于成熟的硅平面工艺已使硅成为目前不可取代的最重要的半导体材料,因此为了实现未来的硅基光电子集成,硅基发光材料正成为研究热点.广泛应用于硅集成电路中的SiO_2.薄膜有可能成为一种硅基发光材料.最近有人采用高注入能量在硅基SiO_2.薄膜中注入高剂量Si~+,获得了约为2.0eV的光致发光.假如SiO_2薄膜还可以发射绿光和蓝光,则为全色显示提供了必要条件.虽然某些SiO_2块体材料在低温下存在～2.7eV的光致蓝光峰,但有人报道SiO_2薄膜中不存在～2.7eV的蓝光发射.我们采用离子注     

高剂量强流Ti注入不锈钢的Mssbauer效应研究

金属Ti离子注入,可以改善钢材表面的耐摩擦、耐磨损性能。研究结果表明大注剂量(>1×10~(17)cm~(-2))将会产生明显的效果,而近来研制成功的金属蒸汽真空弧离子源(MEVVA源)恰好能满足这一要求。该源以脉冲方式工作,发出的离子束脉冲电流可高达1A,平均束流密度可高达mA/cm~2量级;如此强的束流注入,既可产生足够厚的处理深度,又可使衬     

低能铁离子注入氨基酸分子改性和质量沉积

用110keV Fe+注入L（+）-半胱氨酸薄膜样品,经盐酸溶解后通过缓慢蒸发育成纯物质单晶,并对其中一粒单晶用四圆衍射仪进行了X射线衍射分析.晶体属单斜晶系,空间群为C2,晶体学参数a=1.8534（4）nm,b=0.5234（1）nm,c=0.7212（1）nM,β=103.72（3）°,V=0.67965（3）nm3,Z=4,F（000）=144.0,Dclac=1.763 g·cm-3,μ（MoKα）=1.06mm-1,T=293（2）K.最终一致性因子R=0.0379,wR=0.0835.晶体化合物的化学式为[CH2CH（NH2）NO2]ClFe（Mr=180.38）.提纯了重离子束改性分子并直接证实注入铁离子在新分子中的质量沉积.相同注量的110 keV Fe+离子注入L（+）-半胱氨酸盐酸盐单晶水合物薄膜样品后的Fourier变换红外光谱分析表明,样品分子受到严重损伤,产生了很大变化.