半导体芯片紫外荧光无损检测

Fe、Na、Ni等金属杂质对半导体器件芯片有严重的负面影响，往往导致器件失效，成品率下降，必须进行有效控制处理．采用紫外荧光(UVF)法可有效检测出硅晶片及半导体器件芯片(如GaP、GaAs等)的金属杂质沾污情况，还能检测金属杂质的相对沾污量，对半导体器件芯片的生产可实现实时非破坏性的检测分析．     

集成CAD模型的虚拟微装配系统伺服控制方法

虚拟技术可克服微装配中显微视觉系统小景深、小视场的问题，但构造虚拟场景时，数据量大、效率低。利用微器件设计时的CAD数据，可减小构造虚拟环境的数据量、提高效率，能够使构造出的场景更精确。利用显微镜聚焦——失焦理论并借助于器件CAD模型构造虚拟环境；将获得的深度信息集成在伺服控制方程中。通过这些方法，可进行复杂路径的规划，完成三维微装配任务，仿真和实验结果均表明上述方法是可行的．     

阵列波导光栅薄膜的制备及性能

以一种特定成分的有机硅为原料，采用溶胶-凝胶法，在硅基片上制备出用于光波导器件的薄膜．通过折射率和厚度测试及XPS成分测试验证了此薄膜具有较好的均匀性、厚度和光学特性，满足光波导器件的要求．分析了溶胶-凝胶法中常见的龟裂现象的原因以及采预防方法．利用这种薄膜结合微电子加工工艺制备出光波导器件阵列波导光栅．     

热光可调光衰减器的设计及测试

阐述Mach-Zehnder型可调光衰减器的原理,分析影响器件功率消耗和器件响应的因素,然后根据硅基波导器件大截面的单模脊型波导理论,设计VOA器件的结构参数.并测试出VOA器件的近场模斑,器件衰减为0~26.3dB,器件最大功率损耗为368 mW,信号响应上升时间为7μs,信号响应下降时间为97μs.     

功率放大实验电路分析

纵观许多高校的模拟电子技术实验指导书，在OTL功率放大电路这一基本实验中，由于某些器件选型欠妥，致使实测数据与希望值相差悬殊，影响实验效果。文章就这一问题作一点分析讨论，并确定出较适合该的实验电路的相关器件。     

用可编程逻辑器件实现汽车运行状态显示

利用可编程GAL器件的特性，设计出一个完整的电路以实现车辆运动状态的显示，同时对器件的选择进行必要的分析。     

勇当安全生产排头兵

在建设和谐社会的进程中，国有企业是实现安全生产的排头兵，理应成为安全生产的模范和表率。但今年以来，重大安全事故多发生在国有企业，“矿难冠军”、老出大事故的“国企老大”，这样的称谓确实反映出国有企业在安全生产方面令人担忧的一面。     

TAB器件的高频特性分析

本文介绍了自动带焊器件的载带结构，分析和计算出载带的电参数，构造了集中参数的等效电路，对ＴＡＢ器件在引线链合器件的高频特性用ＰＳＰＩＣＥ程序进行了分析，通过比较，阐明了ＴＡＢ器件在高频特性上优于传统封装形式。     

一种检验宽电子束曲轴数值计算的方法

一种检验宽电子束曲轴数值计算的方法张良忠张王景王景（北京理工大学光电工程系１０００８１）在光电成像器件，尤其是大物面光电成像器件的设计与计算中，电子光学系统起着较为重要的作用。而对光电器件的电子光学系统的轴外轨迹及像差的计算多采用宽束曲轴计算方法。一...     

TAB器件的高频特性分析

本文介绍了自动带焊（ＴＡＢ）器件的载带结构，分析和计算出载带的电参数，构造了集中参数的等效电路，对ＴＡＢ器件和引线键合器件的高频特性用ＰＳＰＩＣＥ程序进行了分析，通过比较，阐明了ＴＡＢ器件在高频特性上优于传统封装形式．     

