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相似文献
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1.
纳米Si3N4对反应烧结Si3N4结合SiC材料的影响   总被引:1,自引:1,他引:0  
利用反应烧结机制,在1450℃制备了Si  相似文献   

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3.
利用化学镀工艺使陶瓷表面金属化,进而采用辉光钎焊的方法实现了Si3N4陶瓷与纯铝的无钎剂钎焊.对接头的微观结构、接头中金属间化合物的行为及防止措施进行了分析和探讨.  相似文献   

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Si3N4陶瓷具有较高的热导率、良好的耐磨性和耐腐蚀性,高温强度高,且高温稳定性和抗热冲击性好,作为结构材料在机械工业,电子工业和化学工业中广泛应用。由于Si3N4陶瓷烧结温度过高,无法在工业生产中大量使用,为了降低其烧结温度、改善烧结致密度和强度等性能,在烧结过程中经常使用烧结助剂。综述了国内外金属氧化物作为烧结助剂在Si3N4陶瓷烧结中的研究现状,提出了其烧结过程中存在的问题。  相似文献   

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采用氧化后再氧化的实验方法,通过对Si  相似文献   

7.
Silicon nitride ceramics show great potential for wide applications. It is difficult to densify silicon nitride due to its covalent nature of bonding. A new sintering aid with combination of MgO and CeO2 was used in the present study. The effects of MgO-CeO2 on densification and phase transformation during sintering of Si3N4 were discussed. For Si3N4-MgO-CeO2 ceramics,a lot of liquid phase existed at 1450℃,and densification process took place rapidly from 1550℃ to 150℃;the phase transformation from α-Si3N4 to β-Si3N4 took place rapidly from 1550℃ to 1660℃,the phase transformation process lags behind the densification process. The nonpressure sintered Si3N4-MgO-CeO2 ceramics achieved a bending strength of 948MPa. MgO-CeO2 can be considered as an effective sintering aid for Si3N4.  相似文献   

8.
针对现有激光选区烧结技术多使用高分子黏结剂,存在素坯易坍塌、烧结时间长等问题,提出使用无机黏结剂,为改善陶瓷坯体烧结质量提供新方法.以Si3N4聚空心微球为原材料,纳米Al N为无机黏结剂,Al2O3和Y2O3为烧结助剂,采用激光选区烧结技术直接成形多孔Si3N4陶瓷,并分析了激光功率对多孔Si3N4陶瓷微观结构及力学性能的影响.结果表明:随着激光功率的增加,陶瓷素坯中Si3N4聚空心微球表面的“绒毛”结构减少;在高温烧结过程中,纳米Al N促进了共晶液相的产生,断裂方式从沿球断裂转变为穿球断裂;Si3N4聚空心球陶瓷的相对密度与抗弯强度随着激光功率的增大呈现先升高再降低的趋势;当激光功率为8 W时,1 800℃烧结后的多孔Si3N4陶瓷获...  相似文献   

9.
以纳米非晶-Si3N4、微米α-Si3N4、微米AlN、纳米Al2O3和纳米Y2O3为初始原料,采用放电等离子烧结工艺制备了Sialon陶瓷。通过调整配方中Si3N4对应原料的种类,研究了不同结构的Si3N4对合成Sialon陶瓷的影响。通过XRD和SEM对试样的物相和显微结构进行了表征,同时测试了试样的体积密度、抗弯强度、断裂韧性和维氏硬度。实验结果表明,配方中的Si3N4全部采用α-Si3N4,经SPS烧结后可获得α/β-Sialon陶瓷,当用纳米非晶-Si3N4逐步替换α-Si3N4时,所合成的Sialon陶瓷中的α-Sialon晶相的相对含量减少;当全部采用纳米非晶-Si3N4时,则试样中仅含有β-Sialon相。  相似文献   

10.
金属钼表面MoSi2/Si3N4涂层的氧化性能研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
在金属钼表面分别制备了MoSi2涂层和MoSi2/Si3N4涂层,利用SEM和XRD分析研究了涂层的微观结构和物相组成,并比较了涂层在1 450℃大气环境下的抗氧化性能.结果表明:两种涂层与基体结合好且均匀致密;MoSi2涂层钼氧化16 h后出现贯穿裂纹,破坏了SiO2保护膜的连续性,导致涂层失效;Si3N4相的引入可明显改善MoSi2基涂层钼的高温抗氧化性,其抗氧化时间达76 h.  相似文献   

11.
A particle preform was designed and prepared by conglomerating and cold-pressed process, which was condensed by chemical vapor infiltration (CVI) process to fabricate silicon nitride particles reinforced silicon nitride composites. The conglomerations are of almost sphericity after conglomerated. There are large pores among the conglomerations and small pores within themselves in the preform according to the design and the test of pore size distribution. The pore size of the preform is characterized by a double-peak distribution. The pore size distribution is influenced by conglomeration size. Large pores among the conglomerations still exist after infiltrated Si3N4 matrix. The conglomerations, however, are very compact. The CVI Si3N4 looks like cauliflowershaped structure.  相似文献   

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利用在金刚石对顶砧(DAC)上的集成微电路技术, 高压原位测量类石墨相C3N4的电阻. 实验结果表明, 在293 K, 5 GPa和11 GPa的压力点, 电阻明显下降, 与理论计算的结构相变压力点一致; 在77 K, 5 GPa压力点的电阻基本不变; 11 GPa压力点的电阻变化更明显. 在21 GPa压力点附近, C3N4的电阻发生突变, 表明此时存在一个未知的相变.   相似文献   

