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高等教育规模扩展:内涵与外延并举 总被引:4,自引:0,他引:4
从我国人口发展趋势和高等教育大众化目标来看,内涵式发展难以支撑高等教育的预期规模,需要走内涵式发展与外延式发展并举的道路,需要发展社区学院、“大学城“、大学的二级学院、高教自学考试、网络高教和民办高校. 相似文献
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利用脉冲激光沉积在YSZ[100]基底上同质外延生长不同组分的YSZ薄膜.研究发现,当生长温度为300℃时,薄膜为非晶态,而在温度为650℃时,掺杂10%氧化钇(摩尔分数)的YSZ具有立方结构,而掺杂6%和8%氧化钇的YSZ薄膜同时具有立方和四方结构.通过调控生长工艺条件,以及利用具有不同组分的薄膜与基底来构造不同的应变状态,可以制备具有不同结构的YSZ外延薄膜. 相似文献
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史向华 《长沙水电师院学报》1998,13(1):41-44
研究了热壁外延法(HWE)在经两种不同处理方法的GaAs衬底上生长的ZnSe薄膜质量,俄歇电子能谱图(AES)分析表明,经S纯化的GaAs表面大约由一层单原子层所覆盖,从而减少了ZnAs/GaAs界面态密度,用喇曼光谱的空间相干模型,对不同处理方法的GaAs上生长的ZnSe处延膜的一级LO声子喇谱形变化进行分析,定量判断出ZnSe外延膜质量的优劣,分析认为,经S纯化ZnSe/GaAs具有较好的质量 相似文献
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用硅烷热分解方法生长硅膜时,硅膜的生长速率与衬底取向及材料无关.不同衬底在低温区具有相同的生长激活能.作者认为硅烷外延生长和四氯化硅外延不同,其生长机制是硅烷气相分解产物通过滞流层向衬底的定向扩散并在衬底上堆积. 相似文献
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利用液相外延技术,考察了与InAs衬底晶格匹配的InAsPSb四元系化合物生长条件对外延层晶体质量的影响。 相似文献
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绝缘衬底上高质量亚微米厚硅单晶膜的获得对于制成高速度、高集成度、低功能和抗辐射的集成电路十分重要.蓝宝石上外延硅膜的生长和其CMOS/SOS集成电路的研究已为国内外学者所重视. 相似文献
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使用MOCVD生长技术,在n型及半绝缘衬底上生长了InP外延层,通过对迁移率和低温光致发光,光反射谱的分析,得出了样品纯度与有关生长条件的关系。 相似文献
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对于外延膜多尺度应变模型的求解,设计了一类代数多重网格方法,进而以该代数多重网格为预条件子,结合其轭梯度法,得到一种预处理技术。数值实验结果表明,我们构造的代数多重网格算法是健壮的,具有很好的计算效率。 相似文献
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首先叙述了双层(BiAl)YIG薄膜的生长及层间晶格失配情况,测量了与膜面法向成任意角度磁化的铁磁共振谱,铁磁共振场和线宽随磁化方向的变化与单层膜明显不同,用薄膜层间磁耦合解释了这种薄膜的铁磁共振线宽的非均匀增宽和共振波谱出现的异常现象,计算出的层间磁耦合系数与磁化方向有关。 相似文献
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研究了重掺硼分子束外延硅的载流子浓度对喇曼光谱线型的影响。以单声子态和准连续电子激发态之间的Fano相互作用理论为基础,对实验结果进行了讨论和拟合。由拟合得到的喇曼光谱的半峰宽、峰移、峰高和不对称因子等各参数之间的关系式,结合霍耳效应测量,得到了喇曼光谱的半峰宽Г同自由载流子浓度p之间的关系曲线为Г=2.54p^0.408,其中Г,p分别是以cm^-1和10^19cm^-3为单位。提供了用喇曼光谱 相似文献
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作者用热壁外延方法在(100)GaAs衬底上生长Zn_(1-x)Mn_xSe拉半磁半导体薄膜,并用X射线衍射(XRD)、喇曼散射、俄歇电子能谱(AES)等技术对薄膜性能作了研究.实验结果表明已成功地生长出(100)Zn_(1-x)Mn_xSe单晶薄膜,其中x最大达到0.17. 相似文献
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研究了用热壁外延法在GaAs衬底上生长的不同x含量的Zn1-xMnxSe薄膜,通过X射线衍射和喇曼光谱的研究表明,晶体的质量取决于Mn的含量,随着Mn的含量的增高,晶体的质量下降。 相似文献
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