ZnO无机发光材料制备及其性能表征

基于固相反应工艺制备出不同烧结温度的ZnO无机发光材料，结合近紫外光LED芯片制备出wLED器件。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、激发和发射光谱、光谱仪等测试方法对样品材料和器件的光色性能进行了研究。研究结果表明：ZnO的光谱强度随烧结温度增加表现为先增加后降低，在960℃时具有最优值；对应激发与发射光谱峰值分别为380 nm和501 nm;XRD和SEM表明样品材料具有良好的结晶性能。制备的wLED器件在ZnO掺入的条件下，光谱连续得到提高，器件光色特性在4334 K的条件下，显色指数达到95.7，提高了11.02%，光通量和出光效率分别为20.6 lm和103 lm/W，降低了3.3%，这是由于ZnO的发射光谱分布偏移了人眼明视觉效率曲线，从而引起在计算光通量时数值微弱降低。可见，ZnO发光材料在全光谱、高显色wLED中应用具有可行性。     

半导体温差发电器件的热力学分析

从稳态的热传导方程出发，对发电器件进行了热力学分析，建立了半导体温差发电器件的基本模型，推导出p型和n型半导体内部的温度分布函数及输出功率和发电效率的表达式，讨论了传统分析中经常忽略的汤姆逊热对发电性能的影响．结果表明，在低温及大温差工况下汤姆逊热对输出功率的影响不能忽略．     

军工企业无铅器件焊接可靠性浅析

无铅技术已经成为电子行业的首选，但是由于其发展时间相对较短，可靠性仍需验证。军工企业出于可靠性的考虑，仍旧采用有铅焊接技术，但是在实际生产过程中却不可避免的越来越多的遇到无铅器件，本文介绍无铅物料的管理和有铅工艺与无铅器件混用的相应预防和解决方案。     

双棱镜干涉实验现象的解析论证

根据实验所用器件、布置及基本光学原理，构建出双矩孔衍射物理模式，再由解析结论对实验中展现的主要现象作出诠释。     

绝缘栅双极晶体管研究与中试

绝缘栅双极晶体管（IGBT）是新型MOS功率器件，目前在国内的研究只有我们和北工大进行，在国内的生产更是空白，国内的器件应用全靠进口。     

有机电致发光平板显示器件的进展

随着有机电致发光器件的研究和发展，以有机材料为基础的有机电致发光器件（OLED）所表现出的各种特性和它在平板显示领域的广泛应用，OLED平板信息显示器件已经引起了人们广泛的关注。该文在简单地介绍了有机电致发光器件的结构和发光原理之后，主要介绍有机电致发光器件性质特点、彩色柔性的实现方法以及当前产业发展的状况，并就OLED平板显示器的市场前景进行了预测。     

应用于空基相控阵雷达的新型功率器件一-SIC 射频功率MESFET

根据空基相控阵雷达的工作环境，对4H—SiC材料及SiC功率器件(SiC MESFET)的特点进行了分析。与GaAs器件相比，这种新型器件在空基相控阵雷达领域有广泛的应用前景。同时建立了用于器件CAD技术的SiC MESFET改进型非线性大信号模型，这种基于实验测量的模型通过SPICE模拟器对器件的功率特性进行了分析，与实验结果符合较好。     

新型功率半导体器件IGCT的核心技术

在目前的中电压大功率应用领域，占主导地位的功率半导体器件有晶闸管，GTO和IGBT等，这些传统的功率器件在产用方面都存在一些缺陷，ABB半导体公司率先提出了一种新型功率半导体器件－IGCT，它具有大电流、高电压、开关频率高、高可靠性，结构紧凑，低损耗的特点，在性能上明显优于目前广泛使用的GTO和IGBT器件，本文对IGCT器件及其工作原理进行简单介绍，并着重对四项核心技术；缓冲层，透明阳极，逆导和集成门极技术，以及它们对器件性能的改善进行阐述。     

高温快速扩磷的进一步研究

近几年来,国内兄弟单位提出了在器件制造中使用高温快速扩磷的工艺,并在某些器件生产中加以应用,取得了一定的成效。然而对这一问题的认识从理论到实践还是不够充分,不够完善的。为了进一步弄清它在器件生产中应用时可能出现的实际问题,我们结合3DG_4和电路的生产,进行了进一步的研究。     

硅材料进入光学世纪

硅芯片一直是电子产业的支柱，但不久后很可能也会成为光子器件的主导元件。目前，已用硅材料制造出一种重要的光子器件——高频光调制器。