首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 203 毫秒
1.
考虑了二价硅离子双激发干扰态3p4s^1P1和3p3d^1P1对3snp^1P1Rydberg序列能级的强组态相互作用,用多组态HRF自洽场方法计算了SiⅢ离子3snp^1P1序列能级的辐射寿命。计算结果表明该序列能级寿命随主量数n呈现非规则变化。  相似文献   

2.
采用完全对角化方法,研究了3d^3态离子^2E态能级分裂;在此基础上;用我们建立的中间场能量矩阵,对^2E态分裂的三阶微扰解析式D(^2E)进行了验证,结果表明,微扰解析式的结果远偏离对角化全组态的计算结果。  相似文献   

3.
在MRSDCI/DZ+P水平上,计算了SiC2分子7个电子态X^1A1,^3B2,^1B2,^3B1,^1B1,^3A2和1^A2的平衡构型和激发能。所得X^1A2和^1B2态的平衡构型以及X^1A2→^1B2的激发能和实验值符合很好。  相似文献   

4.
本文研究了NO分子的B^2∏(v=24)~L^2∏(V=5)C^2∏(v=6)~D^1∑^+(v=6)四态转动和自旋-轨道相互作用,对相互作用转动能级结构以及转动态的组合系数进行了具体计算,计算结果与实验结果很相符。  相似文献   

5.
实验测定了室温下NO2分子505~520nm区域高分辨激光诱导荧光激发谱,在505~520nm范围内标识了10个振动带,并作了转动分析,得到了相应的带头位置、转动常数和旋-转耦合常数等,发现了4个新的振动带,对振动带的转动分析结果表明,所有得到分析的谱线均属于平行跃迁X^1A1-A^2B2电子激发态A^2B2与基态X^2A高振动能级之间存在强烈的相互作用。  相似文献   

6.
按照离子型分子的空间对称性和自旋对称性以及离解度的大小,选择适当的组态函数,用投影算符消除其他多重态的污染,采用组态互作用法计算了N^+2的X^2Σ^+g态、B^2Σ^+u态和C^2Σ^+u的能量及第一,第二负带系的振子强度,计算值与实验值吻合。  相似文献   

7.
本文用DFT方法对Ni2B分子双重态和四重态两种多重度进行高水平的abinitio计算,结果发现B以sp,sp^2两种杂化方式同Ni成键,并且B带有相反的电荷;体系存在多个区域极小点。  相似文献   

8.
对BSF硅太阳电池受碳,氧离子辐照前后的深能级瞬态谱进行了研究,结果表明碳,氧离子在硅太阳电池中引入的缺限能级非常相似,都观察到了E1,E2,E3,H1,H25个峰,其中氧离子注量超过4×10^12cm^-2时,E2能级消失,根据能级的性质初步推断了这些能级所对应的缺陷类型。  相似文献   

9.
在已有研究成果的基础上,进一步研究了双对称密码BSC(2^m,2^n)算法设计,给出了BSC(2^m,2^n)算法的递归表示,并严格证明了BSC(2^m,2^n)密码是双对称的。  相似文献   

10.
王伟周  张愚 《贵州科学》2000,18(1):21-25
在B3LYP,MP2,QCISD,QCISD(T),CCSD(T),CBS-Q,G2(MP2)和G2的理论水平下,对(Cl2F)^+的单重态和三重态进行了计算。结果表明,(Cl2F)^+的两种构型(ClFCl)^+(C2V构型)和(ClClF)^+(Cs构型)都有可能存在,且(ClClF)^+比(ClFCl)^+更为稳定。  相似文献   

11.
利用量子化学理论方法。研究了与大气臭氧层损耗密切相关的自由基反应NH2+ClO的微观机理。在密度泛函B3LYP/6-311+G(d,p)水平上优化得到反应路径上的反应物,过渡态,中间体和产物的几何构型,并通过振动频率分析对过渡态和中间体进行了确认。在高级电子相关组态相互作用QCISD(T)/6-311+G(d,p)水平上进行了单点能计算,得到了反应体系的势能面信息,结果表明,该反应经过缔合、H-转移和离解等过程,最终可以得到五种产物,分别为H2NO+Cl,H2NClO,HCl+HNO,H2+NO+Cl和NH+HClO,由于形成产物H2NO+Cl的活化势垒较低,因而是主要反应通道,而形成产物NH+HClO的通道从动力学上看是最不利的。  相似文献   

12.
对亚硝酸钠态密度,能带结构,电子密度进行了第一性原理计算.通过对态密度的分析,发现在铁电相氮原子的2p电子和氧原子的2p电子之间存在强烈的轨道杂化.对电子密度和能带的分析也得出同样的结论.氮原子和氧原子之间存在强烈的共价互作用,而钠和二氧化氮基团之间为离子互作用.  相似文献   