14.
采用传统陶瓷烧结方法,制备了CaCu3Ti4O12(CCTO)-xZnO(x=0,0.05,0.20,0.60,1.00)陶瓷样品.应用X射线衍射仪及扫描电镜,分别确定了样品的物性和形貌.利用阻抗分析仪测定了不同频率和温度下材料的介电常数和介电损耗,研究了ZnO对CCTO材料的微观结构和介电性能的影响.结果表明:添加ZnO可促进CCTO晶界处小晶粒生长,抑制大晶粒生长,降低CCTO陶瓷样品高频范围的介电损耗.当x=1时,在1kHz~1MHz频率范围内,tanδ均小于1.1,并且可将陶瓷的压敏电压提高至100V/mm.这为优化CCTO材料性能、推进其在电容器方面的应用,提供了一定的实验依据.  相似文献   

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用一种新思路设计一种非常规方法制备金属镍和氧化铝金属陶瓷复合材料获得成功。将分别含有氧化镍和氧化铝的先驱体通过溶胶-凝胶法制取均匀和超细的混合粉体,接着将其在1200℃还原氧化镍成金属镍。将还原后的粉末半干压成型后在1460℃进行真空热压烧结,得到Ni/AI2O3复合材料。结果显示这种材料的抗压强度与断裂韧性明显提高,但硬度有所降低。  相似文献   

16.
对CaCu3Ti4O12陶瓷的制备及性能进行了研究,X射线衍射分析结果表明:将混和、研磨好的粉料在900℃和950℃预烧后获得了CaCu3Ti4O12单相粉料.通过合成过程的成分变化,对CaCu3Ti4O12陶瓷粉末的具体合成过程作出了表述.将预烧后的粉末压制成型,在不同的温度下烧结,介电测试结果表明,1 075℃烧结的CaCu3Ti4O12多晶陶瓷的相对介电常数最高,最高值可达1.23×105;1 060℃烧结的CaCu3Ti4O12多晶陶瓷的介电损耗最小,最小值为0.076.从SEM照片可以看出,1 060℃烧结的陶瓷晶粒均匀细小,粒度不超过5μm,致密性良好;1 075℃烧结的陶瓷呈现大块粘连状态,只在少数区域看到平均粒径超过10 μm的晶粒群.可见CaCu3Ti4O12陶瓷的介电性能与晶粒尺寸有着很大的关系.  相似文献   

17.
采用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究Nb2N3的晶体结构、 力学、 晶格动力学和电子性质.  结果表明: Nb2N3常压下具有正交η-Ta2N3结构, 其弹性常数满足波恩-黄昆判据, 且晶格动力学稳定; Nb2N3具有较大的体弹性模量(304 GPa)和硬度(19.3 GPa), 由于Nb 4d-轨道与N 2p-轨道杂化形成三维Nb\|N共价键, 因此Nb2N3为离子性较强的半导体材料.  相似文献   

18.
n the present work, the phase transitions and relaxor behavior of (1−x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3 (PMN-PT, x = 0.2―0.4) ferroelectric ceramics have been investigated by means of X-ray diffraction, di-electric spectroscopy, the P-E hysteresis loop measurements and Raman scattering techniques. Structural analysis revealed that with the increase of PbTiO3 content, PMN-PT ceramics experienced a gradual phase transition process from rhombohedral to tetragonal. It is usually believed that such kinds of phase transitions resulted in the linear decrease of relaxation degree. Surprisingly, our analy-sis of the dielectric spectra revealed that the indicator of the degree of diffuseness γ reached the maximum value near morphotropic phase boundary (MPB) (x = 0.32), then decreased with the further increase of PbTiO3 content. The large dielectric relaxor feature near MPB may be attributed to the for-mation of ordered nanodomains, resulting from complex coexisting nanostructures. Further, the P-E hysteresis loop measurements and Raman analysis of the B-site cation order correlated well with the dielectric measurement results. It was found that the hysteresis loop squareness Rsq received the minimum value while the inverse of the value of full wide of half maximum (FWHM) of A1g mode reached the maximum value at MPB composition, which showed similar trends to γ.  相似文献   

19.
用等温饱和法测定了NiFe2O44,XnFe2O4,XnAl2O4在Na3AlF6-Al2O3熔体中的溶解度,研究了电解质温度、Al2O33浓度和NaF与AlF3的分子比对NiFe2O4溶解度的影响.试验结果表明NiFe2O4组元中Ni和Fe在熔盐中的饱和溶解度分别为0.008 5%和0.070 0%;ZnFe2O4组元中Zn和Fe的饱和溶解度则为0.031 3%和0.070 0%;XnAl2O44组元中Zn的饱和溶解度为0.026 5%;NiFe2O4在铝电解质熔盐中具有较强的抗腐蚀性能,是一种较好的金属陶瓷惰性阳极基体材料;NiFe2O4的溶解过程受离解及离解产物NiO与Fe2Os的化学溶解2个过程的控制,为提高NiFe2O4基陶瓷材料的耐腐蚀性能,宜采用低电解温度、低分子比和高氧化铝浓度等电解条件.  相似文献   

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