13.
用密度泛函DFT(B3LYP)方法和MP2从头算方法,在6-311G(d,p),6-311++G(d,p)基组水平上研究了CO+HO2-C02+OH,CO+NO2-CO2+NO2个反应的过渡态结构和反应机理,沿IRC分析指出反应均为协同完成的一步反应.同时计算了2个反应的活化位垒和反应焓变,并与实验估计值进行了比较.对CO与H02的反应采用MP2/6—311++G(d,p)方法,计算所得反应位垒为100.98kJ/mol,与实验估计值93.60kJ/mol基本接近,对CO与N02的反应采用B3LYP/6—311++G(d,p)方法,计算所得反应位垒为115.99kJ/mol,比实验估计值141.51kJ/mol低25.52kJ/mol.计算同时表明2个反应均为放热反应.  相似文献   

14.
利用密度泛函理论(DFT)方法,在B3LYP/Lan12dz水平下,对原子簇CoMn2B2的14种可能构型分别在二、四重态下进行全参数优化计算和频率验证,获得了6种二重态稳定构型,6种四重态稳定构型;分别对这些稳定构型的能量、电荷分布、不同构型磁矩的情况进行研究分析。结果表明:原子簇CoMn2B2所有构型中1(4)最稳定。原子簇CoMn2B2中各原子所带电荷受多重态的影响较小,Mn原子带负电,Co原子和B原子带正电。Mn原子的外层轨道布居数变化较大。Mn原子和Co原子的磁矩主要受原子簇的多重度的影响较大。  相似文献   

15.
合成了基于二氟荧光素内酰胺开环反应的一氧化氮分子荧光探针并对其结构进行了表征。二氟荧光素内酰胺本身无荧光,当与NO反应后开环水解生成二氟荧光素,在λex=484nm光激发下产生荧光且最大发射波长λem=514nm。在PH〉4.8的体系中二氟荧光素内酰胺与NO反应后荧光强度达最大且稳定。在H2O2、·OH、O2-、NO2-、ONOO-存在下,荧光探针对NO表现出很高的选择性。以NOC13为NO释放剂,荧光强度随NOC13浓度的增加而增大,可实现对NO的直接检测。  相似文献   

16.
用循环伏安法(CV)制备了聚吡咯亚硝酸根离子选择性电极。表征了电极的电化学性能。在1.0x10-1~5.0x10-5mol/L浓度范围内,电极电位与亚硝酸根离子浓度成良好的线性关系,Nernst响应科率为51mv/PNO2-。观察了NO2-在PPy膜中掺杂=去掺杂过程,从而验证了电极响应是基于掺杂机理。  相似文献   

17.
用从头算(ab initio)方法和密度泛函理论(DFT)对H与CF3O2自由基的反应进行了研究,在HF/6-31G。和B3LYP/6-31G基组水平上,对该反应过程中可能出现的中间体和过渡态的构型及能量进行了优化,并分析了反应过程中生成的产物,对各过渡态,利用内禀反应坐标IRC来进行验证,在B3LYP/6-31G构型优化的基础上,用B3LYP/6-311G和B3LYP/6-311 G计算了反应过程中各物种的总能量和相对能量,根据相对能量绘制的势能剖面图直观地反映了H CF3O2的反应机理,由势能面得出,反应生成CF3O和OH的历程最容易发生,这与实验事实是一致的.  相似文献   

18.
采用对称匹配组态相互作用(SAC-C I)方法研究了H2Se和H2Te的电离态,结合H2Se+和H2Te+对这些电离态进行了指认.计算和指认结果表明,H2Se和H2Te分子的外层分子轨道是量子数n不同的相同分子轨道a1,b2,a1,b1;单极子强度较大而能量较低的电离态12B1,12A1,12B2,22A1为H2Se+和H2Te+的电子基态和激发态,能量较高的电离态为H2Se+和H2Te+的高激发态;在电子的跃迁和电离过程中,能量较低的四个电离态的形成主要是单电子过程,而能量较高的电离态其形成过程主要是两电子过程.其中许多能量较高的电离态的形成具有2h1p的特征.计算结果与实验数据比较表明,SAC-C I理论值与实验值吻合很好.  相似文献   

19.
CaCl2和Ca(NO3)2对降低玉米幼苗质膜透性的作用   总被引:4,自引:0,他引:4  
以玉米为实验材料,分别用150mmol/L,150mmol/L,NaCl+15mmol/L CaCl2及150mmol/LNaCl=15mmol/LCa(NO3)2的1/2浓度Hoagland溶液连续处理5天后,分别测定MDA含量,质膜透性,植物鲜重,植物干重及植物体内Na^+含量。  相似文献   

20.
对CCl4/Ar混合气体直流脉冲放电产生CCl2自由基,再用541.52nm激光将电子基态CCl2激励到激发态A1B21(0,4,0)振动态的K=0能级上,通过检测激发态CCl2时间分辨荧光信号,测得室温下CCl2(A1B1和a^3B1)被H2O分子猝灭的实验结果,用三能级模型分析处理实验数据,获得态分辨速率常数KA和Ka值,利用UMP2(Full)/6-31G(d,p)方法计算了该反应的势能面,揭示了反应的插入和加成-消除机理。  相似文献   

设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号